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MBT6429DW1T1G 放大器晶体管 (Amplifier Transistors)
.型号:   MBT6429DW1T1G
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描述: 放大器晶体管
Amplifier Transistors
文件大小 :   216 K    
页数 : 5 页
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品牌   ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
购买 :   
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100%
MBT6429DW1T1G
放大器晶体管
NPN硅
特点
这些器件是无铅,无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS
柔顺
(3)
http://onsemi.com
(2)
(1)
最大额定值
等级
集热器
:辐射源
电压
集热器
: BASE
电压
辐射源
: BASE
电压
集电极电流
连续
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
价值
45
55
6.0
200
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
SC−88
(SOT−363)
CASE 419B
(4)
(5)
(6)
热特性
特征
器件总功耗(注1 )
T
A
= 25°C
热阻,
结到环境
结温和存储温度
符号
P
D
R
qJA
T
J
, T
英镑
最大
150
833
−55
+150
单位
mW
° C / W
°C
1
标记图
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.装置安装在FR4玻璃环氧树脂印刷电路板使用的最小
推荐的足迹。
1T M
G
G
1
1T
=具体设备守则
M
=日期代码
G
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
订购信息
设备
MBT6429DW1T1G
SC−88
(无铅)
航运
3000 /
磁带&卷轴
† 。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
©
半导体元件工业有限责任公司, 2009年
2009年10月
第3版
1
出版订单号:
MBT6429DW1T1/D
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