MMFT2406T1G [ONSEMI]

Power MOSFET; 功率MOSFET
MMFT2406T1G
元器件型号: MMFT2406T1G
生产厂家: ON SEMICONDUCTOR    ON SEMICONDUCTOR
描述和应用:

Power MOSFET
功率MOSFET

晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 光电二极管
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型号参数:MMFT2406T1G参数
是否Rohs认证符合
生命周期Obsolete
IHS 制造商ON SEMICONDUCTOR
零件包装代码TO-261AA
包装说明LEAD FREE, CASE 318E-04, TO-261, 4 PIN
针数4
制造商包装代码CASE 318E-04
Reach Compliance Codeunknown
风险等级5.19
Is SamacsysN
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压240 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)0.7 A
最大漏极电流 (ID)0.7 A
最大漏源导通电阻6 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-261AA
JESD-30 代码R-PDSO-G4
JESD-609代码e3
湿度敏感等级3
元件数量1
端子数量4
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)1.5 W
认证状态Not Qualified
子类别FET General Purpose Powers
表面贴装YES
端子面层Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1