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MBT3904DW1T1G,
MBT3904DW2T1G
双路通用
晶体管
该MBT3904DW1T1G和MBT3904DW2T1G设备是
分拆了流行的SOT -23 / SOT- 323三含铅器件。这是
设计用于通用放大器应用和被容纳在
采用SOT -363六引线表面贴装封装。通过把两个
在一个封装分立器件,该器件非常适合于低功耗
表面贴装应用中的电路板空间非常珍贵。
特点
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记号
6
6
1
SOT−363/SC−88/
SC70−6
CASE 419B
1
XX MG
G
h
FE
, 100−300
低V
CE ( SAT )
,
0.4 V
简化网络连接的ES电路设计
板级空间缩小
减少了元件数量
提供8毫米, 7寸/ 3000单位磁带和卷轴
这些器件是无铅,无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS
柔顺
XX = MA的MBT3904DW1T1G
MJ的MBT3904DW2T1G
M =日期代码
G
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
(3)
(2)
(1)
最大额定值
等级
集热器
:辐射源
电压
集热器
: BASE
电压
辐射源
: BASE
电压
集电极电流
连续
静电放电
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
ESD
价值
40
60
6.0
200
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
Q
1
Q
2
(4)
(5)
MBT3904DW1T1
风格1
(3)
(2)
(6)
HBM等级2
MM B类
(1)
Q
2
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定
英格斯的压力额定值只。以上推荐OP-功能操作
的工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的重新讲
表彰工作条件可能会影响器件的可靠性。
Q
1
热特性
特征
总包耗散(注1 )
T
A
= 25°C
热阻,
结到环境
结存储
温度范围
符号
P
D
R
qJA
T
J
, T
英镑
最大
150
833
−55
+150
单位
mW
° C / W
°C
(4)
(5)
MBT3904DW2T1
27风格
(6)
订购信息
设备
航运
3000 /
磁带&卷轴
3000 /
磁带&卷轴
MBT3904DW1T1G SOT- 363
(无铅)
MBT3904DW2T1G SOT- 363
(无铅)
1.装置安装在FR4玻璃环氧树脂印刷电路板使用的最小
推荐的足迹。
† 。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
©
半导体元件工业有限责任公司, 2010
2010年10月
启示录7
1
出版订单号:
MBT3904DW1T1/D
MBT3904DW1T1G , MBT3904DW2T1G
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
特征
符号
最大
单位
开关特性
集热器
:辐射源
击穿电压(注2 )
(I
C
= 1.0 MADC ,我
B
= 0)
集热器
: BASE
击穿电压
(I
C
= 10
MADC ,
I
E
= 0)
辐射源
: BASE
击穿电压
(I
E
= 10
MADC ,
I
C
= 0)
基地截止电流
(V
CE
= 30伏直流电,V
EB
= 3.0伏)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 30伏直流电,V
EB
= 3.0伏)
V
( BR ) CEO
V
( BR ) CBO
V
( BR ) EBO
I
BL
I
CEX
VDC
40
60
6.0
VDC
VDC
NADC
50
NADC
50
基本特征
(注2 )
直流电流增益
(I
C
= 0.1 MADC ,V
CE
= 1.0伏)
(I
C
= 1.0 MADC ,V
CE
= 1.0伏)
(I
C
= 10 MADC ,V
CE
= 1.0伏)
(I
C
= 50 MADC ,V
CE
= 1.0伏)
(I
C
= 100 MADC ,V
CE
= 1.0伏)
集热器
:辐射源
饱和电压
(I
C
= 10 MADC ,我
B
= 1.0 MADC )
(I
C
= 50 MADC ,我
B
= 5.0 MADC )
BASE
:辐射源
饱和电压
(I
C
= 10 MADC ,我
B
= 1.0 MADC )
(I
C
= 50 MADC ,我
B
= 5.0 MADC )
h
FE
40
70
100
60
30
0.65
300
VDC
0.2
0.3
VDC
0.85
0.95
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
小信号特性
当前
- 获得 -
带宽积
(I
C
= 10 MADC ,V
CE
= 20伏, F = 100兆赫)
输出电容
(V
CB
= 5.0伏,我
E
= 0中,f = 1.0 MHz)的
输入电容
(V
EB
= 0.5伏,我
C
= 0中,f = 1.0 MHz)的
输入阻抗
(V
CE
= 10 VDC ,我
C
= 1.0 MADC , F = 1.0千赫)
电压反馈比例
(V
CE
= 10 VDC ,我
C
= 1.0 MADC , F = 1.0千赫)
“信号
电流增益
(V
CE
= 10 VDC ,我
C
= 1.0 MADC , F = 1.0千赫)
输出导纳
(V
CE
= 10 VDC ,我
C
= 1.0 MADC , F = 1.0千赫)
噪声系数
(V
CE
= 5.0伏,我
C
= 100
MADC ,
R
S
= 1.0 k
W,
F = 1.0千赫)
2.脉冲测试:脉冲宽度
300
女士;
占空比
2.0%.
f
T
C
敖包
C
IBO
h
ie
兆赫
300
1.0
2.0
0.5
0.1
100
100
1.0
3.0
pF
4.0
pF
8.0
10
12
8.0
10
400
400
40
60
5.0
4.0
毫姆欧
k
W
h
re
X 10
4
h
fe
h
oe
NF
dB
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2
MBT3904DW1T1G , MBT3904DW2T1G
