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MC74HC04A
六反相器
高性能硅栅CMOS
该MC74HC04A是相同的引脚排列的LS04和
MC14069 。该器件输入与标准CMOS兼容
输出;与上拉电阻,它们与LSTTL兼容
输出。
该装置由六个三级逆变器。
特点
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记号
图表
14
14
1
PDIP−14
ñ SUF科幻X
CASE 646
1
14
14
1
SOIC−14
ð后缀
CASE 751A
1
HC04AG
AWLYWW
MC74HC04AN
AWLYYWWG
输出驱动能力: 10输入通道负载
输出直接连接到CMOS , NMOS和TTL
工作电压范围: 2.0〜 6.0 V
低输入电流: 1
mA
CMOS器件的高抗噪声特性
符合JEDEC标准号7A要求
芯片的复杂性: 36场效应管或9个等效门
无铅包可用
逻辑图
A1
1
2
Y1
14
14
1
TSSOP−14
DT后缀
CASE 948G
1
ÿ -A
HC
04
ALYWG
G
A2
3
4
Y2
A3
5
6
Y3
A4
9
8
Y4
A5
11
10
Y5
A
=大会地点
WL或L =晶圆地段
YY或Y =年
WW或W =工作周
G或
G
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
A6
13
12
Y6
引脚说明: 14引脚封装
( TOP VIEW )
V
CC
14
A6
13
Y6
12
A5
11
Y5
10
A4
9
Y4
8
功能表
输入
A
L
H
输出
Y
H
L
1
A1
2
Y1
3
A2
4
Y2
5
A3
6
Y3
7
GND
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第3页。
©
半导体元件工业有限责任公司, 2006年
2006年10月,
启示录11
1
出版订单号:
MC74HC04A/D
MC74HC04A
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最大额定值
符号
V
CC
V
in
I
in
V
OUT
I
OUT
P
D
参数
价值
单位
V
V
V
直流电源电压(参考GND)
DC输入电压(参考GND)
DC输入电流,每个引脚
DC输出电压(参考GND)
直流输出电流,每个引脚
- 0.5〜 + 7.0
- 0.5 V
CC
+ 0.5
- 0.5 V
CC
+ 0.5
±
20
±
25
±
50
750
500
450
mA
mA
mA
I
CC
直流电源电流,V
CC
和GND引脚
功率消耗在静止空气中,
塑料DIP †
SOIC封装†
TSSOP封装†
mW
T
英镑
T
L
储存温度
- 65至+ 150
260
_C
_C
焊接温度1毫米的表壳,持续10秒
塑料DIP , SOIC和TSSOP封装
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下,会影响
器件的可靠性。
*该器件包含保护电路,以防止损坏防范因高静态电压或电场。但是,注意事项一定要
注意避免任何电压更高的应用比最大额定电压至该高阻抗电路。为了正常工作,V
in
V
OUT
应被约束的范围内GND
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
CC
。未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平
(例如, GND或V
CC
) 。未使用的输出必须悬空。
●降额
塑料DIP : - 10毫瓦/ _C从65_至125_C
SOIC封装: - 7毫瓦/ _C从65_至125_C
TSSOP封装:
6.1毫瓦/ _C从65_至125_C
对于高频率或高负载事项,请参见安森美半导体的高速CMOS数据手册( DL129 / D)的第2章。
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Î
符号
V
CC
T
A
V
in
, V
OUT
t
r
, t
f
参数
2.0
0
0
0
0
最大
6.0
V
CC
单位
V
V
直流电源电压(参考GND)
直流输入电压,输出电压(参考GND)
工作温度,所有封装类型
输入上升和下降时间
(图1)
– 55
+ 125
1000
500
400
_C
ns
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
推荐工作条件
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2
MC74HC04A
订购信息
设备
MC74HC04AN
MC74HC04ANG
MC74HC04AD
MC74HC04ADG
MC74HC04ADR2
MC74HC04ADR2G
MC74HC04ADTR2
MC74HC04ADTR2G
MC74HC04AF
MC74HC04AFG
MC74HC04AFEL
MC74HC04AFELG
PDIP−14
PDIP−14
(无铅)
SOIC−14
SOIC−14
(无铅)
SOIC−14
SOIC−14
(无铅)
TSSOP−14*
TSSOP−14*
SOEIAJ−14
SOEIAJ−14
(无铅)
SOEIAJ−14
SOEIAJ−14
