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MBT3946DW1T1G
双路通用
晶体管
该MBT3946DW1T1G设备是一个剥离我们的流行
SOT -23 / SOT- 323三含铅器件。它是专为一般
目的放大器的应用程序和被收纳在SOT - 363-6
表面贴装封装。通过将两个分立器件于一体
封装,该器件非常适用于低功率表面贴装
应用中的电路板空间非常珍贵。
特点
http://onsemi.com
(3)
(2)
(1)
h
FE
, 100−300
低V
CE ( SAT )
,
0.4 V
简化网络连接的ES电路设计
板级空间缩小
减少了元件数量
这些器件是无铅,无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS
柔顺
Q
1
Q
2
(4)
(5)
MBT3946DW1T1*
* Q1 PNP
Q2 NPN
(6)
最大额定值
等级
集热器
:辐射源
电压
( NPN )
( PNP)
( NPN )
( PNP)
( NPN )
( PNP)
( NPN )
( PNP)
符号
V
首席执行官
价值
40
−40
60
−40
6.0
−5.0
200
−200
单位
VDC
1
SOT−363−6/SC−88
CASE 419B
风格1
集热器
: BASE
电压
V
CBO
VDC
标记图
VDC
辐射源
: BASE
电压
V
EBO
集电极电流
连续
I
C
MADC
46 M
G
G
静电放电
ESD
HBM等级2
MM B类
热特性
特征
总包耗散(注1 )
T
A
= 25°C
热阻,
结到环境
结温和存储温度
范围
符号
P
D
R
qJA
T
J
, T
英镑
最大
150
833
−55
+150
单位
mW
° C / W
°C
46 =具体设备守则
M =日期代码
G
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
订购信息
设备
MBT3946DW1T1G
MBT3946DW1T2G
SC−88
(无铅)
SC−88
(无铅)
航运
3000 /
磁带&卷轴
3000 /
磁带&卷轴
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.装置安装在FR4玻璃环氧树脂印刷电路板使用的最小
推荐的足迹。
† 。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
©
半导体元件工业有限责任公司, 2009年
2009年10月
启5
1
出版订单号:
MBT3946DW1T1/D
MBT3946DW1T1G
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
特征
开关特性
集热器
:辐射源
击穿电压(注2 )
(I
C
= 1.0 MADC ,我
B
= 0)
(I
C
=
−1.0
MADC ,我
B
= 0)
集热器
: BASE
击穿电压
(I
C
= 10
MADC ,
I
E
= 0)
(I
C
=
−10
MADC ,
I
E
= 0)
辐射源
: BASE
击穿电压
(I
E
= 10
MADC ,
I
C
= 0)
(I
E
=
−10
MADC ,
I
C
= 0)
基地截止电流
(V
CE
= 30伏直流电,V
EB
= 3.0伏)
(V
CE
=
−30
VDC ,V
EB
=
−3.0
VDC )
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 30伏直流电,V
EB
= 3.0伏)
(V
CE
=
−30
VDC ,V
EB
=
−3.0
VDC )
基本特征
(注2 )
直流电流增益
(I
C
= 0.1 MADC ,V
CE
= 1.0伏)
(I
C
= 1.0 MADC ,V
CE
= 1.0伏)
(I
C
= 10 MADC ,V
CE
= 1.0伏)
(I
C
= 50 MADC ,V
CE
= 1.0伏)
(I
C
= 100 MADC ,V
CE
= 1.0伏)
(I
C
=
−0.1
MADC ,V
CE
=
−1.0
VDC )
(I
C
=
−1.0
MADC ,V
CE
=
−1.0
VDC )
(I
C
=
−10
MADC ,V
CE
=
−1.0
VDC )
(I
C
=
−50
MADC ,V
CE
=
−1.0
VDC )
(I
C
=
−100
MADC ,V
CE
=
−1.0
VDC )
集热器
:辐射源
饱和电压
(I
C
= 10 MADC ,我
B
= 1.0 MADC )
(I
C
= 50 MADC ,我
B
= 5.0 MADC )
(I
C
=
−10
MADC ,我
B
=
−1.0
MADC )
(I
C
=
−50
MADC ,我
B
=
−5.0
MADC )
BASE
:辐射源
饱和电压
(I
C
= 10 MADC ,我
B
= 1.0 MADC )
(I
C
= 50 MADC ,我
B
= 5.0 MADC )
(I
C
=
−10
MADC ,我
B
=
−1.0
MADC )
(I
C
=
−50
MADC ,我
B
