FSBB20CH60C [ONSEMI]
智能功率模块，600V，20A;
| 型号： | FSBB20CH60C |
| 厂家： | 
ONSEMI |
| 描述： | 智能功率模块，600V，20A 电动机控制 光电二极管 |
| 文件： | 总16页 (文件大小：654K) |
| 中文： | 中文翻译 | 下载： | 下载PDF数据表文档文件 |
Is Now Part of
To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at
www.onsemi.com
Please note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers
will need to change in order to meet ON Semiconductor’s system requirements. Since the ON Semiconductor
product management systems do not have the ability to manage part nomenclature that utilizes an underscore
(_), the underscore (_) in the Fairchild part numbers will be changed to a dash (-). This document may contain
device numbers with an underscore (_). Please check the ON Semiconductor website to verify the updated
device numbers. The most current and up-to-date ordering information can be found at www.onsemi.com. Please
email any questions regarding the system integration to Fairchild_questions@onsemi.com.
ON Semiconductor and the ON Semiconductor logo are trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC dba ON Semiconductor or its subsidiaries in the United States and/or other countries. ON Semiconductor owns the rights to a number
of patents, trademarks, copyrights, trade secrets, and other intellectual property. A listing of ON Semiconductor’s product/patent coverage may be accessed at www.onsemi.com/site/pdf/Patent-Marking.pdf. ON Semiconductor reserves the right
to make changes without further notice to any products herein. ON Semiconductor makes no warranty, representation or guarantee regarding the suitability of its products for any particular purpose, nor does ON Semiconductor assume any liability
arising out of the application or use of any product or circuit, and specifically disclaims any and all liability, including without limitation special, consequential or incidental damages. Buyer is responsible for its products and applications using ON
Semiconductor products, including compliance with all laws, regulations and safety requirements or standards, regardless of any support or applications information provided by ON Semiconductor. “Typical” parameters which may be provided in ON
Semiconductor data sheets and/or specifications can and do vary in different applications and actual performance may vary over time. All operating parameters, including “Typicals” must be validated for each customer application by customer’s
technical experts. ON Semiconductor does not convey any license under its patent rights nor the rights of others. ON Semiconductor products are not designed, intended, or authorized for use as a critical component in life support systems or any FDA
Class 3 medical devices or medical devices with a same or similar classification in a foreign jurisdiction or any devices intended for implantation in the human body. Should Buyer purchase or use ON Semiconductor products for any such unintended
or unauthorized application, Buyer shall indemnify and hold ON Semiconductor and its officers, employees, subsidiaries, affiliates, and distributors harmless against all claims, costs, damages, and expenses, and reasonable attorney fees arising out
of, directly or indirectly, any claim of personal injury or death associated with such unintended or unauthorized use, even if such claim alleges that ON Semiconductor was negligent regarding the design or manufacture of the part. ON Semiconductor
is an Equal Opportunity/Affirmative Action Employer. This literature is subject to all applicable copyright laws and is not for resale in any manner.
