FSD156MRBN [ONSEMI]
650V 集成电源开关，带异常 OCP，用于 30W 离线反激转换器;
| 型号： | FSD156MRBN |
| 厂家： | 
ONSEMI |
| 描述： | 650V 集成电源开关，带异常 OCP，用于 30W 离线反激转换器 开关 电源开关 转换器 |
| 文件： | 总18页 (文件大小：898K) |
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2013 年 10 月
FSD156MRBN
绿色模式飞兆电源开关 (FPS™)
特性
说明
FSD156MRBN 是集成式 PWM 控制器和 SenseFET，专
门设计用于外部组件最少的离线开关电源 (SMPS)。
PWM 控制器包括集成式固定频率振荡器、欠压锁定
(UVLO)、前沿消隐 (LEB)、优化的栅极驱动器、内部软
启动、用于环路补偿的温度补偿精密电流源和自保护电
路。与分立式 MOSFET 和 PWM 控制器解决方案相比，
FSD 系列能够降低总成本、组件总数、尺寸和重量，同
时提高效率、生产力和系统可靠性。此器件提供适用于经
济高效的反激式转换器设计的基本平台。
.
.
.
.
低待机功率和低声频噪声的高级软突发模式运行
电磁干扰小的随机频率波动 (RFF)
逐脉冲限流
各种保护功能：过载保护 (OLP)、过压保护
(OVP)、异常过流保护 (AOCP)、带滞回的内部热关
断 (TSD)、输出短路保护 (OSP) 和带滞回的欠压锁
定 (UVLO)
.
.
.
.
.
突发模式下具有低工作电流 (0.4mA)
内部启动电路
内部高压 SenseFET：650V
内置软启动：15ms
自动重启模式
应用
.
用于 LCD 监视器、STB 和 DVD 组合的电源
订购信息
输出功率表(2)
RDS(ON)
（最大值）
230VAC ±15%(3)
85-265VAC
器件编号
封装
工作结温 限流
替换器件
开架式
适配器(4)
开架式
适配器(4)
电源(5)
电源(5)
FSFM300N
FSGM300
-40°C ~
1.60A
FSD156MRBN
8-DIP
26W
40W
20W
30W
2.3
+125°C
注意：
1. 符合 JEDEC J-STD-020B 的无铅封装。
2. 结温可限制最大输出功率。
3. 230VAC 或 100/115VAC，带倍压器。
4. 在 50C 环境温度测量的非通风封闭适配器中的典型持续功率。
5. 50C 环境温度时开架式设计中的最大实际持续功率。
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应用电路
VO
AC
IN
Drain
GND
N.C.
PWM
VCC
FB
图 1.
典型应用电路
内部框图
Drain
VCC
Drain
5
2
6, 7, 8
ICH
Vref
Vburst
0.35V / 0.5V
Soft Burst
Soft Start
VCC good
7.5V / 12V
Random
VCC
Vref
OSC
2.0uA
IDELAY
90uA
IFB
S
R
Q
Q
PWM
Gate
Driver
FB
3
4
3R
R
LEB(300ns)
N.C.
tON<tOSP(1.0μs)
LPF
1
GND
VAOCP
VOSP
S
R
Q
TSD
VSD
7.0V
VCC good
Q
VCC
VOVP
24.5V
FSD156MRBN
图 2.
内部框图
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2
引脚布局
1. GND
2. VCC
3. FB
8. Drain
7. Drain
6. Drain
5. Drain
FSD156MRBN
4. N.C.
图 3.
