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BY228  BY229-400  BY228GP  ST145D00  BY228  BY228_10  BY228-15  ST15  ST14DD00  ST15  
BCP69T1G PNP硅外延晶体管 (PNP Silicon Epitaxial Transistor)
.型号:   BCP69T1G
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描述: PNP硅外延晶体管
PNP Silicon Epitaxial Transistor
文件大小 :   119 K    
页数 : 8 页
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品牌   ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
购买 :   
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PDF原版 中文翻译版  
100%
NTD2955 , NVD2955
功率MOSFET
−60
V,
−12
A, P沟道DPAK
这个功率MOSFET被设计成能承受高能量的
雪崩和减刑模式。专为低电压,高
电源供应器,转换器和功率调速开关应用
电机控制。这些器件特别适合好桥梁
电路中的二极管速度和换向安全工作区域
关键的,并提供对意外的附加安全余量
电压瞬变。
特点
http://onsemi.com
V
( BR ) DSS
−60
V
R
DS ( ON)
典型值
155毫瓦@
−10
V, 6的
I
D
最大
−12
A
较高的雪崩能量
I
DSS
和V
DS ( ON)
指定高温
专为低电压,高速开关应用程序和
P- CHANNEL
D
承受高能量的雪崩和减刑模式
NVD前缀为汽车和其他需要的应用
独特的网站和控制变化的要求; AEC- Q101
合格的,有能力PPAP
这些器件是无铅和符合RoHS标准
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
等级
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续
不重复(T
p
10毫秒)
漏电流
漏电流
连续@ T
a
= 25°C
漏电流
单脉冲(T
p
10毫秒)
总功率耗散@ T
a
= 25°C
工作和存储温度
范围
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源
起始物为
J
= 25°C
(V
DD
= 25伏,V
GS
= 10伏,峰值
I
L
= 12 APK , L = 3.0 mH的,R
G
= 25
W)
热阻
结到外壳
结到环境(注1 )
结到环境(注2 )
最大无铅焊接温度的
目的,在1/8 。从案例
10秒
符号
V
DSS
V
GS
V
GSM
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
E
AS
价值
−60
±
20
±
25
−12
−18
55
−55
to
175
216
单位
VDC
VDC
VPK
ADC
APK
W
°C
mJ
1 2
G
S
标记DIAGRAMS
4
4
YWW
NT
2955G
4
YWW
NTP
2955G
4
YWW
NT
2955G
2
3
1 2 3
门漏源
=年
=工作周
= Pb-Free包装
Y
WW
G
出版订单号:
NTD2955/D
3
DPAK
CASE 369C
方式2
2
2
1
1
3
3
门源
来源
4
R
QJC
R
qJA
R
qJA
T
L
2.73
71.4
100
260
° C / W
1
°C
DPAK−3
CASE 369D
方式2
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.当表面安装用1片大小的FR4板
(铜面积= 1.127的
2
).
2.表面安装用最小的FR4板推荐
焊盘尺寸(铜面积= 0.412的
2
).
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第6页。
©
半导体元件工业有限责任公司, 2013
八月, 2013
启示录13
1
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