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MA62TAG  MA62TCX  MA61FAG  MA61TCG-R  MA62TCX-R  MA62TAD  MA62TBA  MA62TAA-R  MA61FAX  MA62FCA-R  
MC74HC04ADR2G 六反相器高性能硅栅CMOS (Hex Inverter High−Performance Silicon−Gate CMOS)
.型号:   MC74HC04ADR2G
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描述: 六反相器高性能硅栅CMOS
Hex Inverter High−Performance Silicon−Gate CMOS
文件大小 :   137 K    
页数 : 9 页
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品牌   ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
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100%
MC74HC04A
包装尺寸
TSSOP−14
CASE 948G -01
问题B
14X
K
REF
0.10 (0.004)
0.15 ( 0.006 )T ü
S
M
Ť ü
S
V
N
S
2X
L/2
14
8
0.25 (0.010)
M
L
销1
IDENT 。
1
7
B
−U−
N
F
DETAIL ê
K
0.15 ( 0.006 )T ü
S
J J1
第N-N
−W−
C
0.10 (0.004)
−T−
座位
飞机
D
G
H
DETAIL ê
焊接足迹*
7.06
1
0.36
14X
14X
1.26
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息,请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册, SOLDERRM / D 。
http://onsemi.com
8
ÉÉÉ
ÇÇÇ
ÉÉÉ
ÇÇÇ
ÇÇÇ
A
−V−
注意事项:
1.尺寸和公差PER
ANSI Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:毫米。
3,维A不包括模型
FLASH中,突出或毛刺。
塑模的毛边或毛刺SHALL NOT
超过0.15 ( 0.006 ),每边。
4.尺寸b不包括
间的薄膜或凸出部分。
间的薄膜或突出应该
不超过0.25 ( 0.010 ),每边。
5.尺寸k不包括
dambar突出。 ALLOWABLE
DAMBAR突出为0.08
( 0.003 )总计超过K型
DIMENSION最大材料
条件。
6.端子数列
仅供参考。
7,维A和B是被
在基准面确定
−W−.
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
J1
K
K1
L
M
MILLIMETERS
英寸
最大
最小最大
4.90
5.10 0.193 0.200
4.30
4.50 0.169 0.177
−−−
1.20
−−−
0.047
0.05
0.15 0.002 0.006
0.50
0.75 0.020 0.030
0.65 BSC
0.026 BSC
0.50
0.60 0.020 0.024
0.09
0.20 0.004 0.008
0.09
0.16 0.004 0.006
0.19
0.30 0.007 0.012
0.19
0.25 0.007 0.010
6.40 BSC
0.252 BSC
0
_
8
_
0
_
8
_
K1
0.65
沥青
外形尺寸:毫米
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