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MBT3906DW1T1G
双路通用
晶体管
该MBT3906DW1T1G设备是一个剥离我们的流行
SOT -23 / SOT- 323三含铅器件。它是专为一般
目的放大器的应用程序和被收纳在SOT -363
6引线表面贴装封装。通过将两个分立器件
一个封装,该器件非常适用于低功率表面贴装
应用中的电路板空间非常珍贵。
特点
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(3)
(2)
(1)
h
FE
, 100−300
低V
CE ( SAT )
,
0.4 V
简化网络连接的ES电路设计
板级空间缩小
减少了元件数量
提供8毫米, 7寸/ 3000单位磁带和卷轴
这些器件是无铅,无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS
柔顺
Q
1
Q
2
(4)
(5)
(6)
1
最大额定值
等级
集热器
:辐射源
电压
集热器
: BASE
电压
辐射源
: BASE
电压
集电极电流
连续
静电放电
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
ESD
价值
−40
−40
−5.0
−200
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
SOT−363/SC−88
CASE 419B
风格1
标记图
6
A2 M
G
G
1
A2 =器件代码
M =日期代码
G
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
HBM等级2
MM B类
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
热特性
特征
总包耗散(注1 )
T
A
= 25°C
热阻,
结到环境
结存储
温度范围
符号
P
D
R
qJA
T
J
, T
英镑
最大
150
833
−55
+150
单位
mW
订购信息
° C / W
°C
设备
航运
3000 /
磁带&卷轴
MBT3906DW1T1G SOT- 363
(无铅)
1.装置安装在FR4玻璃环氧树脂印刷电路板使用的最小
推荐的足迹。
† 。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
©
半导体元件工业有限责任公司, 2009年
2009年10月
第3版
1
出版订单号:
MBT3906DW1T1/D
MBT3906DW1T1G
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
特征
符号
最大
单位
开关特性
集热器
:辐射源
击穿电压(注2 )
集热器
: BASE
击穿电压
辐射源
: BASE
击穿电压
基地截止电流
收藏家Cuto FF电流
V
( BR ) CEO
V
( BR ) CBO
V
( BR ) EBO
I
BL
I
CEX
−40
−40
−5.0
−50
−50
VDC
VDC
VDC
NADC
NADC
基本特征
(注2 )
直流电流增益
(I
C
=
−0.1
MADC ,V
CE
=
−1.0
VDC )
(I
C
=
−1.0
MADC ,V
CE
=
−1.0
VDC )
(I
C
=
−10
MADC ,V
CE
=
−1.0
VDC )
(I
C
=
−50
MADC ,V
CE
=
−1.0
VDC )
(I
C
=
−100
MADC ,V
CE
=
−1.0
VDC )
集热器
:辐射源
饱和电压
(I
C
=
−10
MADC ,我
B
=
−1.0
MADC )
(I
C
=
−50
MADC ,我
B
=
−5.0
MADC )
BASE
:辐射源
饱和电压
(I
C
=
−10
MADC ,我
B
=
−1.0
MADC )
(I
C
=
−50
MADC ,我
B
=
−5.0
MADC )
h
FE
60
80
100
60
30
−0.65
300
VDC
−0.25
−0.4
VDC
−0.85
−0.95
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
小信号特性
当前
- 获得 -
带宽积
输出电容
输入电容
输入阻抗
(V
CE
=
−10
VDC ,我
C
=
−1.0
MADC , F = 1.0千赫)
电压反馈比例
(V
CE
=
−10
VDC ,我
C
=
−1.0
MADC , F = 1.0千赫)
“信号
电流增益
(V
CE
=
−10
VDC ,我
C
=
−1.0
MADC , F = 1.0千赫)
输出导纳
(V
CE
=
−10
VDC ,我
C
=
−1.0
MADC , F = 1.0千赫)
噪声系数
(V
CE
=
−5.0
VDC ,我
C
=
−100
MADC ,
R
S
= 1.0 k
W,
F = 1.0千赫)
f
T
C
敖包
C
IBO
h
ie
h
re
h
fe
h
oe
NF
250
2.0
0.1
100
3.0
4.5
10.0
12
10
400
60
4.0
兆赫
pF
pF
kW
X 10
4
毫姆欧
dB
开关特性
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
(V
CC
=
−3.0
VDC ,V
BE
= 0.5伏)
(I
C
=
−10
MADC ,我
B1
=
−1.0
MADC )
(V
CC
=
−3.0
VDC ,我
C
=
−10
MADC )
(I
B1
= I
B2
=
−1.0
MADC )
t
d
t
r
t
s
t
f
35
35
225
75
ns
ns
2.脉冲测试:脉冲宽度
300
女士;
占空比
2.0%.
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2
MBT3906DW1T1G
3V
+9.1 V
275
& LT ; 1纳秒
+0.5 V
10 k
0
C
s
< 4 PF *
10.6 V
300纳秒
占空比= 2 %
10 <吨
1
& LT ; 500
ms
占空比= 2 %
*测试夹具和连接器共有并联电容
t
1
10.9 V
1N916
C
s
< 4 PF *
10 k
& LT ; 1纳秒
275
3V
图1.延迟和上升时间
等效测试电路
图2.存储和下降时间
等效测试电路
典型的瞬态特性
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
10
7.0
电容(pF)
Q, CHARGE ( PC)
5.0
C
敖包
C
IBO
3.0
2.0
5000
3000
2000
1000
700
500
300
200
100
70
50
V
CC
= 40 V
I
C
/I
B
= 10
Q
T
Q
A
1.0
0.1
0.2 0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0 5.0 7.0 10
