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AT90-1106TR  REG1117A2K5G4  REG1117  AT90-1233  AT90-1413TR  REG1117-2K5  REG1117-5/2K5  AT90-1233-TB  AT90-1106-TB  REG1117-2.85/2K5G4  
PBSS5140T 40 V ,1 A PNP低VCEsat晶体管BISS晶体管 (40 V, 1 A PNP low VCEsat BISS transistor)
.型号:   PBSS5140T
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描述: 40 V ,1 A PNP低VCEsat晶体管BISS晶体管
40 V, 1 A PNP low VCEsat BISS transistor
文件大小 :   100 K    
页数 : 13 页
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品牌   PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
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100%
PBSS5140T
40 V ,1 A PNP低V
CESAT
BISS晶体管
牧师04 - 2008年7月29日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
PNP低V
CESAT
突破性小信号( BISS )晶体管,SOT23封装( TO- 236AB )
小型表面贴装器件( SMD )塑料封装。
NPN补充: PBSS4140T 。
1.2产品特点
I
I
I
I
低集电极 - 发射极饱和电压V
CESAT
高集电极电流能力我
C
CM
高集电极电流增益(H
FE
)在高I
C
高英法fi效率由于较少的热量产生
1.3应用
I
I
I
I
通用开关和静音
LCD背光
供电线路开关电路
电池驱动的设备(移动电话,摄像机和手持设备)
1.4快速参考数据
表1中。
符号
V
首席执行官
I
C
I
CM
R
CESAT
[1]
快速参考数据
参数
集电极 - 发射极电压
集电极电流
峰值集电极电流
集电极 - 发射极
饱和电阻
单脉冲;
t
p
1毫秒
I
C
=
−500
毫安;
I
B
=
−50
mA
条件
开基
-
-
-
-
典型值
-
-
-
300
最大
−40
−1
−2
& LT ; 500
单位
V
A
A
mΩ
脉冲测试:吨
p
300
µs; δ ≤
0.02.
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