2016 年2 月
FSBB20CH60C
®
Motion SPM 3 系列
特性
概述
FSBB20CH60C 是一款先进的 Motion SPM® 3 模块，为
交流感应、无刷直流电机和 PMSM 电机提供非常全面的
高性能逆变器输出平台。这些模块综合优化了内置 IGBT
的栅极驱动以最小化电磁干扰和能量损耗。同时也提供多
重模组保护特性，集成欠压闭锁，过流保护和故障报告。
内置的高速 HVIC 只需要一个单电源电压，将逻辑电平栅
极输入转化为适合驱动模块内部 IGBT 的高电压，高电流
驱动信号。独立的 IGBT 负端在每个相位均有效，可支持
大量不同种类的控制算法。
• 通过UL 第E209204 号认证(UL1557)
• 600 V - 20 A 三相 IGBT 逆变器，包含栅极驱动和保护
的控制IC
• 低损耗、短路额定的IGBT
• 采用DBC (Al2O3) 基板实现非常低的热阻
• 内置自举二极管和专用的 Vs 引脚以简化印刷电路板布
局
• 低端 IGBT 的独立发射极开路引脚用于三相电流感测
• 单接地电源供电
• 绝缘等级：2500 Vrms / 分钟
应用
• 运动控制- 家用设备/ 工业电机
相关资料
• AN-9044 - Motion SPM® 3 Series Users Guide
图1. 封装概览
封装标识与定购信息
器件
器件标识
封装
包装类型
数量
FSBB20CH60C
FSBB20CH60C
SPMCC-027
Rail
10
©2008 飞兆半导体公司
FSBB20CH60C Rev. 1.6
1
www.fairchildsemi.com
集成的功率功能
600 V - 20 A IGBT 逆变器，适用于三相DC / AC 功率转换（请参阅图3）
•
集成的驱动、保护和系统控制功能
• 对于逆变器高端IGBT：栅极驱动电路、高压隔离的高速电平转换控制电路欠压锁定保护(UVLO)
注：可用自举电路示例如图12 和图13 所示。
• 对于逆变器低端IGBT：栅极驱动电路、短路保护(SCP)、控制电源欠压锁定保护(UVLO)
• 故障信号：对应UVLO （低端电源）和短路故障
• 输入接口：高电平有效接口，可用于3.3 / 5 V 逻辑电平，施密特触发脉冲输入
引脚布局
图2. 俯视图
©2008 飞兆半导体公司
FSBB20CH60C Rev. 1.6
2
www.fairchildsemi.com
引脚描述
引脚号
1
引脚名
VCC(L)
COM
IN(UL)
IN(VL)
IN(WL)
VFO
引脚描述
IC 和IGBT 驱动的低端公共偏压
公共电源接地
2
3
低端U 相的信号输入
4
低端V 相的信号输入
5
低端W 相的信号输入
故障输出
6
7
CFOD
CSC
设置故障输出持续时间的电容
短路电流感测输入电容（低通滤波器）
高端U 相的信号输入
8
9
IN(UH)
VCC(H)
VB(U)
VS(U)
IN(VH)
VCC(H)
VB(V)
VS(V)
IN(WH)
VCC(H)
VB(W)
VS(W)
NU
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
IC 和IGBT 驱动的高端公共偏压
U 相IGBT 驱动的高端偏压
U 相IGBT 驱动的高端偏压接地
高端V 相的信号输入
IC 和IGBT 驱动的高端公共偏压
V 相IGBT 驱动的高端偏压
V 相IGBT 驱动的高端偏压接地
高端W 相的信号输入
IC 和IGBT 驱动的高端公共偏压
W 相IGBT 驱动的高端偏压
W 相IGBT 驱动的高端偏压接地
U 相的直流输入负端
NV
V 相的直流输入负端
NW
W 相的直流输入负端
U
U 相输出
V
V 相输出
W
W 相输出
P
直流输入正端
©2008 飞兆半导体公司
FSBB20CH60C Rev. 1.6
3
www.fairchildsemi.com
内部等效电路与输入/ 输出引脚
P (27)
(19) VB(W)
(18) VCC(H)
VB
VCC
COM
OUT
VS
(17) IN(WH)
(20) VS(W)
W (26)
IN
(15) VB(V)
VB
(14) VCC(H)
VCC
COM
IN
OUT
VS
(13) IN(VH)
(16) VS(V)
V (25)
(11) VB(U)
VB
(10) VCC(H)
VCC
COM
IN
OUT
VS
(9) IN(UH)
(12) VS(U)
U (24)
(8) CSC
(7) CFOD
(6) VFO
OUT(WL)
OUT(VL)
C(SC)
C(FOD)
VFO
N
W (23)
(5) IN(WL)
(4) IN(VL)
(3) IN(UL)
IN(WL)
IN(VL)
IN(UL)
N
V (22)
(2) COM
(1) VCC(L)
COM
VCC
OUT(UL)
VSL