反向偏置(伏)
20 30 40
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20 30 50 70 100
I
C
,集电极电流(毫安)
200
图3.电容
500
300
200
100
70
50
30
20
10
7
5
I
C
/I
B
= 10
500
300
200
图4.收费数据
V
CC
= 40 V
I
B1
= I
B2
I
C
/I
B
= 20
五六,下降时间( NS )
100
70
50
30
20
10
7
5
I
C
/I
B
= 10
时间(纳秒)
t
r
@ V
CC
= 3.0 V
15 V
40 V
2.0 V
t
d
@ V
OB
= 0 V
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
30
50 70 100
200
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
30
50 70 100
200
I
C
,集电极电流(毫安)
I
C
,集电极电流(毫安)
图5.打开
ΔON
时间
图6.下降时间
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3
MBT3906DW1T1G
典型的音频小信号特性
噪声系数变异
(V
CE
=
5.0伏,T
A
= 25 ℃,带宽= 1.0赫兹)
5.0
源电阻= 200
W
I
C
= 1.0毫安
NF ,噪声系数(dB )
源电阻= 200
W
I
C
- 0.5毫安
源电阻= 2.0 ķ
I
C
= 50
mA
12
F = 1.0千赫
10
I
C
- 0.5毫安
8
6
4
2
0
I
C
= 50
mA
I
C
= 100
mA
I
C
= 1.0毫安
NF ,噪声系数(dB )
4.0
3.0
2.0
源电阻= 2.0 ķ
I
C
= 100
mA
0.2
0.4
1.0 2.0 4.0
10
男,频率(KHz )
20
40
100
1.0
0
0.1
0.1
0.2
0.4
1.0 2.0
4.0
10
20
R
g
,源电阻(千欧)
40
100
图7 。
网络连接gure 8 。
h参数值
(V
CE
=
10 VDC , F = 1.0千赫,T
A
= 25°C)
300
锄头,输出导纳(
m
姆欧)
100
70
50
30
20
^ h FE , DC电流增益
200
100
70
50
10
7
30
0.1
0.2
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
I
C
,集电极电流(毫安)
5.0 7.0 10
5
0.1
0.2
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
I
C
,集电极电流(毫安)
5.0 7.0 10
图9.电流增益
20
ħ即输入阻抗(千欧)
10
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
h
re
电压反馈RATIO ( ×10
-4
)
10
7.0
5.0
3.0
2.0
图10.输出导纳
1.0
0.7
0.5
0.1
0.2
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
I
C
,集电极电流(毫安)
5.0 7.0 10
0.1
0.2
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
I
C
,集电极电流(毫安)
5.0 7.0 10
图11.输入阻抗
图12.电压反馈比例
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4
MBT3906DW1T1G
典型静态特性
^ h FE , DC电流增益(标准化)
2.0
T
J
= +125°C
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
- 55°C
+25°C
V
CE
= 1.0 V
0.1
0.1
0.2
0.3
0.5
0.7
1.0
2.0
3.0
5.0 7.0 10
I
C
,集电极电流(毫安)
20
30
50
70
100
200
图13.直流电流增益
VCE ,集电极 - 发射极电压(伏)
1.0
T
J
= 25°C
0.8
I
C
= 1.0毫安
10毫安
30毫安
百毫安
0.6
0.4
0.2
0
0.01
0.02
0.03
0.05
0.07
0.1
0.2
0.3
0.5
I
B
,基极电流(毫安)
0.7
1.0
2.0
3.0
5.0
7.0
10
图14.集电极饱和区
T
J
= 25°C
0.8
V,电压(V )
V
BE ( SAT )
@ I
C
/I
B
= 10
V
BE
@ V
CE
= 1.0 V
q
V,温度系数(MV /
°
C)
1.0
1.0
0.5
0
- 0.5
+ 25 ° C至+ 125°C
- 1.0
- 55 °C至+ 25°C
- 1.5
- 2.0
q
VB
对于V
BE ( SAT )
q
VC
对于V
CE ( SAT )
+ 25 ° C至+ 125°C
0.6
- 55 °C至+ 25°C
0.4
V
CE ( SAT )
@ I
C
/I
B
= 10
0.2
0
1.0
2.0
50
5.0
10
20
I
C
,集电极电流(毫安)
100
200
0
20
40
60
80 100 120 140
I
C
,集电极电流(毫安)
160
180 200
图15为“ON”电压
图16.温度系数
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5
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200mA, 40V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SC-88, 6 PIN
暂无信息
0 ONSEMI

MBT3906DW1T3

200mA, 40V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SC-88, 6 PIN
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MBT3946DW

Dual General Purpose Transistor NPN+PNP Silicon
87 WEITRON

MBT3946DW

Dual General Purpose Transistor
158 icpdf_datashe

MBT3946DW1T1

Dual General Purpose Transistors
43 ETL

MBT3946DW1T1

Dual General Purpose Transistor
121 ONSEMI