开关特性
特征
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
(V
CC
= 3.0伏,V
BE
=
0.5伏)
(I
C
= 10 MADC ,我
B1
= 1.0 MADC )
(V
CC
= 3.0伏,我
C
= 10 MADC )
(I
B1
= I
B2
= 1.0 MADC )
符号
t
d
t
r
t
s
t
f
最大
35
35
200
50
单位
ns
ns
占空比= 2 %
300纳秒
+3 V
+10.9 V
10 k
275
10 <吨
1
& LT ; 500
ms
占空比= 2 %
t
1
+3 V
+10.9 V
275
10 k
0
- 0.5 V
& LT ; 1纳秒
C
s
< 4 PF *
- 9.1 V′
& LT ; 1纳秒
1N916
C
s
< 4 PF *
*测试夹具和连接器共有并联电容
图1.延迟和上升时间
等效测试电路
图2.存储和下降时间
等效测试电路
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3
MBT3904DW1T1G , MBT3904DW2T1G
典型的瞬态特性
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
10
7.0
电容(pF)
Q, CHARGE ( PC)
5.0
C
IBO
3.0
2.0
C
敖包
5000
3000
2000
1000
700
500
300
200
100
70
50
Q
T
Q
A
V
CC
= 40 V
I
C
/I
B
= 10
1.0
0.1
0.2 0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20 30 40
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
30
50 70 100
200
反向偏置电压(伏)
I
C
,集电极电流(毫安)
图3.电容
500
300
200
100
70
50
30
20
10
7
5
t
d
@ V
OB
= 0 V
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
30
2.0 V
50 70 100
200
40 V
15 V
10
7
5
I
C
/I
B
= 10
500
300
200
吨R,上升时间( NS )
100
70
50
30
20
图4.收费数据
V
CC
= 40 V
I
C
/I
B
= 10
时间(纳秒)
t
r
@ V
CC
= 3.0 V
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
30
50 70 100
200
I
C
,集电极电流(毫安)
I
C
,集电极电流(毫安)
图5.打开
ΔON
时间
500
300
200
吨S,存储时间(纳秒)
100
70
50
30
20
10
7
5
I
C
/I
B
= 20
I
C
/I
B
= 10
I
C
/I
B
= 20
I
C
/I
B
= 10
500
300
200
图6.上升时间
t′
s
= t
s
-
1
/
8
t
f
I
B1
= I
B2
五六,下降时间( NS )
V
CC
= 40 V
I
B1
= I
B2
I
C
/I
B
= 20
100
70
50
30
20
10
7
5
I
C
/I
B
= 10
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
30
50 70 100
200
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
30
50 70 100
200
I
C
,集电极电流(毫安)
I
C
,集电极电流(毫安)
图7.储存时间
图8.下降时间
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4
MBT3904DW1T1G , MBT3904DW2T1G
典型的音频小信号特性
噪声系数变异
(V
CE
= 5.0伏,T
A
= 25 ℃,带宽= 1.0赫兹)
12
10
NF ,噪声系数(dB )
8
6
4
2
0
0.1
源电阻= 500
W
I
C
= 100
mA
0.2
0.4
1.0
2.0
4.0
10
20
40
100
源电阻= 200
W
I
C
= 1.0毫安
NF ,噪声系数(dB )
源电阻= 200
W
I
C
- 0.5毫安
源电阻= 1.0 ķ
I
C
= 50
mA
14
F = 1.0千赫
12
10
8
6
4
2
0
0.1
0.2
0.4
1.0
2.0
4.0
10
20
40
100
I
C
= 100
mA
I
C
= 1.0毫安
I
C
- 0.5毫安
I
C
= 50
mA
男,频率(KHz )
R
S
,源电阻(千欧)
图9.噪声系数
图10.噪声系数
h参数值
(V
CE
= 10 VDC , F = 1.0千赫,T
A
= 25°C)
300
锄头,输出导纳(
m
姆欧)
5.0
10
100
50
^ h FE ,电流增益
200
20
10
5
100
70
50
2
1
30
0.1
0.2
0.3
0.5
1.0
2.0 3.0
I
C
,集电极电流(毫安)
0.1
0.2
0.3
0.5
1.0
2.0 3.0
I
C
,集电极电流(毫安)
5.0
10
图11.电流增益
20
ħ即输入阻抗(千欧)
10
5.0
h
re
电压反馈RATIO ( ×10
-4
)
10
7.0
5.0
3.0
2.0
图12.输出导纳
2.0
1.0
0.5
1.0
0.7
0.5
0.1
0.2
0.3
0.5
1.0
2.0 3.0
I
C
,集电极电流(毫安)
5.0
10
0.2
0.1
0.2
0.3
0.5
1.0
2.0 3.0
I
C
,集电极电流(毫安)
5.0
10
图13.输入阻抗
图14.电压反馈比例
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MBT3904DW1T2

200mA, 40V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SC-88, 6 PIN
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MBT3904DW2T1G

Dual General Purpose Transistors
19 ONSEMI

MBT3904DW2T1G

Dual General Purpose Transistors
20 ONSEMI