引脚配置（俯视图）
引脚定义
引脚号
名称
GND
VCC
说明
1
2
接地。此引脚是控制地和 SenseFET 源极。
电源。此引脚是正极电源输入，为启动和稳态工作提供内部工作电流。
反馈。此引脚从内部连接至 PWM 比较器的反相输入。
3
FB
光电耦合器的集电极通常连接至此引脚。为实现稳定工作，应在此引脚和 GND 之间放置一个
电容。如果此引脚的电压达到 7.0V，将触发过载保护，这会关断 FPS™。
4
NC
无连接
5, 6, 7, 8
漏极
SenseFET 漏极。高压功率 SenseFET 漏极连接。
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3
绝对最大额定值
应力超过绝对最大额定值，可能会损坏器件。在超出推荐的工作条件的情况下，该器件可能无法正常工作，所以不建议
让器件在这些条件下长期工作。此外，过度暴露在高于推荐的工作条件下，会影响器件的可靠性。绝对最大额定值仅是
应力规格值。
符号
VDS
VCC
VFB
IDM
参数
最小值
最大值
单位
漏极引脚电压
CC 引脚电压
650
26
V
V
V
反馈引脚电压
脉冲漏极电流
-0.3
10.0
4
V
A
1.9
1.27
190
1.5
150
+125
+150
5
A
TC=25C
IDS
连续开关漏极电流(6)
A
TC=100C
EAS
PD
单脉冲雪崩能量(7)
总功耗 (TC=25C)(8)
最大结温
mJ
W
C
C
C
TJ
工作结温(9)
-40
-55
TSTG
ESD
存储温度
人体放电模型，JESD22-A114
组件充电模型，JESD22-C101
静电放电能力
kV
2
注意：
6. 假定感性负载时重复峰值开关电流：受最大占空比 (DMAX=0.73) 和结温的限制（参见图 4）。
7. L=45mH，启动 TJ=25C。
8. 无限冷却条件（请参见 SEMI G30-88）。
9. 虽然此参数保证 IC 工作，但不保证所有电气特性。
IDS
DMAX
fSW
图 4.
重复峰值开关电流
热阻测试
除非另有规定，否则 TA=25°C。
符号
参数
数值
85
单位
°C/W
°C/W
θJA
ΨJL
结至环境热阻(10)
结至引线热阻(11)
11
注意：
10. JEDEC 建议环境，JESD51-2 和测试板，JESD51-10，具有最小焊盘布局。
11. 在源极引脚 #7 上测量，靠近塑料接口。
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4
电气特性
除非另有规定，否则 TJ = 25C。
符号
参数
工作条件
最小值 典型值 最大值 单位
SenseFET 部分
BVDSS
IDSS
漏极－源极击穿电压
650
V
VCC = 0V, ID = 250A
零栅极电压漏电流
漏源极导通电阻
输入电容(12)
输出电容(12)
上升时间
250
2.2
VDS = 650V, TA = 25C
A
Ω
RDS(ON)
CISS
COSS
tr
VGS=10V, ID =1A
1.8
515
75
VDS = 25V, VGS = 0V, f=1MHz
VDS = 25V, VGS = 0V, f=1MHz
VDS = 325V, ID = 4A, RG=25Ω
VDS = 325V, ID = 4A, RG=25Ω
VDS = 325V, ID = 4A, RG=25Ω
VDS = 325V, ID= 4A, RG=25Ω
pF
pF
ns
ns
ns
ns
26
tf
下降时间
25
td(on)
td(off)
控制部分
fS
导通延迟
14
关断延迟
32
开关频率(12)
开关频率变化(12)
最大占空比
最小占空比
反馈电流源
VCC = 14V, VFB = 4V
-25C < TJ < 125C
VCC = 14V, VFB = 4V
VCC = 14V, VFB = 0V
VFB = 0
61
61
67
±5
67
73
±10
73
kHz
%
fS
DMAX
DMIN
IFB
%
0
%
65
11
90
12
7.5
15
115
13
A
V
VSTART
VSTOP
tSS
VFB = 0V, VCC Sweep
导通后，VFB = 0V
VSTR = 40V, VCC Sweep
UVLO 阈值电压
7.0
8.0
V
内部软启动时间
ms
V
VRECOMM 推荐的 VCC 范围
突发模式部分
13
23
VBURH
0.45
0.30
0.50
0.35
150
0.55
0.40
V
V
VBURL
Hys
突发模式电压
VCC = 14V, VFB Sweep
mV
保护部分
ILIM
峰值漏极限流
关断反馈电压
关断延迟电流
前沿消隐时间(12,14)
过压保护
1.45
6.45
1.2
1.60
7.00
2.0
1.75
7.55
2.8
A
V
di/dt = 300mA/s
VSD
VCC = 14V, VFB Sweep
VCC = 14V, VFB = 4V
IDELAY
tLEB
VOVP
tOSP
A
ns
V
300
24.5
1.0
VCC Sweep
23.0
0.7
26.0
1.3
阈值时间
输出短路保护(12) 阈值 VFB
FB 消隐时间
s
V
当 tON<tOSP且VFB>VOSP
（持续时间超过 tOSP_FB）时
触发 OSP
VOSP
tOSP_FB
TSD
1.8
2.0
2.2
V
2.0
2.5
3.0
s
C
C
关断温度
滞回
125
135
60
145
热关闭温度(12)
THYS
接下页
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5
电气特性(续)
除非另有规定，否则 TJ = 25C。
符号
参数
工作条件
最小值 典型值 最大值 单位
