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MC74HC04ADR2G 六反相器高性能硅栅CMOS (Hex Inverter High−Performance Silicon−Gate CMOS)
.型号:   MC74HC04ADR2G
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描述: 六反相器高性能硅栅CMOS
Hex Inverter High−Performance Silicon−Gate CMOS
文件大小 :   137 K    
页数 : 9 页
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品牌   ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
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100%
MC74HC04A
DC特性
(电压参考GND)
符号
V
IH
参数
最低高电平输入
电压
条件
V
OUT
= 0.1V或V
CC
−0.1V
|I
OUT
|
20mA
V
CC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
|I
OUT
|
2.4mA
|I
OUT
|
4.0mA
|I
OUT
|
5.2mA
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
|I
OUT
|
2.4mA
|I
OUT
|
4.0mA
|I
OUT
|
5.2mA
3.0
4.5
6.0
6.0
6.0
保证限额
−55
至25℃
1.50
2.10
3.15
4.20
0.50
0.90
1.35
1.80
1.9
4.4
5.9
2.48
3.98
5.48
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
0.26
±
0.1
1.0
≤85°C
1.50
2.10
3.15
4.20
0.50
0.90
1.35
1.80
1.9
4.4
5.9
2.34
3.84
5.34
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
0.33
±
1.0
10
≤125°C
1.50
2.10
3.15
4.20
0.50
0.90
1.35
1.80
1.9
4.4
5.9
2.20
3.70
5.20
0.1
0.1
0.1
0.40
0.40
0.40
±
1.0
40
mA
mA
V
单位
V
V
IL
最大低电平输入
电压
V
OUT
= 0.1V或V
CC
0.1V
|I
OUT
|
20mA
V
V
OH
最小高电平输出
电压
V
in
= V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
20mA
V
in
=V
IH
或V
IL
V
V
OL
最大低电平输出
电压
V
in
= V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
20mA
V
in
= V
IH
或V
IL
I
in
I
CC
最大输入漏
当前
最大静态电源
电流(每包)
V
in
= V
CC
或GND
V
in
= V
CC
或GND
I
OUT
= 0毫安
注:关于典型参数值可以在安森美半导体的高速CMOS数据手册( DL129 / D)的第2章中找到。
AC特性
(C
L
= 50pF的,输入吨
r
= t
f
= 6ns的)
符号
t
PLH
,
t
PHL
参数
最大传输延迟,输入A或B到输出Y
(图1和图2)
V
CC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
保证限额
−55
至25℃
75
30
15
13
75
27
15
13
10
≤85°C
95
40
19
16
95
32
19
16
10
≤125°C
110
55
22
19
110
36
22
19
10
单位
ns
t
TLH
,
t
THL
最大输出转换时间,任何输出
(图1和图2)
ns
C
in
最大输入电容
pF
注:对于传播延迟与其他负载50 pF的,并在典型参数值的信息,请参阅ON第2章
半导体高速CMOS数据手册( DL129 / D) 。
典型的25°C ,V
CC
= 5.0 V
C
PD
功率耗散电容(每变频器) *
2
f
20
pF
*用于确定无负载的动态功耗:P
D
= C
PD
V
CC
安森美半导体的高速CMOS数据手册( DL129 / D) 。
+ I
CC
V
CC
。对于负载的考虑,见第2章
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