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BZX84C2V4ET1系列
齐纳稳压器
225 mW的SOT- 23表面贴装
这一系列的齐纳二极管的是提供在方便,表面
贴装塑料SOT- 23封装。这些设备被设计成提供
电压调节以最小的空间要求。他们是很好
适合于各种应用,如蜂窝电话,手持式便携设备,
和高密度的印刷电路板。
规格特点
http://onsemi.com
3
阴极
1
阳极
225毫瓦级别的FR- 4和FR- 5局
齐纳击穿电压范围 - 2.4 V至75 V
包装最优设计自动化委员会汇编
小封装尺寸为高密度应用
ESD等级3级( >16 KV )每人体模型
峰值功率 - 225 W( 8
X
20
女士)
无铅包可用
3
1
2
机械特性
案例:
无空隙,传递模塑,热固性塑料外壳
表面处理:
完成耐腐蚀,易焊
最大外壳焊接温度的目的:
SOT−23
CASE 318
风格8
标记图
260℃ 10秒
极性:
阴极指示的极性带
可燃性等级:
符合UL 94 V -0
1
XXX M
G
G
最大额定值
等级
峰值功耗@ 20
ms
(注1 )
@ T
L
25°C
总功耗的FR- 5局,
(注2 ) @ T
A
= 25°C
25°C以上降额
热阻,结到环境
在氧化铝子总功率耗散
施特拉特, (注3 ) @ T
A
= 25°C
25°C以上降额
热阻,结到环境
结温和存储温度范围
符号
P
pk
P
D
225
1.8
R
qJA
P
D
300
2.4
R
qJA
T
J
, T
英镑
417
-65〜
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
556
mW
毫瓦/°C的
° C / W
最大
225
单位
W
xxx
=器件代码
M
=日期代码*
G
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
*日期代码的方向可能有所不同
在制造地点。
订购信息
设备
BZX84CxxxET1
BZX84CxxxET1G
BZX84CxxxET3
BZX84CxxxET3G
SOT−23
SOT−23
(无铅)
SOT−23
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值(不
正常工作条件下),并同时无效。如果这些限制
超标,设备功能操作不暗示,可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
按照图9 1.非重复性电流脉冲。
2, FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.62英寸
3.氧化铝= 0.4 X 0.3 X 0.024中,99.5%的氧化铝。
SOT- 23万/磁带&卷轴
(无铅)
† 。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
器件标识信息
请参阅该设备的特定标识信息标识
电气特性表的第3页列
此数据表。
©
半导体元件工业有限责任公司, 2005年
1
2005年8月 - 修订版5
出版订单号:
BZX84C2V4ET1/D
BZX84C2V4ET1系列
电气特性
(引脚说明: 1 ,阳极, 2号连接, 3阴极) (T
A
= 25°C
除非另有说明,V
F
= 0.95 V最大。 @我
F
= 10 mA)的
符号
V
Z
I
ZT
Z
ZT
I
R
V
R
I
F
V
F
QV
Z
C
参数
反向击穿电压@ I
ZT
反向电流
最大齐纳阻抗@ I
ZT
反向漏电流@ V
R
反向电压
正向电流
正向电压@ I
F
V的最大温度系数
Z
马克斯。电容@ V
R
= 0且f = 1 MHz的
V
Z
V
R
I
R
V
F
I
ZT
V
I
F
I
齐纳稳压器
http://onsemi.com
2
BZX84C2V4ET1系列
电气特性
(引脚说明: 1 ,阳极, 2号连接, 3阴极) (T
A
= 25 ° C除非另有说明,V
F
= 0.90 V最大。 @我
F
= 10 mA)的
V
Z1
(V)
@ I
ZT1
= 5毫安
(注4 )
设备*
BZX84C2V4ET1 ,G
BZX84C2V7ET1 ,G
BZX84C3V0ET1 ,G
BZX84C3V3ET1 ,G
BZX84C3V6ET1 ,G
BZX84C3V9ET1 ,G
BZX84C4V3ET1 ,G
BZX84C4V7ET1 ,G
BZX84C5V1ET1 ,G
BZX84C5V6ET1 ,G
BZX84C6V2ET1 ,G
BZX84C6V8ET1 ,G
BZX84C7V5ET1 ,G
BZX84C8V2ET1 ,G
BZX84C9V1ET1 ,G
BZX84C10ET1 ,G
BZX84C11ET1 ,G
BZX84C12ET1 ,G
BZX84C13ET1 ,G
BZX84C15ET1 ,G
BZX84C16ET1 ,G
BZX84C18ET1 ,G
BZX84C20ET1 ,G
BZX84C22ET1 ,G
BZX84C24ET1 ,G
设备