总器件部分
工作电源电流，
IOP
IOPS
VCC = 14V, VFB = 0V
VCC = 14V, VFB = 2V
0.3
1.1
0.4
1.5
120
0.5
1.9
mA
mA
A
（突发模式中的控制部分）
工作开关电流，
（控制部分和 SenseFET 部分）
VCC=11V（在 VCC 达到 VSTART
之前）
ISTART
启动电流
85
155
1.3
ICH
VSTR
启动充电电流
VCC = VFB = 0V, VSTR = 40V
VCC = VFB = 0V, VSTR Sweep
0.7
1.0
26
mA
V
最小 VSTR 电源电压
注意：
12. 这些参数尽管得到保证，但并非 100% 经过生产测试。
13. 平均值。
14. tLEB 包括栅极导通时间。
FSGM300N 和 FSD156MRBN 的比较
功能
FSGM300N
FSD156MRBN
FSD156MRBN 的优势
工作电流
1.5mA
0.4mA
极低待机功率
低输入电压和高输入电压之间的输入功率差极
小。
功率平衡
长 tCLD
极短 tCLD
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6
典型性能特征
特性图在 TA=25°C 时标准化。
1.20
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
0.80
1.20
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
0.80
-40'C -20'C 0'C 25'C 50'C 75'C 90'C 110'C 120'C 125'C
-40'C -20'C 0'C 25'C 50'C 75'C 90'C 110'C 120'C 125'C
Temperature [ °C]
Temperature [ °C]
图 5.
工作电源电流 (IOP) 与 TA
图 6.
工作开关电流 (IOPS) 与 TA
1.20
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
0.80
1.20
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
0.80
-40'C -20'C 0'C 25'C 50'C 75'C 90'C 110'C 120'C 125'C
-40'C -20'C 0'C 25'C 50'C 75'C 90'C 110'C 120'C 125'C
Temperature [ °C]
Temperature [ °C]
图 7.
启动充电电流 (ICH) 与 TA
图 8.
峰值漏极限流 (ILIM) 与 TA
1.40
1.30
1.20
1.10
1.00
0.90
0.80
0.70
0.60
1.20
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
0.80
-40'C -20'C 0'C 25'C 50'C 75'C 90'C 110'C 120'C 125'C
-40'C -20'C 0'C 25'C 50'C 75'C 90'C 110'C 120'C 125'C
Temperature [ °C]
Temperature [ °C]
图 9.
反馈电流源 (IFB) 与 TA
图 10. 关断延迟电流 (IDELAY) 与 TA
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7
典型性能特征
特性图在 TA=25°C 时标准化。
1.20
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
0.80
1.20
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
0.80
-40'C -20'C 0'C 25'C 50'C 75'C 90'C 110'C 120'C 125'C
-40'C -20'C 0'C 25'C 50'C 75'C 90'C 110'C 120'C 125'C
Temperature [ °C]
Temperature [ °C]
图 11.
UVLO 阈值电压 (VSTART) 与 TA
图 12.
UVLO 阈值电压 (VSTOP) 与 TA
1.20
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
0.80
1.20
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
0.80
-40'C -20'C 0'C 25'C 50'C 75'C 90'C 110'C 120'C 125'C
-40'C -20'C 0'C 25'C 50'C 75'C 90'C 110'C 120'C 125'C
Temperature [ °C]
Temperature [ °C]
图 13.
关断反馈电压 (VSD) 与 TA
图 14.
过压保护 (VOVP) 与 TA
1.20
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
0.80
1.20
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
0.80
-40'C -20'C 0'C 25'C 50'C 75'C 90'C 110'C 120'C 125'C
-40'C -20'C 0'C 25'C 50'C 75'C 90'C 110'C 120'C 125'C
Temperature [ °C]
Temperature [ °C]
图 15.
