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CWD4825ESH-10  CWD4850EPS-10  CWD4825PH  CWD4850EPSH  CWD4850ES  CWD4825EP  CWD4850ESH-10  CWD48125PS  CWD48125PS-10  CWD48125EP-10  
MAC4DSN-001 硅双向晶闸管 (SILICON BIDIRECTIONAL THYRISTORS)
.型号:   MAC4DSN-001
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描述: 硅双向晶闸管
SILICON BIDIRECTIONAL THYRISTORS
文件大小 :   129 K    
页数 : 8 页
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品牌   ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
购买 :   
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100%
MAC4DSM , MAC4DSN
首选设备
双向可控硅
硅双向晶闸管
设计用于高容量,低成本,工业和消费
应用,例如马达控制;过程控制;温度,光
和速度控制。
特点
http://onsemi.com
小尺寸表面贴装封装DPAK
钝化死的可靠性和一致性
阻断电压为800 V
通态电流额定值的4.0安培RMS在108℃
低IGT - 最大10 mA 3象限
高抗dv / dt的 - 50 V / ms的125°C
环氧符合UL 94 V- 0 @ 0.125
ESD额定值:人体模型, 3B
u
8000 V
机器型号,C
u
400 V
双向可控硅
4.0安培RMS
600 - 800伏
MT2
G
MT1
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
等级
重复峰值断态电压
(注1 ) (T
J
= -40〜 125 ℃,正弦波,
50至60赫兹,门打开)
MAC4DSM
MAC4DSN
开启状态RMS电流
(完整周期的正弦波, 60赫兹,
T
C
= 108°C)
峰值不重复浪涌电流
(一个完整周期的正弦波, 60赫兹,
T
J
= 125°C)
电路熔断思考
(T = 8.3毫秒)
峰值功率门
(脉冲宽度
10
毫秒,
T
C
= 108°C)
平均功耗门
(T = 8.3毫秒,T
C
= 108°C)
栅极峰值电流
(脉冲宽度
10
毫秒,
T
C
= 108°C)
峰值栅极电压
(脉冲宽度
10
毫秒,
T
C
= 108°C)
工作结温范围
存储温度范围
符号
V
DRM ,
V
RRM
600
800
I
T( RMS )
4.0
A
价值
单位
V
1 2
3
4
DPAK
CASE 369C
类型6
记号
图表
YWW
AC
4DSx
4
DPAK−3
CASE 369D
类型6
2
3
Y
WW
x
=年
=工作周
= M或N
YWW
AC
4DSx
I
TSM
40
A
1
I
2
t
P
GM
P
G( AV )
I
GM
V
GM
T
J
T
英镑
6.6
0.5
0.1
0.2
5.0
-40至125
-40至150
A
2
美国证券交易委员会
W
W
1
A
V
°C
°C
2
3
4
引脚分配
主终端1
主终端2
主终端2
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值(不
正常工作条件下),并同时无效。如果这些限制
超标,设备功能操作不暗示,可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1. V
DRM
和V
RRM
对于所有类型的可以在一个连续的基础上被应用。闭塞
电压不得与恒定电流源,使得测试
该器件的额定电压都超标。
©
半导体元件工业有限责任公司, 2004年
1
2004年8月 - 第4版
出版订单号:
MAC4DSM/D
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