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PBSS4630PA 30 V , 6一个NPN低VCEsat晶体管( BISS )晶体管 (30 V, 6 A NPN low VCEsat (BISS) transistor)
.型号:   PBSS4630PA
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描述: 30 V , 6一个NPN低VCEsat晶体管( BISS )晶体管
30 V, 6 A NPN low VCEsat (BISS) transistor
文件大小 :   168 K    
页数 : 15 页
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品牌   PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
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100%
PBSS4630PA
30 V , 6一个NPN低V
CESAT
( BISS )晶体管
版本01 - 2010年5月6日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
NPN低V
CESAT
突破性小信号( BISS )晶体管,封装在一个超
薄SOT1061无引脚小型表面贴装器件( SMD)塑料封装
中等功率的能力。
PNP补充: PBSS5630PA 。
1.2特点和优点
低集电极 - 发射极饱和电压V
CESAT
高集电极电流能力我
C
CM
较小的所需的印刷电路板( PCB)面积比传统的晶体管
为优良的导热和导电性接触散热器
小型无引线塑料SMD封装,中等功率能力
1.3应用
Loadswitch
电池驱动设备
电源管理
充电电路
电源开关(如电机,风机)
1.4快速参考数据
表1中。
符号
V
首席执行官
I
C
I
CM
R
CESAT
[1]
快速参考数据
参数
集电极 - 发射极电压
集电极电流
峰值集电极电流
集电极 - 发射极
饱和电阻
单脉冲;
t
p
1毫秒
I
C
= 6 A;
I
B
= 300毫安
条件
开基
-
-
-
-
典型值
-
-
-
35
最大
30
6
7
46
单位
V
A
A
脉冲测试:吨
p
300
μs; δ ≤
0.02.
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