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DTC124XET1G 偏置电阻晶体管NPN硅表面贴装晶体管与单片偏置电阻网络 (Bias Resistor Transistor NPN Silicon Surface Mount Transistor with Monolithic Bias Resistor Network)
.型号:   DTC124XET1G
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描述: 偏置电阻晶体管NPN硅表面贴装晶体管与单片偏置电阻网络
Bias Resistor Transistor NPN Silicon Surface Mount Transistor with Monolithic Bias Resistor Network
文件大小 :   92 K    
页数 : 11 页
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品牌   ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
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PDF原版 中文翻译版  
100%
DTC114EET1系列
偏置电阻晶体管
NPN硅表面贴装晶体管
与单片偏置电阻网络
此新系列数字晶体管被设计为替代单一
设备及其外部电阻偏置网络。快速公交系统(偏置电阻
晶体管),包含一个带有整体式偏置网络的单个晶体管
由两个电阻器;一系列的基极电阻和基极 - 发射极
电阻器。快速公交系统通过消除了这些个别组件
它们集成到单个设备中。使用BRT可以减少
系统成本和电路板空间。该设备被容纳在
SC - 75 / SOT- 416封装,专为低功耗表面
安装应用程序。
特点
http://onsemi.com
NPN硅
偏置电阻晶体管
简化网络连接的ES电路设计
板级空间缩小
减少了元件数量
在SC - 75 / SOT- 416封装可以焊接使用波或
回流
在修改后的鸥翼引线吸收热应力
焊接消除损伤到芯片的可能性
无铅包可用
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
价值
50
50
100
单位
VDC
VDC
MADC
销1
BASE
(输入)
3脚
集热器
(输出)
R1
R2
销2
辐射源
(接地)
3
2
1
SC- 75 ( SOT- 416 )
CASE 463
风格1
热特性
等级
器件总功耗,
FR- 4板(注1 ) @ T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻,
结到环境(注1 )
器件总功耗,
FR- 4板(注2 ) @ T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻,
结到环境(注2 )
结温和存储温度
范围
符号
P
D
200
1.6
R
qJA
P
D
300
2.4
R
qJA
T
J
, T
英镑
400
-55到+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
=具体设备守则
XX = (参见第2页)
M
=日期代码*
G
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
*日期代码的方向可能有所不同
在制造地点。
xx
600
mW
毫瓦/°C的
° C / W
XX M
G
G
价值
单位
标记图
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1. FR-4 @最低垫
2. FR- 4 @ 1.0
×
1.0英寸的垫
订购信息
查看详细的订购,标记,并在发货信息
包装尺寸本数据手册的第2页上的一节。
©
半导体元件工业有限责任公司, 2006年
1
2006年3月 - 修订版8
出版订单号:
DTC114EET1/D
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