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2220GC273KAT1A  20020111-G132A01LF  3547S-2BC-102B  20020111-H061A01LF  20020111-H07082A01LF  20020111-D111A01LF  20020111-G07083A01LF  20020111-H021A01LF  20020111-H023A01LF  3547S-2AC-102A  
0AT3G 600瓦峰值功率齐纳瞬态电压抑制器 (600 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors)
.型号:   0AT3G
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描述: 600瓦峰值功率齐纳瞬态电压抑制器
600 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors
文件大小 :   163 K    
页数 : 7 页
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品牌   ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
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0AT3G 600瓦峰值功率齐纳瞬态电压抑制器 (600 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors)
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100%
1SMB5.0AT3G系列,
SZ1SMB5.0AT3G系列
600瓦峰值功率齐纳
瞬态电压
抑制器
单向
在SMB系列是专为保护电压敏感
组件由高电压,高能量瞬变。他们有
出色的钳位能力,高浪涌能力,低齐纳
阻抗和快速响应时间。在SMB系列供应
安森美半导体专有的,高性价比,高可靠性
SURMETIC
封装,非常适合于使用在
通信系统,汽车,数字控制,过程
控制,医疗设备,商用机器,电源和
许多其他工业/消费应用。
特点
http://onsemi.com
塑料表面贴装
齐纳管
瞬态抑制器
5.0 V
170 V,
600瓦峰值功率
SMB
CASE 403A
塑料
工作峰值反向电压范围
5.0 V至170 V
标准齐纳击穿电压范围
6.7 V至199 V
峰值功率
600瓦@ 1.0毫秒
ESD额定值3类( > 16千伏)每人体模型
最大钳位电压@峰值脉冲电流
低漏< 5.0
mA
上述10 V
UL 497B用于隔离回路电路保护
响应时间通常是< 1.0纳秒
SZ前缀为汽车和独特需要其他应用程序
站点和控制变化的要求; AEC - Q101标准和
PPAP有能力
无铅包可用*
机械特性
案例:
无空隙,传递模塑,热固性塑料
表面处理:
所有的外部表面耐腐蚀和导线
阴极
阳极
标记图
AYWW
xx
G
G
A
Y
WW
xx
G
=大会地点
=年
=工作周
=设备代码(参见第3页)
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
随手可焊
最大外壳焊接温度的目的:
订购信息
设备
1SMBxxxAT3G
SZ1SMBxxxAT3G
SMB
(无铅)
SMB
(无铅)
航运
2,500 /
磁带&卷轴
2,500 /
磁带&卷轴
260℃ 10秒
信息:
修饰的L形弯曲,提供更多的接触面积,以键合焊盘
极性:
阴极指示的极性带
安装位置:
任何
† 。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
器件标识信息
*有关我们的无铅战略和焊接细节,更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册, SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司, 2012
请参阅该设备的特定标识信息标识
电气特性表的第3页列
此数据表。
2012年2月
启示录13
1
出版订单号:
1SMB5.0AT3/D
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