MC74HC08A
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Î Î
Î
Î
Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Î
Î
Î Î
Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î Î
Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Î
Î
Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
最大额定值
符号
V
CC
V
in
I
in
V
OUT
I
OUT
P
D
参数
价值
单位
V
V
V
直流电源电压(参考GND)
DC输入电压(参考GND)
- 0.5〜 + 7.0
- 0.5 V
CC
+ 0.5
- 0.5 V
CC
+ 0.5
±
20
±
25
±
50
750
500
450
DC输出电压(参考GND)
DC输入电流,每个引脚
mA
mA
mA
直流输出电流,每个引脚
I
CC
直流电源电流,V
CC
和GND引脚
功率消耗在静止空气中,
塑料DIP †
SOIC封装†
TSSOP封装†
mW
T
英镑
T
L
储存温度
- 65至+ 150
260
_C
_C
焊接温度1毫米的表壳,持续10秒
塑料DIP , SOIC和TSSOP封装
该器件包含保护
电路,以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是,必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压,这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作,V
in
和
V
OUT
应限制到
范围GND
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
CC
.
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平(例如, GND或V
CC
).
未使用的输出必须悬空。
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力
收视率而已。以上推荐工作条件的功能操作不暗示。
长期暴露在压力高于推荐的工作条件下可能影响器件
可靠性。
†降额 - 塑料DIP : - 10毫瓦/ _C从65_至125_C
SOIC封装: - 7毫瓦/ _C从65_至125_C
TSSOP封装:
−
6.1毫瓦/ _C从65_至125_C
对于高频率或高负载事项,请参见安森美半导体的高速CMOS数据手册( DL129 / D)的第2章。
ÎÎÎ Î Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ Î Î
Î Î Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î
符号
V
CC
参数
民
2.0
0
最大
6.0
单位
V
V
直流电源电压(参考GND)
直流输入电压,输出电压
(参考GND)
V
in
, V
OUT
T
A
V
CC
工作温度,所有封装类型
输入上升和下降时间
(图1)
– 55
0
0
0
+ 125
1000
500
400
_C
ns
t
r
, t
f
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
推荐工作条件
http://onsemi.com
2
MC74HC08A
DC特性
(电压参考GND)
符号
V
IH
参数
最低高电平输入电压
条件
V
OUT
= 0.1V或V
CC
−0.1V
|I
OUT
|
≤
20mA
V
CC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
|I
OUT
|
≤
2.4mA
|I
OUT
|
≤
4.0mA
|I
OUT
|
≤
5.2mA
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
|I
OUT
|
≤
2.4mA
|I
OUT
|
≤
4.0mA
|I
OUT
|
≤
5.2mA
3.0
4.5
6.0
6.0
6.0
保证限额
−55
至25℃
1.50
2.10
3.15
4.20
0.50
0.90
1.35
1.80
1.9
4.4
5.9
2.48
3.98
5.48
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
0.26
±0.1
1.0
≤85°C
1.50
2.10
3.15
4.20
0.50
0.90
1.35
1.80
1.9
4.4
5.9
2.34
3.84
5.34
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
0.33
±1.0
10
≤125°C
1.50
2.10
3.15
4.20
0.50
0.90
1.35
1.80
1.9
4.4
5.9
2.20
3.70
5.20
0.1
0.1
0.1
0.40
0.40
0.40
±1.0
40
mA
mA
V
单位
V
V
IL
最大低电平输入电压
V
OUT
= 0.1V或V
CC
−
0.1V
|I
OUT
|
≤
20mA
V
V
OH
最小高电平输出电压
V
in
= V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
≤
20mA
V
in
=V
IH
或V
IL
V
V
OL
最大低电平输出电压
V
in
= V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
≤
20mA
V
in
= V
IH
或V
IL
I
in
I
CC
最大输入漏电流
最大静态电源
电流(每包)
V
in
= V
CC
或GND
V
in
= V
CC
或GND
I
OUT
= 0毫安
注:关于典型参数值可以在安森美半导体的高速CMOS数据手册( DL129 / D)的第2章中找到。
AC特性
(C
L
= 50pF的,输入吨
r
= t
f
= 6ns的)
符号
t
PLH
,
t
PHL
参数
最大传输延迟,输入A或B到输出Y
(图1和图2)
V
CC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
保证限额
−55
至25℃
75
30
15
13
75
27
15
13
10
≤85°C
95
40
19
16
95
32
19
16
10
≤125°C
110
55
22
19
110
36
22
19
10
单位
ns
t
TLH
,
t
THL
最大输出转换时间,任何输出
(图1和图2)
ns
C
in
最大输入电容
pF
注:对于传播延迟与其他负载50 pF的,并在典型参数值的信息,请参阅ON第2章
半导体高速CMOS数据手册( DL129 / D) 。
典型的25°C ,V
CC
= 5.0 V, V
EE
= 0 V
C
PD
功率耗散电容(每缓冲器) *
20
pF
*用于确定无负载的动态功耗:P
D
= C
PD
V
CC 2
F +我
CC
V
CC
。对于负载的考虑,见第2章
安森美半导体的高速CMOS数据手册( DL129 / D) 。
http://onsemi.com
4