MAX34334CSE 第1页-第5页 PDF中文翻译页面详情预览
MBT2222ADW1T1G
通用晶体管
NPN硅
特点
湿度敏感度等级: 1
这些器件是无铅,无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS
柔顺
(3)
http://onsemi.com
(2)
(1)
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
连续
静电放电
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
ESD
价值
40
75
6.0
600
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
(4)
(5)
(6)
Q
1
Q
2
HBM等级2
MM B类
1
热特性
特征
总包耗散(注1 ) ,
T
A
= 25°C
热阻,
结到环境
结温和存储温度
符号
P
D
R
qJA
T
J
, T
英镑
最大
150
833
−55
+150
单位
mW
° C / W
°C
SC−88/SC70−6/SOT−363
CASE 419B
风格1
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.装置安装在FR4玻璃环氧树脂印刷电路板使用的最小
推荐的足迹。
标记图
6
1P M
G
G
1
1P
=具体设备守则
M
=日期代码
G
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
订购信息
设备
航运
3000 /
磁带&卷轴
MBT2222ADW1T1G SOT- 363
(无铅)
† 。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
©
半导体元件工业有限责任公司, 2009年
2009年10月
第4版
1
出版订单号:
MBT2222ADW1T1/D
MBT2222ADW1T1G
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
特征
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压,
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
(I
C
= 10 MADC ,我
B
= 0)
(I
C
= 10
MADC ,
I
E
= 0)
(I
E
= 10
MADC ,
I
C
= 0)
(V
CE
= 60 VDC ,V
EB (O FF )
= 3.0伏)
(V
CB
= 60 VDC ,我
E
= 0)
(V
CB
= 60 VDC ,我
E
= 0, T
A
= 125°C)
(V
EB
= 3.0伏,我
C
= 0)
(V
CE
= 60 VDC ,V
EB (O FF )
= 3.0伏)
V
( BR ) CEO
V
( BR ) CBO
V
( BR ) EBO
I
CEX
I
CBO
40
75
6.0
10
0.01
10
100
20
VDC
VDC
VDC
NADC
MADC
符号
最大
单位
发射Cuto FF电流
基地截止电流
基本特征
直流电流增益
I
EBO
I
BL
h
FE
NADC
NADC
(I
C
= 0.1 MADC ,V
CE
= 10 VDC )
(I
C
= 1.0 MADC ,V
CE
= 10 VDC )
(I
C
= 10 MADC ,V
CE
= 10 VDC )
(I
C
= 10 MADC ,V
CE
= 10 VDC ,T
A
=
−55°C)
(I
C
= 150 MADC ,V
CE
= 10 VDC ) (注2 )
(I
C
= 150 MADC ,V
CE
= 1.0伏) (注2 )
(I
C
= 500 MADC ,V
CE
= 10 VDC ) (注2 )
(I
C
= 150 MADC ,我
B
= 15 MADC )
(I
C
= 500 MADC ,我
B
= 50 MADC )
(I
C
= 150 MADC ,我
B
= 15 MADC )
(I
C
= 500 MADC ,我
B
= 50 MADC )
35
50
75
35
100
50
40
0.6
300
0.3
1.0
1.2
2.0
集电极 - 发射极饱和电压(注2 )
V
CE ( SAT )
VDC
基射极饱和电压(注2 )
V
BE ( SAT )
VDC
小信号特性
电流增益
带宽积(注3 )
(I
C
= 20 MADC ,V
CE
= 20伏, F = 100兆赫)
输出电容
输入电容
输入阻抗
(V
CB
= 10 VDC ,我
E
= 0中,f = 1.0 MHz)的
(V
EB
= 0.5伏,我
C
= 0中,f = 1.0 MHz)的
(I
C
= 1.0 MADC ,V
CE
= 10 VDC , F = 1.0千赫)
(I
C
= 10 MADC ,V
CE
= 10 VDC , F = 1.0千赫)
(I
C
= 1.0 MADC ,V
CE
= 10 VDC , F = 1.0千赫)
(I
C
= 10 MADC ,V
CE
= 10 VDC , F = 1.0千赫)
(I
C
= 1.0 MADC ,V
CE
= 10 VDC , F = 1.0千赫)
(I
C
= 10 MADC ,V
CE
= 10 VDC , F = 1.0千赫)
(I
C
= 1.0 MADC ,V
CE
= 10 VDC , F = 1.0千赫)
(I
C
= 10 MADC ,V
CE
= 10 VDC , F = 1.0千赫)
(I
E
= 20 MADC ,V
CB
= 20伏, F = 31.8兆赫)
(I
C
= 100
MADC ,
V
CE
= 10伏,R
S
= 1.0千瓦, F = 1.0千赫)
f
T
C
敖包
C
IBO
h
ie
300
2.0
0.25
50
75
5.0
25
8.0
25
8.0
1.25
8.0
4.0
300
375
35
200
150
4.0
兆赫
pF
pF
kW
电压反馈比例
h
re
X 10
4
小信号电流增益
h
fe
输出导纳
h
oe
毫姆欧
集电极基时间常数
