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PSD853F2V-90U1T  SN74CBT3257DE4  BZX84C15-V  CAT24WC66XI-T2C  UCY7476  PESM15GM33RT  CCL75DE2-TD1  PT2126-F4A-RNM1-J  MCP6241-E/ST  DS2431Q+R  
MBT3906DW1T1G 双路通用晶体管 (Dual General Purpose Transistor)
.型号:   MBT3906DW1T1G
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描述: 双路通用晶体管
Dual General Purpose Transistor
文件大小 :   174 K    
页数 : 6 页
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品牌   ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
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100%
MBT3906DW1T1G
双路通用
晶体管
该MBT3906DW1T1G设备是一个剥离我们的流行
SOT -23 / SOT- 323三含铅器件。它是专为一般
目的放大器的应用程序和被收纳在SOT -363
6引线表面贴装封装。通过将两个分立器件
一个封装,该器件非常适用于低功率表面贴装
应用中的电路板空间非常珍贵。
特点
http://onsemi.com
(3)
(2)
(1)
h
FE
, 100−300
低V
CE ( SAT )
,
0.4 V
简化网络连接的ES电路设计
板级空间缩小
减少了元件数量
提供8毫米, 7寸/ 3000单位磁带和卷轴
这些器件是无铅,无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS
柔顺
Q
1
Q
2
(4)
(5)
(6)
1
最大额定值
等级
集热器
:辐射源
电压
集热器
: BASE
电压
辐射源
: BASE
电压
集电极电流
连续
静电放电
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
ESD
价值
−40
−40
−5.0
−200
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
SOT−363/SC−88
CASE 419B
风格1
标记图
6
A2 M
G
G
1
A2 =器件代码
M =日期代码
G
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
HBM等级2
MM B类
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
热特性
特征
总包耗散(注1 )
T
A
= 25°C
热阻,
结到环境
结存储
温度范围
符号
P
D
R
qJA
T
J
, T
英镑
最大
150
833
−55
+150
单位
mW
订购信息
° C / W
°C
设备
航运
3000 /
磁带&卷轴
MBT3906DW1T1G SOT- 363
(无铅)
1.装置安装在FR4玻璃环氧树脂印刷电路板使用的最小
推荐的足迹。
† 。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
©
半导体元件工业有限责任公司, 2009年
2009年10月
第3版
1
出版订单号:
MBT3906DW1T1/D
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