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DTC124XET1G 偏置电阻晶体管NPN硅表面贴装晶体管与单片偏置电阻网络 (Bias Resistor Transistor NPN Silicon Surface Mount Transistor with Monolithic Bias Resistor Network)
.型号:   DTC124XET1G
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描述: 偏置电阻晶体管NPN硅表面贴装晶体管与单片偏置电阻网络
Bias Resistor Transistor NPN Silicon Surface Mount Transistor with Monolithic Bias Resistor Network
文件大小 :   92 K    
页数 : 11 页
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100%
DTC114EET1系列
电气特性 - DTC114YET1
VCE (SAT) ,集电极最大电压(伏)
1
的hFE , DC电流增益(标准化)
I
C
/I
B
= 10
T
A
= −25°C
25°C
75°C
300
250
200
150
100
50
0
1
2
4
6
8 10 15 20 40 50 60 70 80
I
C
,集电极电流(毫安)
90 100
V
CE
= 10
T
A
= 75°C
25°C
−25°C
0.1
0.01
0.001
0
20
40
60
I
C
,集电极电流(毫安)
80
图23. V
CE ( SAT )
与我
C
图24.直流电流增益
4
3.5
COB,电容(pF )
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
0
2
4
6 8 10 15 20 25 30 35
V
R
,反向偏置电压(伏)
40
45
50
F = 1 MHz的
l
E
= 0 V
T
A
= 25°C
100
T
A
= 75°C
IC ,集电极电流(毫安)
25°C
−25°C
10
V
O
= 5 V
1
0
2
4
6
V
in
,输入电压(伏)
8
10
图25.输出电容
图26.输出电流与输入电压
10
V
O
= 0.2 V
V在,输入电压(伏)
T
A
= −25°C
25°C
75°C
1
0.1
0
10
20
30
I
C
,集电极电流(毫安)
40
50
图27.输入电压与输出电流
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9
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