CAT28F001TA-12TT [ONSEMI]

1 Megabit CMOS Boot Block Flash Memory; 1兆位的CMOS引导块闪存
CAT28F001TA-12TT
元器件型号: CAT28F001TA-12TT
生产厂家: ON SEMICONDUCTOR    ON SEMICONDUCTOR
描述和应用:

1 Megabit CMOS Boot Block Flash Memory
1兆位的CMOS引导块闪存

闪存 存储 内存集成电路 光电二极管
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型号参数:CAT28F001TA-12TT参数
是否无铅 含铅
是否Rohs认证 不符合
生命周期Obsolete
IHS 制造商ON SEMICONDUCTOR
零件包装代码TSOP
包装说明8 X 20 MM, TSOP-32
针数32
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
HTS代码8542.32.00.51
风险等级5.75
Is SamacsysN
最长访问时间120 ns
其他特性TOP BOOT BLOCK
启动块TOP
命令用户界面YES
数据轮询NO
耐久性100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码R-PDSO-G32
长度18.4 mm
内存密度1048576 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度8
湿度敏感等级1
功能数量1
部门数/规模1,2,1
端子数量32
字数131072 words
字数代码128000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度105 °C
最低工作温度-40 °C
组织128KX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP1
封装等效代码TSSOP32,.8,20
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)225
电源5 V
编程电压12 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
部门规模8K,4K,112K
最大待机电流0.000001 A
子类别Flash Memories
最大压摆率0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
切换位NO
类型NOR TYPE
宽度8 mm
Base Number Matches1