开关频率 (fS) 与 TA
图 16.
最大占空比 (DMAX) 与 TA
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8
功能说明
1. 启动：启动时，内部高压电流源提供内部偏置并对与
3. 反馈控制：此器件采用电流模式控制，如图 18 所示。
通常用光电耦合器（如 FOD817）和电压调节器（如
KA431）组成反馈网络。将反馈电压与 RSENSE 电阻两端
的电压进行比较，可实现开关占空比的控制。当电压调节
器参考引脚电压超出 2.5V 的内部参考电压时，光电耦合
器 LED 电流增加，从而拉下反馈电压并减少漏极电流。
这种情况通常在输入电压提高或输出负载降低时发生。
VCC 引脚连接的外部电容 (CVcc) 充电，如图 17中所示。
当 VCC 达到 12V 时，FSD156MRBN 开始开关操作并且
禁用内部高电压电流源。正常开关操作继续，除非 VCC
低于 7.5V 的停止电压，否则电源通过变压器辅助绕组提
供。
VDC
3.1 逐 脉 冲 限 流 ： 由 于 采 用 电 流 模 式 控 制 ， 通 过
SenseFET 的峰值电流受到 PWM 比较器 (VFB*) 的反向
输入限制，如图 18 所示。假定 90μA 电流源仅流过内
部电阻(3R + R =25kΩ)，二极管 D2 的阴极电压约为
2.8V。由于反馈电压 (VFB) 超过 2.8V 时 D1 受阻，所
以 D2 的最大阴极电压将箝位在此电压值。因此，
SenseFET 的电流峰值将受到限制。
CVcc
VCC
Drain
2
5
ICH
3.2 前沿消隐 (LEB)：内部 SenseFET 导通的那一刻，
初级端电容放电和次级端整流器的反向恢复通常导致高
电流尖峰通过 SenseFET。RSENSE 电阻两端的过大电压
会导致电流模式 PWM 控制中出现不正确的反馈运行状
况。为了抵消这种效应，前沿消隐 (LEB) 电路在
SenseFET 导通后抑制 PWM 比较器达 tLEB (300ns)。
Vref
VCC good
7.5V/12.0V
Internal
Bias
图 17.
启动框图
2. 软启动控制：内部软启动电路在启动后缓慢增大 PWM
比较器反向输入电压以及 SenseFET 电流。典型软启动
时间为 15ms。功率开关器件的脉宽逐渐增加，从而建立
适合变压器、电感器和电容器的正确工作条件。输出电容
上的电压逐渐增加，从而顺畅地建立所需的输出电压。这
有助于防止变压器饱和，并减少启动时次级二级管上的应
力。
Drain
5,6,7,8
Vref
VCC
IDELAY
IFB
OSC
FB
3R
VOUT
VFB
PWM
3
Gate
Driver
D1
D2
FOD817
KA431
*
CFB
R
VFB
LEB(300ns)
OSP
VOSP
RSENSE
VAOCP
GND
AOCP
1
OLP
VSD
图 18.
脉宽调制电路
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FSD156MRBN • Rev. 1.0.0
9
4. 保护电路：FSD156MRBN 具有多个自我保护功能，
如过载保护 (OLP)、异常过流保护 (AOCP)、输出短路保
护 (OSP)、过压保护 (OVP) 和热关断 (TSD)。所有保护
均在自动重启时实施。一旦检测到故障情况，即终止开关
操作并且 SenseFET 保持关断。这会导致 VCC 下降。当
VFB
Overload Protection
7.0V
VCC 降至 7.5V 欠压锁定 (UVLO) 停止电压时，将复位保
B
B
护并且启动电路对 VCC 供电。当 VCC 达到 12.0V 的启动
电压时，FSD156MRBN 恢复正常操作。如果未去除故障
情况，SenseFET 将保持关断并且 VCC 再次降至停止电
压。通过这种方式，自动重启功能可以交替使能和禁用功
率 SenseFET 的开关，直到消除故障条件。由于这些保
护电路都完全集成在 IC 中，无需任何外部元件，因此能
够在不增加成本的情况下提高可靠性。
2.5V
t12= CFB×(7.0-2.5)/Idelay
t1
t2
t
Fault
occurs
Fault
removed
Power
on
VDS
图 20.