(无铅)
2000 /磁带&卷轴
50 /铁
2500 /磁带&卷轴
55 /铁
25 /铁
航运
†有关磁带和卷轴规格,包括部分方向和磁带大小,请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册, BRD8011 / D 。
*这个包本身是无铅。
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3
MC74HC04A
DC特性
(电压参考GND)
符号
V
IH
参数
最低高电平输入
电压
条件
V
OUT
= 0.1V或V
CC
−0.1V
|I
OUT
|
20mA
V
CC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
|I
OUT
|
2.4mA
|I
OUT
|
4.0mA
|I
OUT
|
5.2mA
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
|I
OUT
|
2.4mA
|I
OUT
|
4.0mA
|I
OUT
|
5.2mA
3.0
4.5
6.0
6.0
6.0
保证限额
−55
至25℃
1.50
2.10
3.15
4.20
0.50
0.90
1.35
1.80
1.9
4.4
5.9
2.48
3.98
5.48
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
0.26
±
0.1
1.0
≤85°C
1.50
2.10
3.15
4.20
0.50
0.90
1.35
1.80
1.9
4.4
5.9
2.34
3.84
5.34
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
0.33
±
1.0
10
≤125°C
1.50
2.10
3.15
4.20
0.50
0.90
1.35
1.80
1.9
4.4
5.9
2.20
3.70
5.20
0.1
0.1
0.1
0.40
0.40
0.40
±
1.0
40
mA
mA
V
单位
V
V
IL
最大低电平输入
电压
V
OUT
= 0.1V或V
CC
0.1V
|I
OUT
|
20mA
V
V
OH
最小高电平输出
电压
V
in
= V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
20mA
V
in
=V
IH
或V
IL
V
V
OL
最大低电平输出
电压
V
in
= V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
20mA
V
in
= V
IH
或V
IL
I
in
I
CC
最大输入漏
当前
最大静态电源
电流(每包)
V
in
= V
CC
或GND
V
in
= V
CC
或GND
I
OUT
= 0毫安
注:关于典型参数值可以在安森美半导体的高速CMOS数据手册( DL129 / D)的第2章中找到。
AC特性
(C
L
= 50pF的,输入吨
r
= t
f
= 6ns的)
符号
t
PLH
,
t
PHL
参数
最大传输延迟,输入A或B到输出Y
(图1和图2)
V
CC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
保证限额
−55
至25℃
75
30
15
13
75
27
15
13
10
≤85°C
95
40
19
16
95
32
19
16
10
≤125°C
110
55
22
19
110
36
22
19
10
单位
ns
t
TLH
,
t
THL
最大输出转换时间,任何输出
(图1和图2)
ns
C
in
最大输入电容
pF
注:对于传播延迟与其他负载50 pF的,并在典型参数值的信息,请参阅ON第2章
半导体高速CMOS数据手册( DL129 / D) 。
典型的25°C ,V
CC
= 5.0 V
C
PD
功率耗散电容(每变频器) *
2
f
20
pF
*用于确定无负载的动态功耗:P
D
= C
PD
V
CC
安森美半导体的高速CMOS数据手册( DL129 / D) 。
+ I
CC
V
CC
。对于负载的考虑,见第2章
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4
MC74HC04A
t
f
输入A
90%
50%
10%
t
PLH
90%
输出y
t
TLH
50%
10%
t
THL
t
PHL
t
r
V
CC
GND
图1.开关波形
TEST
产量
设备
TEST
C
L
*
*包括所有探测和夹具电容
图2.测试电路
A
Y
图3.扩展逻辑图
(该设备的1/6所示)
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5
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HC/UH SERIES, HEX 1-INPUT INVERT GATE, PDSO14, EIAJ, SOIC-14
0 ONSEMI

MC74HC04AFL2

HC/UH SERIES, HEX 1-INPUT INVERT GATE, PDSO14, EIAJ, SOIC-14
0 ROCHESTER

MC74HC04AN

Hex Inverter High−Performance Silicon−Gate CMOS
66 ONSEMI