NU (21)
图3. 内部框图
注：
1. 逆变器的低端由三个IGBT 及相应的续流二极管和一个控制IC 组成。具有栅极驱动和保护功能。
2. 逆变器的功率端由逆变器的四个直流母线输入端和三个输出端组成。
3. 逆变器高端由三个IGBT 以及相应的续流二极管和驱动IC 组成。
©2008 飞兆半导体公司
FSBB20CH60C Rev. 1.6
4
www.fairchildsemi.com
绝对最大额定值 （TJ = 25°C，除非另有说明。）
逆变器部分
符号
VPN
参数
工作条件
施加在P - NU，NV，NW 之间
施加在P - NU，NV，NW 之间
额定值
450
单位
V
电源电压
VPN （浪涌）
VCES
± IC
500
V
电源电压（浪涌）
集电极- 发射极之间电压
单个IGBT 的集电极电流
单个IGBT 的集电极电流（峰值）
集电极功耗
600
V
TC = 25°C, TJ 150°C
TC = 25°C，TJ 150°C，脉冲宽度小于1 ms
TC = 25°C，单个芯片
20
A
± ICP
PC
40
A
62
W
°C
TJ
- 40 ~ 150
工作结温
（注1）
注：
®
1. Motion SPM 3 产品中集成的功率芯片的最大结温额定值为150°C （当T 125C）。
C
控制部分
符号
VCC
参数
工作条件
额定值
20
单位
V
V
控制电源电压
高端控制偏压
施加在VCC(H)，VCC(L) - COM 之间
VBS
20
施加在VB(U) - VS(U)，VB(V) - VS(V)，VB(W)
-
VS(W)
VIN
-0.3 ~ VCC + 0.3
V
输入信号电压
施加在IN(UH)，IN(VH)，IN(WH)，IN(UL)
IN(VL)，IN(WL) - COM 之间
，
VFO
IFO
-0.3 ~ VCC + 0.3
5
V
mA
V
故障输出电源电压
故障输出电流
施加在VFO - COM 之间
VFO 引脚处的灌电流
VSC
-0.3 ~ VCC + 0.3
电流感测输入电压
施加在CSC - COM 之间
自举二极管部分
符号
参数
工作条件
额定值
600
单位
V
VRRM
IF
最大重复反向电压
正向电流
TC = 25°C, TJ 150°C
0.5
A
IFP
TJ
TC = 25°C，TJ 150°C 脉冲宽度小于1 ms
2.0
A
正向电流（峰值）
工作结温
-40 ~ 150
°C
整个系统
符号
参数
工作条件
额定值
单位
VPN(PROT)
VCC = VBS = 13.5 ~ 16.5 V
400
V
自我保护电源电压限制（短路保护能力）
TJ = 150°C，非重复性，< 2 μs
TC
-40CTJ 150C，见图2
-40 ~ 125
-40 ~ 125
2500
°C
°C
模块壳体工作温度
存储温度
TSTG
VISO
60 Hz，正弦波形，交流1 分钟，连接陶瓷基
板到引脚
Vrms
绝缘电压
热阻
符号
Rth(j-c)Q
Rth(j-c)F
参数
工作条件
最小值 典型值 最大值 单位
-
-
-
-
2.0
3.0
°C / W
°C / W
结点- 壳体的热阻
逆变器IGBT 部分（每1 / 6 模块）
逆变器FWD 部分（每1 / 6 模块）
注：
2. 关于壳体温度(T ) 的测量点，参见图2。
C
©2008 飞兆半导体公司
FSBB20CH60C Rev. 1.6
5
www.fairchildsemi.com
电气特性 （TJ = 25°C，除非另有说明。）
逆变器部分
符号
参数
工作条件
最小值 典型值 最大值 单位
VCE(SAT)
VCC = VBS = 15 V
IC = 20 A, TJ = 25°C
-
-
2.0
V
集电极- 发射极间饱和电压
VIN = 5 V
VF
VIN = 0 V
IF = 20 A, TJ = 25°C
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
2.2
V
μs
μs
μs
μs
μs
μs
μs
μs
μs
μs
mA
FWD 正向电压
HS
tON
tC(ON)
tOFF
tC(OFF)
trr
VPN = 300 V, VCC = VBS = 15 V
IC = 20 A
VIN = 0 V 5 V，电感负载
（注3）
0.75
0.2
0.45
0.15
0.1
0.5
0.3
0.45
0.15
0.1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1
开关时间
LS
tON
VPN = 300 V, VCC = VBS = 15 V
IC = 20 A
VIN = 0 V 5 V，电感负载
（注3）
tC(ON)
tOFF
tC(OFF)
trr
ICES
VCE = VCES
集电极- 发射极间漏电流
注：
3.