=
−5.0
MADC )
小信号特性
当前
- 获得 -
带宽积
(I
C
= 10 MADC ,V
CE
= 20伏, F = 100兆赫)
(I
C
=
−10
MADC ,V
CE
=
−20
VDC , F = 100兆赫)
输出电容
(V
CB
= 5.0伏,我
E
= 0中,f = 1.0 MHz)的
(V
CB
=
−5.0
VDC ,我
E
= 0中,f = 1.0 MHz)的
输入电容
(V
EB
= 0.5伏,我
C
= 0中,f = 1.0 MHz)的
(V
EB
=
−0.5
VDC ,我
C
= 0中,f = 1.0 MHz)的
输入阻抗
(V
CE
= 10 VDC ,我
C
= 1.0 MADC , F = 1.0千赫)
(V
CE
=
−10
VDC ,我
C
=
−1.0
MADC , F = 1.0千赫)
电压反馈比例
(V
CE
= 10 VDC ,我
C
= 1.0 MADC , F = 1.0千赫)
(V
CE
=
−10
VDC ,我
C
=
−1.0
MADC , F = 1.0千赫)
“信号
电流增益
(V
CE
= 10 VDC ,我
C
= 1.0 MADC , F = 1.0千赫)
(V
CE
=
−10
VDC ,我
C
=
−1.0
MADC , F = 1.0千赫)
2.脉冲测试:脉冲宽度
300
女士;
占空比
2.0%.
( NPN )
( PNP)
( NPN )
( PNP)
( NPN )
( PNP)
( NPN )
( PNP)
( NPN )
( PNP)
( NPN )
( PNP)
f
T
300
250
1.0
2.0
0.5
0.1
100
100
4.0
4.5
8.0
10.0
10
12
8.0
10
400
400
兆赫
( NPN )
h
FE
40
70
100
60
30
60
80
100
60
30
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
0.65
−0.65
300
300
0.2
0.3
−0.25
−0.4
0.85
0.95
−0.85
−0.95
VDC
VDC
( NPN )
( PNP)
( NPN )
( PNP)
( NPN )
( PNP)
( NPN )
( PNP)
( NPN )
( PNP)
V
( BR ) CEO
40
−40
60
−40
6.0
−5.0
50
−50
50
−50
VDC
符号
最大
单位
V
( BR ) CBO
VDC
V
( BR ) EBO
VDC
I
BL
NADC
I
CEX
NADC
( PNP)
( NPN )
( PNP)
( NPN )
( PNP)
C
敖包
pF
C
IBO
pF
h
ie
kW
h
re
X 10
4
h
fe
http://onsemi.com
2
MBT3946DW1T1G
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明) (续)
特征
输出导纳
(V
CE
= 10 VDC ,我
C
= 1.0 MADC , F = 1.0千赫)
(V
CE
=
−10
VDC ,我
C
=
−1.0
MADC , F = 1.0千赫)
噪声系数
(V
CE
= 5.0伏,我
C
= 100
MADC ,
R
S
= 1.0千瓦, F = 1.0千赫)
(V
CE
=
−5.0
VDC ,我
C
=
−100
MADC ,
R
S
= 1.0千瓦, F = 1.0千赫)
开关特性
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
(V
CC
= 3.0伏,V
BE
=
0.5伏)
(V
CC
=
−3.0
VDC ,V
BE
= 0.5伏)
(I
C
= 10 MADC ,我
B1
= 1.0 MADC )
(I
C
=
−10
MADC ,我
B1
=
−1.0
MADC )
(V
CC
= 3.0伏,我
C
= 10 MADC )
(V
CC
=
−3.0
VDC ,我
C
=
−10
MADC )
(I
B1
= I
B2
= 1.0 MADC )
(I
B1
= I
B2
=
−1.0
MADC )
( NPN )
( PNP)
( NPN )
( PNP)
( NPN )
( PNP)
( NPN )
( PNP)
t
d
t
r
t
s
t
f
35
35
35
35
200
225
50
75
( NPN )
( PNP)
( NPN )
( PNP)
符号
h
oe
1.0
3.0
最大
40
60
5.0
4.0
单位
毫姆欧
NF
dB
ns
ns
( NPN )
占空比= 2 %
300纳秒
+3 V
+10.9 V
10 k
0
- 0.5 V
& LT ; 1纳秒
C
s
< 4 PF *
- 9.1 V′
*测试夹具和连接器共有并联电容
& LT ; 1纳秒
1N916
C
s
< 4 PF *
275
10 <吨
1
& LT ; 500
ms
占空比= 2 %
t
1
+3 V
+10.9 V
275
10 k
图1.延迟和上升时间
等效测试电路
图2.存储和下降时间
等效测试电路
典型的瞬态特性