噪声系数
RB ,C
c
NF
ps
dB
开关特性
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
(V
CC
= 30伏直流电,V
BE (OFF)的
=
0.5伏,
I
C
= 150 MADC ,我
B1
= 15 MADC )
(V
CC
= 30伏直流电,我
C
= 150 MADC ,
I
B1
= I
B2
= 15 MADC )
t
d
t
r
t
s
t
f
10
25
225
60
ns
ns
2.脉冲测试:脉冲宽度
300
女士,
占空比
2.0%.
3. f
T
被定义为频率在哪些| H
fe
|推断团结。
http://onsemi.com
2
MBT2222ADW1T1G
切换时间等效测试电路
+ 30 V
+16 V
0
-2 V
1.0-100
女士,
占空比
2.0%
1 KW
& LT ; 2纳秒
200
+16 V
0
C
S
* < 10 pF的
-14 V
< 20纳秒
1k
1N914
C
S
* < 10 pF的
1.0-100
女士,
占空比
2.0%
+ 30 V
200
-4 V
范围上升时间< 4纳秒
*测试夹具,连接器和示波器的总并联电容。
图1.开启时间
图2.开启,关闭时间
1000
700
500
的hFE , DC电流增益
300
200
T
J
= 125°C
25°C
100
70
50
30
20
10
0.1
-55°C
V
CE
= 1.0 V
V
CE
= 10 V
0.2
0.3
0.5 0.7
1.0
2.0
3.0
5.0 7.0 10
20 30
I
C
,集电极电流(毫安)
50
70
100
200
300
500 700 1.0
k
图3.直流电流增益
VCE ,集电极 - 发射极电压(伏)
1.0
T
J
= 25°C
0.8
0.6
I
C
= 1.0毫安
10毫安
150毫安
500毫安
0.4
0.2
0
0.005
0.01
0.02 0.03
0.05
0.1
0.2
0.3
0.5
1.0
I
B
,基极电流(毫安)
2.0
3.0
5.0
10
20
30
50
图4.集电极饱和区
http://onsemi.com
3
MBT2222ADW1T1G
200
100
70
50
T, TIME ( NS )
30
20
10
7.0
5.0
3.0
2.0
5.0 7.0
10
20 30
50 70 100
200 300
I
C
,集电极电流(毫安)
500
I
C
/I
B
= 10
T
J
= 25°C
t
r
@ V
CC
= 30 V
t
d
@ V
EB (O FF )
= 2.0 V
t
d
@ V
EB (O FF )
= 0
500
300
200
100
70
50
30
20
10
7.0
5.0
5.0 7.0 10
20 30
50 70 100
200
I
C
,集电极电流(毫安)
300
500
t′
s
= t
s
- 1/8 t
f
V
CC
= 30 V
I
C
/I
B
= 10
I
B1
= I
B2
T
J
= 25°C
T, TIME ( NS )
t
f
图5.开启时间
图6.开启,关闭时间
10
8.0
I
C
= 1.0毫安,R
S
= 150
W
500
毫安,
R
S
= 200
W
100
毫安,
R
S
= 2.0千瓦
50
毫安,
R
S
= 4.0千瓦
R
S
=优化
R
S
=
来源
R
S
=
阻力
10
F = 1.0千赫
8.0
NF ,噪声系数(dB )
I
C
= 50
mA
100
mA
500
mA
1.0毫安
NF ,噪声系数(dB )
6.0
6.0
4.0
4.0
2.0
2.0
0
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2
0.5 1.0 2.0
5.0 10
20
50 100
0
50
100 200
500 1.0 k 2.0 k
5.0 k 10 k 20 k
50 k 100 k
男,频率(KHz )
R
S
,源电阻(欧姆)
图7.频率的影响
F T ,电流增益带宽积(兆赫)
图8.源电阻的影响
30
20
电容(pF)
C
eb
10
7.0
5.0
C
cb
3.0
2.0
0.1
0.2 0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0 5.0 7.0 10
反向电压(伏)
20 30
50
500
V
CE
= 20 V
T
J
= 25°C
300
200
100
70
50
1.0
2.0
3.0
5.0 7.0 10
20 30
I
C
,集电极电流(毫安)
50
70 100
图9.的电容
图10.电流增益带宽积
http://onsemi.com
4
MBT2222ADW1T1G
1.0
T
J
= 25°C
0.8
V
BE ( SAT )
@ I
C
/I
B
= 10
0.6
V
BE(上)
@ V
CE
= 10 V
0.4
1.0 V
系数(MV /
°
C)
V,电压(V )
0
- 0.5
- 1.0
- 1.5
- 2.0
V
CE ( SAT )
@ I
C
/I
B
= 10
0
- 2.5
0.1 0.2
0.5 1.0 2.0 5.0 10 20
50 100 200
I
C
,集电极电流(毫安)
500 1.0 k
0.1 0.2
0.5
1.0 2.0
5.0 10 20
50 100 200
I
C
,集电极电流(毫安)
500
R
QVB
对于V
BE
R
QVC
对于V
CE ( SAT )
+0.5
0.2
图11. “开”电压
图12.温度系数
http://onsemi.com
5
相关元器件产品Datasheet PDF文档

MBT27HS

Features & Benefits
暂无信息
13 ETC

MBT27SS

Features & Benefits
暂无信息
16 ETC

MBT27XHS

Features & Benefits
暂无信息
16 ETC

MBT2907ADW

Dual General Purpose Transistor PNP+PNP Silicon
112 WEITRON

MBT33HS

Features & Benefits
暂无信息
25 ETC