t
和t
包括模块内部驱动IC 的传输延迟时间。t
和t
指在内部给定的栅极驱动条件下，IGBT 本身的开关时间。详细信息，请参见图4。
C(OFF)
ON
OFF
C(ON)
控制部分
符号
参数
工作条件
最小值 典型值 最大值 单位
IQCCL
VCC = 15 V
IN(UL, VL, WL) = 0 V
VCC(L) - COM
-
-
-
-
-
-
23
mA
μA
μA
V
CC 静态电源电流
IQCCH
IQBS
VCC = 15 V
IN(UH, VH, WH) = 0 V
VCC(H) - COM
600
500
VBS = 15 V
VB(U) - VS(U), VB(V) - VS(V)
,
VBS 静态电源电流
IN(UH, VH, WH) = 0 V VB(W) - VS(W)
VSC = 0 V，VFO 电路：4.7 k 至5 V 上拉
VSC = 1 V，VFO 电路：4.7 k 至5 V 上拉
VCC = 15 V （注4）
VFOH
VFOL
4.5
-
-
0.8
0.55
-
V
V
故障输出电压
-
0.45
-
-
VSC(ref)
TSD
0.50
160
V
短路电流触发电平
过温保护
°C
LVIC 的温度
TSD
-
5
-
°C
过温保护迟滞
LVIC 的温度
UVCCD
UVCCR
UVBSD
UVBSR
tFOD
10.7
11.2
10
11.9
12.4
11
13.0
13.4
12
V
V
电源电路欠压保护
检测电平
复位电平
V
检测电平
10.5
1.0
2.8
-
11.5
1.8
-
12.5
-
V
复位电平
ms
V
故障输出脉宽
导通阈值电压
关断阈值电压
CFOD = 33 nF （注5）
VIN(ON)
VIN(OFF)
-
施加在IN(UH)，IN(VH)，IN(WH)，IN(UL)，IN(VL)
IN(WL) - COM 之间
，
-
0.8
V
注：
4. 短路电流保护仅作用于低端。
5. 故障输出脉宽t 取决于电容C
-6
的值，可采用下面的近似公式进行计算：C
= 18.3 x 10 x t
[F]
FOD
FOD
FOD
FOD
©2008 飞兆半导体公司
FSBB20CH60C Rev. 1.6
6
www.fairchildsemi.com
100% IC 100% IC
trr
VCE
IC
IC
VCE
VIN
VIN
tON
tOFF
tC(ON)
tC(OFF)
VIN(ON)
VIN(OFF)
10% VCE
10% IC
10% IC 90% IC 10% VCE
(b) turn-off
(a) turn-on
图4. 开关时间的定义
SWITCHING LOSS(ON) VS. COLLECTOR CURRENT
VCE=300V
CC=15V
V =5V
SWITCHING LOSS(OFF) VS. COLLECTOR CURRENT
VCE=300V
CC=15V
V =5V
700
600
500
400
300
200
100
0
1100
1000
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0
V
V
IN
IN
TJ=25¡É
TJ=25¡É
TJ=150¡É
TJ=150¡É
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
COLLECTOR CURRENT, Ic [AMPERES]
COLLECTOR CURRENT, Ic [AMPERES]
图5. 开关损耗特性（典型值）
©2008 飞兆半导体公司
FSBB20CH60C Rev. 1.6
7
www.fairchildsemi.com
自举二极管部分
符号
参数
工作条件
最小值 典型值 最大值 单位
VF
trr
IF = 0.1 A, TC = 25°C
-
-
2.5
80
-
-
V
正向电压
反向恢复时间
IF = 0.1 A, TC = 25°C
ns
Built-in Bootstrap Diode VF-IF Characteristic
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
TC=25oC
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10 11 12 13 14 15
VF [V]
图6. 内置自举二极管特性
注：
6. 内置自举二极管其阻抗特性约为15 。
推荐工作条件
符号
VPN
参数
工作条件
最小值 典型值 最大值 单位
-
300
15.0
15.0
-
400
16.5
18.5
1
V
V
电源电压
施加在P - NU，NV，NW 之间
VCC
VBS
13.5
13.0
-1
控制电源电压
高端偏压
施加在VCC(H)，VCC(L) - COM 之间