过载保护
4.2 异常过流保护 (AOCP)：当次级整流二极管或变压
器引脚短路时，具有极高 di/dt 的陡坡电流可在最小导
通时间内流经 SenseFET。即使 FSD156MRBN 具有
过 载 保 护 ， 在 这 种 异 常 情 况 下 ， 也 不 足 以 保 护
FSD156MRBN，因为在触发 OLP 之前，SenseFET一
直受到严重的电流应力。内部 AOCP 电路如图 21 所
示。当向功率 SenseFET 提供栅极导通信号时，将启
用 AOCP 块，并监控通过感测电阻的电流。电阻两端
的电压与预设 AOCP 电平进行比较。如果感测电阻电
压大于 AOCP 电平，将向 S-R 锁存器提供设定信号，
导致 SMPS 关断。
VCC
12.0V
7.5V
t
Drain
Normal
operation
Fault
situation
Normal
operation
5,6,7,8
OSC
图 19.
自动重启保护波形
3R
PWM
4.1 过载保护 (OLP)：过载定义为因意外异常事件导致
超过其正常电平的负载电流。在这种情况下，应触发
保护电路以保护 SMPS。但是，即使 SMPS 正常工
作，仍可在负载变化期间触发过载保护电路。为了避
免出现这种不必要的工作状况，过载保护电路设计为
仅在一定时间后触发，以确定这是瞬态情况还是真正
的过载情况。由于逐脉冲限流功能，通过 SenseFET
的最大峰值电流受限；因此，最大输入功率通过给定
输入电压来限制。如果输出功耗大于此最大功率，输
出电压 (VOUT) 将降至低于设定电压。这减小了通过光
电耦合器LED的电流，这也减小了光电耦合器晶体管电
流，由此提高了反馈电压 (VFB)。如果 VFB 超过 2.5V，
D1 将受阻并且 2.0µA 电流源开始对 CFB 缓慢充电达。
在这种情况下，VFB 继续增大直至达到 7.0V，然后开
关操作终止，如图 20 所示。关断延迟是使用 2.0µA 对
Gate
Driver
*
R
VFB
LEB(300ns)
RSENSE
Q
S
R
GND
VAOCP
1
Q
VCC good
图 21.
异常过流保护
CFB 从 2.5V 充电至 7.0V 所需的时间。25 ~ 50ms 延迟
通常是大多数应用的延迟时间。此保护在自动重启模
式中实施。
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4.3. 输出短路保护 (OSP)：如果输出短路，具有极高
di/dt 的 陡 坡 电 流 可 在 最 小 导 通 时 间 内 流 经
SenseFET。关断时，这种陡坡电流对 SenseFET 的
漏极带来高压应力。为保护器件不发生这种异常情
况，包括了 OSP。其由检测 VFB 和 SenseFET 导通时
间组成。当 VFB 高于 2.0V 且 SenseFET 导通时间小于
1.0μs 时，此情况被视为异常错误且 PWM 开关关断，
直至 VCC 再次达到 VSTART。异常情况输出短路如图 22
所示。
5. 软突发模式操作：为最大程度地降低待机模式下的功
耗，FSD156MRBN 会进入突发模式。随着负载降低，反
馈电压也会降低。如图 23 所示，反馈电压降至 VBURL
(350mV) 以下时，器件自动进入突发模式。此时，开关
操作将停止，输出电压开始降低，降低的速率取决于待机
电流负载。这会导致反馈电压上升。一旦通过 VBURH
(500mV)，开关操作即恢复。反馈电压然后又降低，接着
重复上述过程。突发模式会交替使能和禁用 SenseFET
的开关操作，从而降低待机模式下的开关损耗。
VO
MOSFET
Drain
Current
Rectifier
Diode
Current
ILIM
VFB*=0.5V
→ VFB=2.0V
*
VFB
ILm
0
t
VFB
0.50V
t
1.0μs
1.0μs
0.35V
tOFF tON
t
output short occurs
IDS
Soft Burst
VOUT
IOUT
0
t
t
OSP triggered
t
OSP
VDS
0
图 22.
