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P600S  CC0402CY5V110J  P600M  CC0402AZ5U110J  P600M  CC0402CX7R110M  P600M  P600M-P6A10  P600K  P600K  
MBT3946DW1T2G 双路通用晶体管 (Dual General Purpose Transistor)
.型号:   MBT3946DW1T2G
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描述: 双路通用晶体管
Dual General Purpose Transistor
文件大小 :   237 K    
页数 : 10 页
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品牌   ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
购买 :   
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100%
MBT3946DW1T1G
双路通用
晶体管
该MBT3946DW1T1G设备是一个剥离我们的流行
SOT -23 / SOT- 323三含铅器件。它是专为一般
目的放大器的应用程序和被收纳在SOT - 363-6
表面贴装封装。通过将两个分立器件于一体
封装,该器件非常适用于低功率表面贴装
应用中的电路板空间非常珍贵。
特点
http://onsemi.com
(3)
(2)
(1)
h
FE
, 100−300
低V
CE ( SAT )
,
0.4 V
简化网络连接的ES电路设计
板级空间缩小
减少了元件数量
这些器件是无铅,无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS
柔顺
Q
1
Q
2
(4)
(5)
MBT3946DW1T1*
* Q1 PNP
Q2 NPN
(6)
最大额定值
等级
集热器
:辐射源
电压
( NPN )
( PNP)
( NPN )
( PNP)
( NPN )
( PNP)
( NPN )
( PNP)
符号
V
首席执行官
价值
40
−40
60
−40
6.0
−5.0
200
−200
单位
VDC
1
SOT−363−6/SC−88
CASE 419B
风格1
集热器
: BASE
电压
V
CBO
VDC
标记图
VDC
辐射源
: BASE
电压
V
EBO
集电极电流
连续
I
C
MADC
46 M
G
G
静电放电
ESD
HBM等级2
MM B类
热特性
特征
总包耗散(注1 )
T
A
= 25°C
热阻,
结到环境
结温和存储温度
范围
符号
P
D
R
qJA
T
J
, T
英镑
最大
150
833
−55
+150
单位
mW
° C / W
°C
46 =具体设备守则
M =日期代码
G
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
订购信息
设备
MBT3946DW1T1G
MBT3946DW1T2G
SC−88
(无铅)
SC−88
(无铅)
航运
3000 /
磁带&卷轴
3000 /
磁带&卷轴
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.装置安装在FR4玻璃环氧树脂印刷电路板使用的最小
推荐的足迹。
† 。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
©
半导体元件工业有限责任公司, 2009年
2009年10月
启5
1
出版订单号:
MBT3946DW1T1/D
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