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BUD42D-1 高速,高增益双极NPN晶体管,抗饱和网络和瞬态电压抑制能力 (High Speed, High Gain Bipolar NPN Transistor with Antisaturation Network and Transient Voltage Suppression Capability)
.型号:   BUD42D-1
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描述: 高速,高增益双极NPN晶体管,抗饱和网络和瞬态电压抑制能力
High Speed, High Gain Bipolar NPN Transistor with Antisaturation Network and Transient Voltage Suppression Capability
文件大小 :   197 K    
页数 : 14 页
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品牌   ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
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100%
BUD42D
高速,高增益
双极NPN晶体管,
抗饱和网络和
瞬态电压
抑制能力
该BUD42D是国家的最先进的双极型晶体管。紧身动态
特点及批次最低蔓延使它非常适合
光镇流器应用。
主要特点:
http://onsemi.com
续流二极管内置在
平直流电流增益
快速开关时间和严格的分配
“ 6西格玛”进程提供了严格的和可重复的参数
价差
环氧会见UL94 , VO @ 1/8“
ESD额定值:机器型号,C ; >400 V
人体模型, 3B ; >8000 V
两个版本:
4安培
650伏
25瓦
功率晶体管
标记DIAGRAMS
4
1 2
3
4
集热器
YWW
BU
D42D
2
1
集热器3
BASE
Emmitter
4
集热器
YWW
BU
D42D
1
3
DPAK
CASE 369D
风格1
2
1
2
3
基地集热器Emmitter
Y
=年
WW
=工作周
BUD43D =器件代码
4
DPAK
DPAK
直引线
DPAK
航运
75单位/铁
75单位/铁
2500磁带&卷轴
出版订单号:
BUD42D/D
BUD42D - 1 :案例369D的插入模式
BUD42D , BUD42DT4 :案例369C的表面贴装模式
最大额定值
等级
集电极 - 发射极耐受电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
- 山顶(注1 )
基极电流 - 连续
- 山顶(注1 )
*器件总功耗@ T
C
= 25_C
*减免上述25℃
工作和存储温度
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
CES
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
D
T
J
, T
英镑
价值
350
650
650
9
4.0
8.0
1.0
2.0
25
0.2
-65〜
+150
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
ADC
ADC
W / ℃,
_C
DPAK
CASE 369C
风格1
典型增益
典型增益@我
C
= 1 A,V
CE
= 2 V
典型增益@我
C
= 0.3 A,V
CE
= 1 V
h
FE
h
FE
13
16
订购信息
设备
热特性
特征
热电阻 - 结到外壳
热电阻 - 结到环境
最大无铅焊接温度的
用途: 1/8“案件从5秒
符号
R
θJC
R
θJA
T
L
价值
5.0
71.4
260
单位
° C / W
° C / W
°C
BUD42D
BUD42D−1
BUD42DT4
1.脉冲测试:脉冲宽度= 5.0毫秒,占空比= 10 %
©
半导体元件工业有限责任公司, 2003
1
2003年8月 - 第2版
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