施加在VB(U) - VS(U)，VB(V) - VS(V)，VB(W) - VS(W)
V
dVCC / dt,
dVBS / dt
V / μs
控制电源波动
tdead
fPWM
VSEN
2
-
-
-
-
μs
kHz
V
防止桥臂直通的死区时间
PWM 输入信号
每个输入信号
-40C TC 125C, -40C TJ 150°C
20
4
-4
电流感测产生的电压
施加在NU，NV，NW - COM 之间（包括浪涌电压）
©2008 飞兆半导体公司
FSBB20CH60C Rev. 1.6
8
www.fairchildsemi.com
机械特性和额定值
参数
安装扭矩
工作条件
最小值 典型值 最大值 单位
0.51
0.62
-
0.80
+120
-
N•m
μm
g
安装螺钉：M3
建议0.62 N•m
见图7
0
-
器件平面度
重量
15.00
( + )
( + )
图7. 平面度测量位置
©2008 飞兆半导体公司
FSBB20CH60C Rev. 1.6
9
www.fairchildsemi.com
保护功能时序图
Input Signal
Protection
Circuit State
RESET
SET
RESET
UVCCR
a1
a6
UVCCD
a2
Control
Supply Voltage
a3
a4
a7
Output Current
a5
Fault Output Signal
a1：控制电源电压上升：当电压上升到UVCCR 后，等到下一个开通信号时，对应的电路才开始动作。
a2：正常工作：IGBT 导通并加载负载电流。
a3：欠压检测(UVCCD)。
a4：不论控制输入的条件，IGBT 都关断。
a5：故障输出工作启动。
a6：欠压复位(UVCCR)。
a7：正常工作：IGBT 导通并加载负载电流。
图8. 欠压保护（低端）
Input Signal
Protection
RESET
SET
RESET
Circuit State
UVBSR
b5
b1
UVBSD
b2
Control
Supply Voltage
b3
b4
b6
Output Current
High-level (no fault output)
Fault Output Signal
b1：控制电源电压上升：当电压上升到UVBSR 后，等到下一个输入信号时，对应的电路才开始动作。
b2：正常工作：IGBT 导通并加载负载电流。
b3：欠压检测(UVBSD)。
b4：不论控制输入的条件，IGBT 都关闭，且无故障输出信号。
b5：欠压复位(UVBSR)。
b6：正常工作：IGBT 导通并加载负载电流。
图9. 欠压保护（高端）
©2008 飞兆半导体公司
FSBB20CH60C Rev. 1.6
10
www.fairchildsemi.com
Lower Arms
Control Input
c6
c7
Protection
Circuit State
SET
RESET
Internal IGBT
Gate - Emitter Voltage
c4
c3
c2
SC
c1
c8
Output Current
SC Reference Voltage
Sensing Voltage
of Shunt Resistance
CR Circuit Time
Constant Delay
c5
Fault Output Signal
（包含外部分流电阻和CR 连接）
c1：正常工作：IGBT 导通并加载负载电流。
c2：短路电流感测（SC 触发）。
c3：IGBT 栅极硬中断。
c4：IGBT 关断。
c5：故障输出延时工作启动：故障输出信号的脉宽通过外部电容CFO 设置。
c6：输入“LOW”：IGBT 关断状态。
c7：输入“HIGH”：IGBT 导通，但是在故障输出有效的时间内，IGBT 不导通。
c8：IGBT 关断状态。
图10. 短路电流保护（仅适用于低端的工作）
©2008 飞兆半导体公司
FSBB20CH60C Rev. 1.6
11
www.fairchildsemi.com
+5 V
SPM
RPF = 4.7 ㏀
100 Ω
100 Ω
100 Ω
,
,
IN(UH) IN(VH)
IN
(WH)
,
,
IN(UL) IN(VL)
IN(WL)
MCU
VFO
1 nF
1 nF
1 nF
CPF = 1 nF
COM
图11. 推荐的MCU I/O 接口电路
注：
®
1. 每个输入端的RC 耦合可能随着应用程序中使用的PWM 控制方案和应用程序印刷电路板接线抗阻而改变。Motion SPM 3 产品的输入信号部分集成了典型值为5 k 的下拉电
阻。因此，当使用外部的滤波电阻时，请注意该信号在输入端的压降。
2. 逻辑输入与标准CMOS 或者LSTTL 的输出兼容。
These values depend on PWM control algorithm.
