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1799-MAG1  1799-MAT  1812D28  1799-MAT  1799-MAG  1799-MAG1  1799-MAG  
PBSS5160V 60 V ,1 A PNP低VCEsat晶体管( BISS )晶体管 (60 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor)
.型号:   PBSS5160V
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描述: 60 V ,1 A PNP低VCEsat晶体管( BISS )晶体管
60 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor
文件大小 :   146 K    
页数 : 14 页
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品牌   PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
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100%
PBSS5160V
60 V ,1 A PNP低V
CESAT
( BISS )晶体管
牧师03 - 2009年12月14日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
PNP低V
CESAT
在SOT666塑料突破性小信号( BISS )晶体管
封装。
NPN补充: PBSS4160V 。
1.2产品特点
低集电极 - 发射极饱和电压V
CESAT
高集电极电流能力我
C
CM
高英法fi效率从而减少热量的产生
减少所需的印刷电路板的面积
成本效益的替代中等功率晶体管BCP52和BCX52
1.3应用
主要应用领域
汽车
电信基础设施
产业
电源管理
直流 - 直流转换
供电线路开关
外围设备驱动程序
驾驶员在低电源电压应用(如灯和LED灯)
感性负载的驱动程序(如继电器,蜂鸣器和电机)
1.4快速参考数据
表1中。
符号
V
首席执行官
I
C
I
CM
R
CESAT
[1]
快速参考数据
参数
集电极 - 发射极电压
集电极电流( DC )
峰值集电极电流
导通电阻的等效
I
C
=
−1
A;
I
B
=
−100
mA
条件
开基
-
-
-
-
典型值
-
-
-
220
最大
−60
−1
−2
330
单位
V
A
A
设备安装在FR4 PCB ,单面铜,镀锡和标准的足迹。
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