记号
BA1
BA2
BA3
BA4
BA5
BA6
BA7
BA9
BB1
BB2
BB3
BB4
BB5
BB6
BB7
BB8
BB9
BC1
BC2
BC3
BC4
BC5
BC6
BC7
BC8
2.2
2.5
2.8
3.1
3.4
3.7
4.0
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
最大
2.6
2.9
3.2
3.5
3.8
4.1
4.6
5.0
5.4
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
V
Z2
(V)
@ I
ZT2
= 1
mA
(注4 )
1.7
1.9
2.1
2.3
2.7
2.9
3.3
3.7
4.2
4.8
5.6
6.3
6.9
7.6
8.4
9.3
10.2
11.2
12.3
13.7
15.2
16.7
18.7
20.7
22.7
最大
2.1
2.4
2.7
2.9
3.3
3.5
4.0
4.7
5.3
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14
15.5
17
19
21.1
23.2
25.5
V
Z3
(V)
@ I
ZT3
= 20毫安
(注4 )
2.6
3.0
3.3
3.6
3.9
4.1
4.4
4.5
5.0
5.2
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.5
13.9
15.4
16.9
18.9
20.9
22.9
最大
3.2
3.6
3.9
4.2
4.5
4.7
5.1
5.4
5.9
6.3
6.8
7.4
8.0
8.8
9.7
10.7
11.8
12.9
14.2
15.7
17.2
19.2
21.4
23.4
25.7
最大
反向
泄漏
当前
V
I
R
@
R
(V)
mA
50
20
10
5.0
5.0
3.0
3.0
3.0
2.0
1.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.2
0.1
0.1
0.1
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
2.0
2.0
4.0
4.0
5.0
5.0
6.0
7.0
8.0
8.0
8.0
10.5
11.2
12.6
14
15.4
16.8
q
VZ
C( pF)的
(毫伏/ K)的
@
@ I
ZT1
± 5毫安
V
R
= 0
f=
最小值最大值为1 MHz
−3.5
−3.5
−3.5
−3.5
−3.5
−3.5
−3.5
−3.5
−2.7
−2
0.4
1.2
2.5
3.2
3.8
4.5
5.4
6.0
7.0
9.2
10.4
12.4
14.4
16.4
18.4
0
0
0
0
0
−2.5
0
0.2
1.2
2.5
3.7
4.5
5.3
6.2
7.0
8.0
9.0
10
11
13
14
16
18
20
22
450
450
450
450
450
450
450
260
225
200
185
155
140
135
130
130
130
130
120
110
105
100
85
85
80
Z
ZT1
(W)
@ I
ZT1
=
5毫安
100
100
95
95
90
90
90
80
60
40
10
15
15
15
15
20
20
25
30
30
40
45
55
55
70
Z
ZT2
(W)
@ I
ZT2
=
1毫安
600
600
600
600
600
600
600
500
480
400
150
80
80
80
100
150
150
150
170
200
200
225
225
250
250
Z
ZT3
(W)
@
I
ZT3
=
20毫安
50
50
50
40
40
30
30
15
15
10
6
6
6
6
8
10
10
10
15
20
20
20
20
25
25
V
Z1
下面
@ I
ZT1
= 2毫安
设备
BZX84C27ET1 ,G
BZX84C30ET1
BZX84C33ET1 ,G
BZX84C36ET1 ,G
BZX84C39ET1 ,G
BZX84C43ET1 ,G
BZX84C47ET1 ,G
BZX84C51ET1 ,G
BZX84C56ET1 ,G
BZX84C62ET1 ,G
BZX84C68ET1 ,G
BZX84C75ET1 ,G
设备
记号
BC9
BD1
BD2
BD3
BD4
BK6
BD5
BD6
BD7
BD8
BD9
BE1
25.1
28
31
34
37
40
44
48
52
58
64
70
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
最大
28.9
32
35
38
41
46
50
54
60
66
72
79
Z
ZT1
下面
@ I
ZT1
=
2毫安
80
80
80
90
130
150
170
180
200
215
240
255
V
Z2
下面
@ I
ZT2
=
0.1毫安
25
27.8
30.8