One-Leg Diagram of
Motion SPM 3 Product
P
Vcc VB
0.1 µF
IN
HO
15 V
22 µF
COM VS
Inverter
Output
Vcc
IN
OUT
VSL
1000 µF
1 µF
COM
N
图12. 推荐的自举工作电路和参数
注：
3. 在V - COM 之间的陶瓷电容应大于1 μF，并且应尽可能靠近Motion SPM 3 产品的引脚。
CC
©2008 飞兆半导体公司
FSBB20CH60C Rev. 1.6
12
www.fairchildsemi.com
+5 V +15 V
P (27)
(19) VB(W)
(18) VCC(H)
VB
VCC
COM
IN
OUT
VS
RS
RS
RS
CBS
CBSC
CBSC
CBSC
(17) IN(WH)
(20) VS(W)
W
(26)
Gating WH
Gating VH
Gating UH
CPS
(15) VB(V)
VB
(14) VCC(H)
VCC
COM
IN
OUT
VS
CBS
(13) IN(VH)
(16) VS(V)
V (25)
M
CPS
(11) VB(U)
VB
M
C
U
(10) VCC(H)
VCC
CDCS
Vdc
OUT
VS
COM
IN
CBS
(9) IN(UH)
(12) VS(U)
U (24)
CPS
RF
RPF
(8) CSC
(7) CFOD
(6) VFO
CSC
OUT(WL)
OUT(VL)
C(SC)
C(FOD)
VFO
RSW
NW (23)
NV (22)
NU (21)
RS
RS
CFOD
Fault
(5) IN(WL)
(4) IN(VL)
(3) IN(UL)
Gating WL
Gating VL
Gating UL
IN(WL)
IN(VL)
IN(UL)
RS
RS
RSV
(2) COM
(1) VCC(L)
COM
VCC
CPF
CBPF
CPS
CPS CPS
OUT(UL)
VSL
RSU
CSPC15
CSP15
RFW
RFV
RFU
Input Signal for
Short-Circuit Protection
W-Phase Current
V-Phase Current
U-Phase Current
CFW
CFU
CFV
图13. 典型应用电路
注：
1. 为了避免故障，应尽可能缩短每个输入端的连线（小于2-3 cm）。
®
2. 因为Motion SPM 3 产品内部集成了一个具有特殊功能的HVIC，接口电路与MCU 端口的直接耦合是可行的，不需要任何光耦合器或变压器隔离。
3.
V
输出是集电极开路型。该信号线应当采用4.7 k 电阻上拉至5 V 电源的正极。（请参考图11）。
FO
4. 推荐C
的取值应大于自举电容C 的7 倍左右。
SP15
BS
5.
