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PBSS5160V
60 V ,1 A PNP低V
CESAT
( BISS )晶体管
牧师03 - 2009年12月14日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
PNP低V
CESAT
在SOT666塑料突破性小信号( BISS )晶体管
封装。
NPN补充: PBSS4160V 。
1.2产品特点
低集电极 - 发射极饱和电压V
CESAT
高集电极电流能力我
C
CM
高英法fi效率从而减少热量的产生
减少所需的印刷电路板的面积
成本效益的替代中等功率晶体管BCP52和BCX52
1.3应用
主要应用领域
汽车
电信基础设施
产业
电源管理
直流 - 直流转换
供电线路开关
外围设备驱动程序
驾驶员在低电源电压应用(如灯和LED灯)
感性负载的驱动程序(如继电器,蜂鸣器和电机)
1.4快速参考数据
表1中。
符号
V
首席执行官
I
C
I
CM
R
CESAT
[1]
快速参考数据
参数
集电极 - 发射极电压
集电极电流( DC )
峰值集电极电流
导通电阻的等效
I
C
=
−1
A;
I
B
=
−100
mA
条件
开基
[1]
-
-
-
-
典型值
-
-
-
220
最大
−60
−1
−2
330
单位
V
A
A
设备安装在FR4 PCB ,单面铜,镀锡和标准的足迹。
恩智浦半导体
PBSS5160V
60 V ,1 A PNP低V
CESAT
( BISS )晶体管
2.管脚信息
表2中。
1, 2, 5, 6
3
4
钉扎
描述
集热器
BASE
辐射源
6
5
4
3
4
1
2
3
sym030
简化的轮廓
符号
1, 2, 5, 6
3.订购信息
表3中。
订购信息
名字
PBSS5160V
-
描述
塑料表面贴装封装; 6引线
VERSION
SOT666
类型编号
4.标记
表4 。
标记代码
标识代码
51
类型编号
PBSS5160V
5.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
T
j
T
AMB
T
英镑
PBSS5160V_3
参数
集电极 - 发射极
电压
发射极 - 基极电压
集电极电流( DC )
峰值集电极电流
基极电流(DC)的
峰值电流基地
条件
开基
集电极开路
[1]
[2]
-
-
-
-
-
-
-
最大
−80
−60
−5
−0.9
−1
−2
−300
−1
300
500
150
+150
+150
单位
V
V
V
A
A
A
mA
A
mW
mW
°C
°C
°C
集电极 - 基极电压发射极开路
T = 1 ms或受限
经t
J(下最大)
t
p
300
μs; δ ≤
0.02
[1]
[2]
-
-
-
-
−65
−65
总功率耗散T
AMB
25
°C
结温
环境温度
储存温度
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恩智浦半导体
PBSS5160V
60 V ,1 A PNP低V
CESAT
( BISS )晶体管
[1]
[2]
设备安装在FR4 PCB ,单面铜,镀锡和标准的足迹。
设备安装在FR4 PCB上,单面铜,镀锡, 1厘米
2
集热器的安装盘。
0.6
P
合计
(W)
(1)
001aaa714
0.4
(2)
0.2
0
0
40
80
120
160
T
AMB
(°C)
( 1 ) FR4印刷电路板; 1厘米
2
集热器安装垫
( 2 ) FR4印刷电路板;标准尺寸
图1 。
功率降额曲线
6.热特性
表6 。
符号
R
号(j -a)的
热特性
参数
从热阻
结到环境
条件
在自由空气
[1]
[2]
-
-
典型值
-
-
最大
415
250
单位
K / W
K / W
[1]
[2]
设备安装在FR4 PCB ,单面铜,镀锡和标准的足迹。
设备安装在FR4 PCB上,单面铜,镀锡, 1厘米
2
集热器的安装盘。
PBSS5160V_3
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恩智浦半导体
PBSS5160V
60 V ,1 A PNP低V
CESAT
( BISS )晶体管
10
3
Z
th
(K / W)
10
2
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
(7)
001aaa715
10
(8)
(9)
(10)
1
10
−1
10
−5
10
−4
10
−3
10
−2
10
−1
1
10
10
2
t
p
(s)
10
3
安装在FR4印刷电路板;标准尺寸
(1)
δ
= 1
(2)
δ
= 0.75
(3)
δ
= 0.5
(4)
δ
= 0.33
(5)
δ
= 0.2
(6)
δ
= 0.1
(7)
δ
= 0.05
(8)
δ
= 0.02
(9)
δ
= 0.01
(10)
δ
= 0
图2 。
瞬态热阻抗的脉冲时间的函数;典型值
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60 V ,1 A PNP低V
CESAT
( BISS )晶体管
7.特点
表7中。
特征
T
AMB
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
参数
集电极 - 基极截止电流
条件
V
CB
=
−60
V ;我
E
= 0 A
V
CB
=
−60
V ;我
E
= 0 A;
T
j
= 150
°C
I
CES
I
EBO
h
FE
集电极 - 发射极截止电流
发射极 - 基极截止电流
直流电流增益
V
CE
=
−60
V; V
BE
= 0 V
V
EB
=
−5
V ;我
C
= 0 A
V
CE
=
−5
V ;我
C
=
−1
mA
V
CE
=
−5
V ;我
C
=
−500
mA
V
CE
=
−5
V ;我
C
=
−1
A
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和
电压
I
C
=
−100
毫安;我
B
=
−1
mA
I
C
=
−500
毫安;我
B
=
−50
mA
I
C
=
−1
A;我
B
=
−100
mA
V
BESAT
R
CESAT
V
BEON
t
d
t
r
t
on
t
s
t
f
t
关闭
f
T
C
c
基射极饱和电压
导通电阻的等效
基射极导通电压
延迟时间
上升时间
开启时间
贮存时间
下降时间
打开-O FF时间
跃迁频率
集电极电容
脉冲测试:吨
p
300
μs; δ ≤
0.02.
[1]
[1]
[1]
-
-
-
-
200
150
100
-
-
-
-
[1]
典型值
-
-
-
-
350
250
160
−110
−120
−220
−0.95
220
−0.82
11
30
41
205
55
260
220
9
最大
−100
−50
−100
−100
-
-
-
−160
−175
−330
−1.1
330
−0.9
-
-
-
-
-
-
-
15
单位
nA
μA
nA
nA
mV
mV
mV
V
V
ns
ns
ns
ns
ns
ns
兆赫
pF
I
C
=
−1
A;我
B
=
−50
mA
I
C
=
−1
A;我
B
=
−100
mA
I
C
=
−1
A; V
CE
=
−5
V
V
CC
=
−10
V ;我
C
=
−0.5
A;
I
BON
=
−0.025
A;
I
B关
= 0.025 A
-
-
-
-
-
-
-
-
I
C
=
−50
毫安; V
CE
=
−10
V;
F = 100 MHz的
I
E
= i
e
= 0 ; V
CB
=
−10
V;
F = 1 MHz的
150
-
[1]
PBSS5160V_3
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