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1.5SMC6.8AT3系列
1500瓦峰值功率
齐纳瞬态电压
抑制器
单向*
在SMC系列是专为保护电压敏感
组件由高电压,高能量瞬变。他们有
出色的钳位能力,高浪涌能力,低齐纳
阻抗和快速响应时间。在SMC系列供应
安森美半导体专有的,高性价比,高可靠性
Surmetic ™封装,非常适用于通信中使用
系统,汽车,数字控制,过程控制,医疗
设备,商用机器,电源和许多其他
工业/消费应用。
规格特点
http://onsemi.com
塑料表面贴装
齐纳管
瞬态抑制器
5.8
78伏
1500瓦峰值功率
工作峰值反向电压范围
5.8至77.8 V
标准齐纳击穿电压范围
6.8至91 V
峰值功率
1500 W @ 1.0毫秒
ESD等级3级( >16 KV )每人体模型
最大钳位电压@峰值脉冲电流
低漏< 5.0
mA
上述10 V
UL 497B用于隔离回路电路保护
最大温度系数指定
响应时间通常是< 1.0纳秒
无铅包可用
阴极
阳极
SMC
CASE 403
塑料
标记图
AYWW
xxxAG
G
机械特性
案例:
无空隙,传递模塑,热固性塑料
表面处理:
所有的外部表面耐腐蚀和导线
XXXA
随手可焊
最大外壳焊接温度的目的:
260℃ 10秒
信息:
修饰的L形弯曲,提供更多的接触面积,以键合焊盘
极性:
阴极表示通过模压极性缺口
安装位置:
任何
=具体设备守则
(请参阅表第3页)
A
=大会地点
Y
=年
WW =工作周
G
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
订购信息
设备*
1.5SMCxxxAT3
1.5SMCxxxAT3G
SMC
SMC
(无铅)
航运
2500 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
单个设备列出了数据表第3页。
*在“T3”的后缀是指一个13英寸的卷轴。
† 。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
**双向设备将不会在此提供
系列。
©
半导体元件工业有限责任公司, 2009年
2009年10月
启8
1
出版订单号:
1.5SMC6.8AT3/D
1.5SMC6.8AT3系列
最大额定值
等级
峰值功耗(注1 ) @ T
L
= 25 ° C,脉冲宽度= 1毫秒
DC功率耗散@ T
L
= 75°C
测量零引线长度(注2 )
减免上述75℃
热阻,结到铅
DC功率耗散(注3 ) @ T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻结到环境
正向浪涌电流(注4 ) @ T
A
= 25°C
工作和存储温度范围
符号
P
PK
P
D
R
qJL
P
D
R
qJA
I
FSM
T
J
, T
英镑
价值
1500
4.0
54.6
18.3
0.75
6.1
165
200
−65
+150
单位
W
W
毫瓦/°C的
° C / W
W
毫瓦/°C的
° C / W
A
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下,会影响
器件的可靠性。
1. 10 X 1000
女士,
非重复性
2. 1英寸方形铜垫, FR -4板
3, FR- 4电路板,采用安森美半导体的最低建议足迹,如图403的情况下外形尺寸规格。
4. 1/2正弦波(或同等学历方波) , PW = 8.3毫秒,占空比= 4个脉冲每分钟最大。
电气特性
(T
A
= 25°C ,除非
另有说明,V
F
= 3.5 V最大。 @我
F
(注5 ) = 100 A)
符号
I
PP
V
C
V
RWM
I
R
V
BR
I
T
QV
BR
I
F
V
F
参数
最大反向峰值脉冲电流
钳位电压@ I
PP
工作峰值反向电压
最大反向漏电流@ V
RWM
击穿电压@ I
T
测试电流
V的最大温度系数
BR
正向电流
正向电压@ I
F
V
C
V
BR
V
RWM
I
F
I
I
R
V
F
I
T
V
I
PP
单向TVS
5. 1/2正弦波或同等学历, PW = 8.3毫秒的非重复性的责任
周期
http://onsemi.com
2
1.5SMC6.8AT3系列
电气特性
(中列出的设备
粗体,斜体
是安森美半导体的优选设备。 )
V
RWM
(注6 )
V
5.8
6.4
7.02
7.78
8.55
9.4
10.2
11.1
12.8
13.6
15.3
17.1
18.8
20.5
23.1
25.6
28.2
30.8
33.3
36.8
40.2
43.6
47.8
53
58.1
64.1
70.1
77.8
击穿电压
I
R
@ V
RWM
mA
1000
500
200
50
10
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
V
BR
V
(注7 )
6.45
7.13
7.79
8.65
9.5
10.5
11.4
12.4
14.3
15.2
17.1
19
20.9
22.8
25.7
28.5
31.4
34.2
37.1
40.9
44.7
48.5
53.2
58.9
64.6
71.3
77.9
86.5
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91
最大
7.14
7.88
8.61
9.55
10.5
11.6
12.6
13.7
15.8
16.8
18.9
21
23.1
25.2
28.4
31.5
34.7
37.8
41
45.2
49.4
53.6
58.8
65.1
71.4
78.8
86.1
95.5
@ I
T
mA
10
10
10
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
V
C
@ I
PP
(注8)
V
C
V
10.5
11.3
12.1
13.4
14.5
15.6
16.7
18.2
21.2
22.5
25.2
27.7
30.6
33.2
37.5
41.4
45.7
49.9
53.9
59.3
64.8
70.1