V
输出脉宽取决于连接在C
（引脚7）和 COM（引脚2）之间的外部电容（C
）。（示例：若 C
= 33 nF，则 t = 1.8 ms（典型值））具体计算方法请参考说明5。
FO
FOD
FOD
FOD FO
6. 输入信号为高电平有效。在IC 中，有一个5 k 的电阻将每一个输入信号线下拉接地。应当采用RC 耦合电路，以避免输入信号振荡。R C 时间常数应该选择在50 ~ 150 ns
S
PS
范围内。C 不应低于1 nF （推荐R = 100 , C = 1 nF）。
PS
S
PS
7. 为避免保护功能出错，应尽可能缩短R 和C 周围的连线。
F
SC
8. 在短路保护电路中，R C 的时间常数应在1.5 ~ 2.0 μs 的范围内进行选择。
F
SC
9. 每个电容都应尽可能地靠近Motion SPM 3 产品的引脚安装。
10. 为防止浪涌的破坏，应尽可能缩短滤波电容和P & GND 引脚间的连线。推荐在P & GND 引脚间使用0.1 ~ 0.22 μF 的高频无感电容。
11. 在各种家用电器设备中，几乎都用到了继电器。在这些情况下，MCU 和继电器之间应留有足够的距离。
12. C
应大于1 μF，并尽可能靠近Motion SPM 3 产品的引脚安装。
SPC15
©2008 飞兆半导体公司
FSBB20CH60C Rev. 1.6
13
www.fairchildsemi.com
ON Semiconductor and
are trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC dba ON Semiconductor or its subsidiaries in the United States and/or other countries.
ON Semiconductor owns the rights to a number of patents, trademarks, copyrights, trade secrets, and other intellectual property. A listing of ON Semiconductor’s product/patent
coverage may be accessed at www.onsemi.com/site/pdf/Patent−Marking.pdf. ON Semiconductor reserves the right to make changes without further notice to any products herein.
ON Semiconductor makes no warranty, representation or guarantee regarding the suitability of its products for any particular purpose, nor does ON Semiconductor assume any liability
arising out of the application or use of any product or circuit, and specifically disclaims any and all liability, including without limitation special, consequential or incidental damages.
Buyer is responsible for its products and applications using ON Semiconductor products, including compliance with all laws, regulations and safety requirements or standards,
regardless of any support or applications information provided by ON Semiconductor. “Typical” parameters which may be provided in ON Semiconductor data sheets and/or
specifications can and do vary in different applications and actual performance may vary over time. All operating parameters, including “Typicals” must be validated for each customer
application by customer’s technical experts. ON Semiconductor does not convey any license under its patent rights nor the rights of others. ON Semiconductor products are not
designed, intended, or authorized for use as a critical component in life support systems or any FDA Class 3 medical devices or medical devices with a same or similar classification
in a foreign jurisdiction or any devices intended for implantation in the human body. Should Buyer purchase or use ON Semiconductor products for any such unintended or unauthorized
application, Buyer shall indemnify and hold ON Semiconductor and its officers, employees, subsidiaries, affiliates, and distributors harmless against all claims, costs, damages, and
expenses, and reasonable attorney fees arising out of, directly or indirectly, any claim of personal injury or death associated with such unintended or unauthorized use, even if such
claim alleges that ON Semiconductor was negligent regarding the design or manufacture of the part. ON Semiconductor is an Equal Opportunity/Affirmative Action Employer. This
literature is subject to all applicable copyright laws and is not for resale in any manner.
PUBLICATION ORDERING INFORMATION
LITERATURE FULFILLMENT:
N. American Technical Support: 800−282−9855 Toll Free
USA/Canada
Europe, Middle East and Africa Technical Support:
Phone: 421 33 790 2910
Japan Customer Focus Center
Phone: 81−3−5817−1050
ON Semiconductor Website: www.onsemi.com
Order Literature: http://www.onsemi.com/orderlit
Literature Distribution Center for ON Semiconductor
19521 E. 32nd Pkwy, Aurora, Colorado 80011 USA
Phone: 303−675−2175 or 800−344−3860 Toll Free USA/Canada
Fax: 303−675−2176 or 800−344−3867 Toll Free USA/Canada
Email: orderlit@onsemi.com
For additional information, please contact your local
Sales Representative
© Semiconductor Components Industries, LLC
www.onsemi.com
相关型号：
©2020 ICPDF网 联系我们和版权申明