33.8
36.7
39.7
43.7
47.6
51.5
57.4
63.4
69.4
最大
28.9
32
35
38
41
46
50
54
60
66
72
79
Z
ZT2
下面
@ I
ZT4
=
0.5毫安
300
300
325
350
350
375
375
400
425
450
475
500
V
Z3
下面
@ I
ZT3
= 10毫安
25.2
28.1
31.1
34.1
37.1
40.1
44.1
48.1
52.1
58.2
64.2
70.3
最大
29.3
32.4
35.4
38.4
41.5
46.5
50.5
54.6
60.8
67
73.2
80.2
Z
ZT3
下面
@ I
ZT3
=
10毫安
45
50
55
60
70
80
90
100
110
120
130
140
最大
反向
泄漏
当前
V
I
R
@
R
(V)
mA
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
18.9
21
23.1
25.2
27.3
30.1
32.9
35.7
39.2
43.4
47.6
52.5
q
VZ
(毫伏/ K)的
下面
@ I
ZT1
= 2
mA
21.4
24.4
27.4
30.4
33.4
37.6
42
46.6
52.2
58.8
65.6
73.4
最大
25.3
29.4
33.4
37.4
41.2
46.6
51.8
57.2
63.8
71.6
79.8
88.6
C( pF)的
@ V
R
=0
f=
1兆赫
70
70
70
70
45
40
40
40
40
35
35
35
4.齐纳电压的测量用脉冲测试电流I
Z
在25 ℃的环境温度
*在“G”后缀表示无铅封装。
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3
BZX84C2V4ET1系列
典型特征
8
7
6
5
4
3
2
1
0
V
Z
@ I
ZT
典型的牛逼
C
100
θ
VZ ,温度系数(毫伏/ C)
°
典型的牛逼
C
θ
VZ ,温度系数(毫伏/ C)
°
V
Z
@ I
ZT
10
−1
−2
−3
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
Z
,额定齐纳电压( V)
11
12
1
10
V
Z
,额定齐纳电压( V)
100
图1.温度系数
(温度范围 - 55 ° C至+ 150 ° C)
图2.温度系数
(温度范围 - 55 ° C至+ 150 ° C)
1000
ž ZT ,动态阻抗(
Ω
)
I
Z
= 1毫安
T
J
= 255C
I
Z( AC)
= 0.1 I
Z( DC )
F = 1千赫
1000
IF ,正向电流(mA )
75 V ( MMBZ5267BLT1 )
91 V( MMBZ5270BLT1 )
100
5毫安
20毫安
10
100
10
150°C
1
1
10
V
Z
,额定齐纳电压
100
1
0.4
0.5
75°C 25°C
0°C
1.1
1.2
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
V
F
,正向电压( V)
齐纳电压对图3.影响
齐纳阻抗
图4.典型正向电压
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4
BZX84C2V4ET1系列
典型特征
1000
0 V BIAS
C,电容(pF )
1 V BIAS
T
A
= 25°C
1000
I R ,漏电流(
μ
A)
100
10
1
0.1
+150°C
100
偏压
Ⅴ的50%的
Z
10
0.01
+ 25°C
−55°C
0
10
20
30
40
50
60
70
V
Z
,额定齐纳电压( V)
80
90
0.001
0.0001
1
1
10
V
Z
,额定齐纳电压( V)
100
0.00001
图5.典型电容
图6.典型漏电流
100
I Z ,齐纳电流(mA)
T
A
= 25°C
I Z ,齐纳电流(mA)
10
100
T
A
= 25°C
10
1
1
0.1
0.1
0.01
0
2
4
6
8
V
Z
齐纳电压(V)
10
12
0.01
10
30
50
70
V
Z
齐纳电压(V)
90
图7.齐纳电压与稳压电流
(V
Z
高达12 V )
100
%的峰值脉冲电流
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
20
40
t
P
t
r
图8.齐纳电压与稳压电流
( 12 V至91 V)
高峰值I
RSM
@ 8
ms
脉冲宽度(T
P
)是德网络定义
因为这地步
峰值电流衰减= 8
ms
半值我
RSM
/2 @ 20
ms
60
80
吨,时间( ms)的
图9. 8
×
20
ms
脉冲波形
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5
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