输出短路保护
t
4.4 过压保护 (OVP)：如果次级端反馈电路出现故障或
焊接缺陷导致反馈路径开路，通过光电耦合器晶体管的
电流几乎变为零。然后，VFB 将以类似于过载情况的方
式攀升，从而导致强制向 SMPS 提供预设最大电流，
直到触发过载保护。由于向输出端提供了比所需能量更
多的能量，在触发过载保护之前，输出电压可能就超出
了额定电压，从而导致次级端器件击穿。为防止这种情
况，采用了 OVP 电路。通常，VCC 与输出电压成正
比，并且 FSD156MRBN 使用 VCC 而非直接监控输出
电压。如果 VCC 超过 24.5V，将触发 OVP 电路，导致
开关操作终止。为避免在正常工作期间不必要地激活
OVP，VCC 应设计为低于 24.5V。
Switching
disabled
Switching
disabled
t1
t2 t3
t4
图 23.
Burst-Mode Operation
6. 随机频率波动 (RFF)：SMPS 的波动开关频率可将电
能分布在较宽的频率范围内来减少 EMI。EMI 降低量直
接与开关频率变化相关，这从内部加以限制。开关频率由
外部反馈电压和内部自由运行的振荡器在每一个开关瞬间
确定。RFF 在典型开关频率 (67kHz) 附件有效分散 EMI
噪声，并可降低所需的输入电源滤波器的成本以满足
EMI 要求（例如 EN55022）。
IDS
4.5热关断 (TSD)：SenseFET 和芯片上的控制I C 在一
个封装中使控制 IC 检测 SenseFET 的过温变得更简
单。如果温度超过 ~135C，将触发热关断并停止操
作。FSD156MRBN 在自动重启模式中操作，直至温度
降至约 75C，然后恢复正常操作。
fSW
ΔfSW
t(μs)
fSW
fSW+1/2ΔfSW
fSW-1/2ΔfSW
No repetition
t(ms)
图 24.
随机频率波动
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典型应用电路
应用
输入电压
额定输出
额定功率
5.0V(2A)
14.0V(1.3A)
LCD 显示器电源
85 ~ 265VAC
28.2W
重点设计说明
1. 过载保护通过使用 C105 (8.2nF) 使得延迟设计为约 30ms。建议 OLP 时间介于 39ms (12nF) 和 46ms (15nF) 之
间。
2. SMD 类型电容 (C106) 必须尽可能放置在靠近 VCC 引脚的地方，以避免突然脉冲噪声导致的故障和提高 ESD 和浪
涌抗扰度。建议电容介于 100nF 和 220nF 之间。
原理图
L201
5µH
D201
MBRF10H100
T1
EER3016
14V, 1.3A
10
1
2
C201
820µF
25V
C202
820µF
25V
R103
43kΩ
1W
C104
3.3nF
630V
6
D101
1N4007
C103
100µF
400V
3
2
BD101
G2SBA60
C301
2.2nF
Y2
FSD156MRBN
1
5,6,7,8
3
Drain
4
3
N.C.
C107
47µF
50V
D202
L202
C106
100nF
MBRF1060
5µH
VCC
5V, 2A
2
FB
4
5
7
6
4
D102
UF 4004
GND
C204
1000µF
10V
C203
2200µF
10V
C105
15nF
100V
C102
150nF
275VAC
1
ZD101
1N4750A
LF101
15mH
R201
1.5kΩ
R204
8kΩ
R202
1kΩ
R203
18kΩ
C205
47nF
R101
1.5MΩ
1W
IC301
FOD817B
IC201
KA431LZ
RT1
NTC
5D-9
F1
C101
220nF
275VAC
R205
8kΩ
FUSE
250V
2A
图 25.
原理图
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变压器
EER3016
Barrier tape
1
10
9
N15V
1
6
Np/2
N14V
N5V
2
2
3
Np/2
Np/2
Na
8
10
8
8
4
7
3
N5V
N5V
Na
5
6
2
4
5
7
N5V
Np/2
6
TOP
BOT
图 26.