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
10
7.0
电容(pF)
5.0
C
IBO
3.0
2.0
C
敖包
( NPN )
5000
3000
2000
Q, CHARGE ( PC)
1000
700
500
300
200
100
70
50
Q
T
Q
A
V
CC
= 40 V
I
C
/I
B
= 10
( NPN )
1.0
0.1
0.2 0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20 30 40
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
30
50 70 100
200
反向偏置电压(伏)
I
C
,集电极电流(毫安)
图3.电容
图4.收费数据
http://onsemi.com
3
MBT3946DW1T1G
( NPN )
500
300
200
100
70
50
30
20
10
7
5
( NPN )
t
d
@ V
OB
= 0 V
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
30
40 V
15 V
10
2.0 V
50 70 100
200
7
5
( NPN )
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
30
50 70 100
200
I
C
/I
B
= 10
500
300
200
吨R,上升时间( NS )
100
70
50
30
20
V
CC
= 40 V
I
C
/I
B
= 10
时间(纳秒)
t
r
@ V
CC
= 3.0 V
I
C
,集电极电流(毫安)
I
C
,集电极电流(毫安)
图5.打开
ΔON
时间
500
300
200
吨S,存储时间(纳秒)
100
70
50
30
20
10
7
5
( NPN )
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
30
50 70 100
200
I
C
/I
B
= 20
I
C
/I
B
= 10
I
C
/I
B
= 20
I
C
/I
B
= 10
t′
s
= t
s
-
1
/
8
t
f
I
B1
= I
B2
五六,下降时间( NS )
500
300
200
图6.上升时间
V
CC
= 40 V
I
B1
= I
B2
I
C
/I
B
= 20
100
70
50
30
20
10
7
5
( NPN )
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
30
50 70 100
200
I
C
/I
B
= 10
I
C
,集电极电流(毫安)
I
C
,集电极电流(毫安)
图7.储存时间
图8.下降时间
典型的音频小信号特性
噪声系数变异
(V
CE
= 5.0伏,T
A
= 25 ℃,带宽= 1.0赫兹)
12
10
NF ,噪声系数(dB )
8
6
4
2
0
0.1
源电阻= 500
W
I
C
= 100
mA
0.2
0.4
1.0
2.0
4.0
源电阻= 200
W
I
C
= 1.0毫安
NF ,噪声系数(dB )
源电阻= 200
W
I
C
- 0.5毫安
源电阻= 1.0 ķ
I
C
= 50
mA
14
F = 1.0千赫
12
10
8
6
4
2
20
40
100
0
0.1
0.2
0.4
1.0
2.0
4.0
( NPN )
10
20
40
100
I
C
= 100
mA
I
C
= 1.0毫安
I
C
- 0.5毫安
I
C
= 50
mA
( NPN )
10
男,频率(KHz )
R
S
,源电阻(千欧)
图9.噪声系数
http://onsemi.com
4
图10.噪声系数
MBT3946DW1T1G
( NPN )
h参数值
(V
CE
= 10 VDC , F = 1.0千赫,T
A
= 25°C)
300
( NPN )
^ h FE ,电流增益
200
锄头,输出导纳(
m
姆欧)
100
50
( NPN )
20
10
5
100
70
50
2
1
30
0.1
0.2
0.3
0.5
1.0
2.0 3.0
I
C
,集电极电流(毫安)
5.0
10
0.1
0.2
0.3
0.5
1.0
2.0 3.0
I
C
,集电极电流(毫安)
5.0
10
图11.电流增益
20
ħ即输入阻抗(千欧)
10
5.0
( NPN )
h
re
电压反馈RATIO ( ×10
-4
)
10
7.0
5.0
3.0
2.0
图12.输出导纳
( NPN )
2.0
1.0
0.5
1.0
0.7
0.5
0.1
0.2
0.3
0.5
1.0
2.0 3.0
I
C
,集电极电流(毫安)
5.0
10
0.2
0.1
0.2
0.3
0.5
1.0
2.0 3.0
I
C
,集电极电流(毫安)
5.0
10
图13.输入阻抗
图14.电压反馈比例
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5
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