77
85
92
103
113
125
I
PP
A
143
132
124
112
103
96
90
82
71
67
59.5
54
49
45
40
36
33
30
28
25.3
23.2
21.4
19.5
17.7
16.3
14.6
13.3
12
QV
BR
%/5C
0.057
0.061
0.065
0.068
0.073
0.075
0.078
0.081
0.084
0.086
0.088
0.09
0.092
0.094
0.096
0.097
0.098
0.099
0.1
0.101
0.101
0.102
0.103
0.104
0.104
0.105
0.105
0.106
设备*
1.5SMC6.8AT3 ,G
1.5SMC7.5AT3 ,G
1.5SMC8.2AT3 ,G
1.5SMC9.1AT3
1.5SMC10AT3
1.5SMC11AT3
1.5SMC12AT3 ,G
1.5SMC13AT3 ,G
1.5SMC15AT3 ,G
1.5SMC16AT3 ,G
1.5SMC18AT3 ,G
1.5SMC20AT3 ,G
1.5SMC22AT3 ,G
1.5SMC24AT3 ,G
1.5SMC27AT3 ,G
1.5SMC30AT3 ,G
1.5SMC33AT3 ,G
1.5SMC36AT3 ,G
1.5SMC39AT3 ,G
1.5SMC43AT3 ,G
1.5SMC47AT3 ,G
1.5SMC51AT3 ,G
1.5SMC56AT3 ,G
1.5SMC62AT3 ,G
1.5SMC68AT3 ,G
1.5SMC75AT3 ,G
1.5SMC82AT3 ,G
1.5SMC91AT3 ,G
设备
记号
6V8A
7V5A
8V2A
9V1A
10A
11A
12A
13A
15A
16A
18A
20A
22A
24A
27A
30A
33A
36A
39A
43A
47A
51A
56A
62A
68A
75A
82A
91A
设备上市
粗体,斜体
是安森美半导体
首选
设备。
首选
装置被推荐用于将来使用和最佳的总体值的选择。
6.瞬态抑制器是根据工作峰值反向电压通常选择(V
RWM
) ,这应该是等于或大于
直流或连续峰值工作电压电平。
7. V
BR
在脉冲测试电流I测量
T
在25 ℃的环境温度下进行。
8.浪涌电流波形图元和2元的通用数据图3减免
1500瓦特在这个组的开始。
*在“G”后缀表示无铅封装。
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3
1.5SMC6.8AT3系列
100
不重复
脉冲波形
如图2中所示
t
r
10
ms
100
值(%)
峰值 - 我
PP
I
PP
2
脉冲宽度(T
P
)是德网络定义
因为这地步PEAK
电流衰减到50 %
PP
.
P
pk
峰值功率(kw )
10
半值 -
50
t
P
1
0.1
ms
1
ms
10
ms
100
ms
t
P
,脉宽
1毫秒
10毫秒
0
0
1
2
吨,时间( ms)的
3
4
图1.脉冲额定值曲线
160
峰值脉冲降额的%
峰值功率或电流@ TA = 25
°
C
140
120
100
80
60
40
20
0
0
25
50
75
100
125
150
1000
I
T
,测试电流(安培)
500
200
100
50
20
10
5
2
1
0.3
T
L
= 25°C
t
P
= 10
ms
图2.脉冲波形
V
BR
( NOM )= 6.8至13 V
20 V
43 V
24 V
75 V
120 V
180 V
0.5 0.7 1
2
3
5
7 10
20
30
T
A
,环境温度( ° C)
DV
BR
,瞬加IN V
BR
上述V
BR
( NOM ) (伏)
图3.脉冲降额曲线
图4.动态阻抗
UL认证
整个系列拥有
美国保险商实验室
承认
为保护器的分类( QVGQ2 )
在安全497B和文件# E210057 UL标准。
很多竞争者只具有一个或两个装置识别
或者在一个非保护性类别的识别。一些
竞争对手也没有承认的。随着UL497B
认可,我们的部分成功地通过多次测试
包括冲击电压击穿测试,耐力
空调,温度测试,绝缘耐压
测试,放电测试,并不仅仅是这些。
然而,一些竞争对手只通过了
可燃性测试程序包的材料,我们已经
公认的更要包括在其保护
类别。
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4
1.5SMC6.8AT3系列
应用笔记
响应时间
在大多数应用中,瞬变抑制器装置是
平行放置,所述设备或组件是
受保护的。在这种情况下,存在相关联的时间延迟
与器件的电容和过冲
与该装置的电感条件相关联,并且
连接方法的电感。电容
作用是不重要的,在并联保护
方案,因为它只产生的时间延迟,在
从操作电压钳位电压作为过渡
在图5中示出。
在器件中的电感效应是由于实际
开启时间(所需要的设备,从零到时间
到全电流)和引线电感电流。这种感性
效应产生的过冲在整个电压
设备或组件的保护,如图
图6.尽量减少这种过冲是在非常重要
应用中,由于主要目的,用于将瞬时
抑制器是为钳位电压峰值。在SMC系列有
一个很好的响应时间,通常为< 1.0 ns到可以忽略不计
电感。但是,外部感应效应可能
产生不可接受的过冲。正确的电路布局,
最小导线长度,并把抑制装置
关闭尽可能的设备或部件是
保护将这种过冲最小化。
由Z表示的一些输入阻抗
in
是必不可少的
防止所述保护装置的过应力。这种阻抗
应尽可能地高,而不限制电路
操作。
占空比降额
图1的数据适用于不重复的条件
并在25 ℃的铅温度。如果占空比增大,
由曲线所指示的峰值功率必须减少
图7.平均功耗必须降低为主角或
环境温度上升到高于25 ℃。平均功率
降额曲线上的数据表,通常给出可能
归一化,并用于此目的。
乍一看图7的降额曲线似乎是
错误为10毫秒的脉冲具有比更高的降额系数
10
ms
脉搏。然而,当一降额因子
图7中的给定的脉冲乘以峰值功率值
图1为相同的脉冲,结果按照
预期的趋势。
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5
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