变压器原理图
绕组规格
挡墙
引脚 (S → F)
绕线
匝数
绕线方式
TOP
BOT
Ts
Np /2
3 → 2
0.25φ×1
22
螺线管绕制
-
2.0mm
1
绝缘：聚乙烯胶带，厚度 t = 0.025 mm，2 层
N5V 7 → 6 0.4φ×2 (TIW)
绝缘：聚乙烯胶带，厚度 t = 0.025 mm，2 层
Na 4 → 5 0.2φ×1
绝缘：聚乙烯胶带，厚度 t = 0.025 mm，2 层
N5V 8 → 6 0.4φ×2 (TIW)
绝缘：聚乙烯胶带，厚度 t = 0.025 mm，2 层
N14V 10 → 8 0.4φ×2 (TIW)
绝缘：聚乙烯胶带，厚度 t = 0.025 mm，2 层
Np/2 2 → 1 0.25φ×1
3
8
螺线管绕制
螺线管绕制
螺线管绕制
螺线管绕制
螺线管绕制
-
3.0mm
3.0mm
3.0mm
2.0mm
2.0mm
1
1
1
1
1
4.0mm
-
3
5
22
-
绝缘：聚乙烯胶带，厚度 t = 0.025 mm，2 层
电气特性
引脚
技术规格
备注
电感量
漏感量
1－3
1－3
67kHz, 1V
826H ±6%
15H 最大值
短接全部其它引脚
磁芯和骨架
.
.
磁芯：EER3016 (Ae=109.7mm2)
骨架：EER3016
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材料单
部件编号
数值
备注
部件编号
数值
备注
保险丝
250V 2A
NTC
电容
F101
C101
C102
C103
220nF/275V
150nF/275V
100F/400V
3.3nF/630V
盒 (Pilkor)
盒 (Pilkor)
NTC101
5D-9
DSC
电解 (SamYoung)
C104
薄膜 (Sehwa)
电阻
R101
R103
R201
R202
R203
R204
R205
1.5MΩ, J
43kΩ, J
1.5kΩ, F
1.0kΩ, F
18kΩ, F
8kΩ, F
1W
C105
C106
C107
C201
C202
C203
C204
C205
C301
15nF/100V
100nF
薄膜 (Sehwa)
SMD (2012)
1W
1/4W, 1%
1/4W, 1%
1/4W, 1%
1/4W, 1%
1/4W, 1%
电解 (SamYoung)
电解 (SamYoung)
电解 (SamYoung)
电解 (SamYoung)
电解 (SamYoung)
薄膜 (Sehwa)
47F/50V
820F/25V
820F/25V
2200F/10V
1000F/16V
47nF/100V
2.2nF/Y2
8kΩ, F
Y电容 (Samhwa)
IC
电感
20mH
5H
FPS
FSD156MRBN
KA431LZ
飞兆
飞兆
飞兆
LF101
L201
L202
电源滤波器 0.5Ø
5A 额定值
IC201
IC301
FOD817B
5A 额定值
5H
二极管
变压器
D101
D102
ZD101
D201
1N4007
UF4007
Vishay
Vishay
Vishay
飞兆
T101
826uH
1N4750
MBRF10H100
D202
MBRF1060
G2SBA60
飞兆
BD101
Vishay
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封装尺寸
9.83
9.00
6.67
6.096
8.255
7.61
3.683
3.20
7.62
5.08 MAX
0.33 MIN
3.60
3.00
(0.56)
2.54
0.356
0.20
0.56
0.355
9.957
7.87
1.65
1.27
7.62
NOTES: UNLESS OTHERWISE SPECIFIED
A) THIS PACKAGE CONFORMS TO
JEDEC MS-001 VARIATION BA
B) ALL DIMENSIONS ARE IN MILLIMETERS.
C) DIMENSIONS ARE EXCLUSIVE OF BURRS,
MOLD FLASH, AND TIE BAR EXTRUSIONS.
D) DIMENSIONS AND TOLERANC
ASME Y14.5M-1994
ES PER
E) DRAWING FILENAME AND REVSION: MKT-N08FREV2.
图 27.
8 引脚、MDIP、JEDEC MS-001、300" 宽
封装图纸是作为一项服务而提供给考虑选用飞兆半导体产品的客户。具体参数可能会有变化，且不会做出相应通知。请注意图纸上的
版本和/或日期，并联系飞兆半导体代表核实或获得最新版本。封装规格并不超出飞兆公司全球范围内的条款与条件，尤其指保修，保
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