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电子元器件数据表 IC PDF查询 |
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| PDU18F-8M PDU-20-250 AD580JCSA PDU18F-3C5 AD582KD PDU18F-.5M PDU18F-.5 AD581UH/883B AD580LCSA AD580KCSA | ||||||||||
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 MMBT2222LT1, MMBT2222ALT1 MMBT2222ALT1是首选设备 通用 晶体管 NPN硅 http://onsemi.com 特点 集热器 3 • 无铅封装可用。在G-后缀是指一个 无铅无铅封装 最大额定值 等级 集电极发射极电压 MMBT2222LT1 MMBT2222ALT1 集电极基极电压 MMBT2222LT1 MMBT2222ALT1 发射极基极电压连续 MMBT2222LT1 MMBT2222ALT1 连续集电极电流 - 热特性 特征 器件总功耗 FR - 5委员会（注1 ） T A = 25°C 减免上述25℃ 热阻 结到环境 器件总功耗 氧化铝基板（注2） T A = 25°C 减免上述25℃ 热阻 结到环境 结存储 温度范围 符号 P D 最大 225 1.8 R qJA P D 556 300 2.4 R qJA T J , T 英镑 417 -55〜 +150 单位 mW 毫瓦/°C的 ° C / W mW 毫瓦/°C的 ° C / W °C MMBT2222ALT1 MMBT2222ALT1G MMBT2222LT3 MMBT2222ALT3 MMBT2222ALT3G 符号 V 首席执行官 30 40 V CBO 60 75 V EBO 5.0 6.0 I C 600 MADC VDC 1 2 价值 单位 VDC 1 BASE 2 辐射源 VDC 3 记号 图 XXX M SOT−23 CASE 318 类型6 XXX =具体设备守则 = （ M1B = MMBT2222LT1 ， = 1P = MMBT2222ALT1 ） M =日期代码 订购信息 设备 MMBT2222LT1 MMBT2222LT1G 包 SOT−23 SOT−23 （无铅） SOT−23 SOT−23 （无铅） SOT−23 SOT−23 航运 † 3000 /磁带&卷轴 3000 /磁带&卷轴 3000 /磁带&卷轴 3000 /磁带&卷轴 万/磁带&卷轴 万/磁带&卷轴 最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。 施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不 正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制 超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和 可靠性可能受到影响。 1， FR - 5 = 1.0 0.75 0.062英寸 2.氧化铝= 0.4 0.3 0.024英寸99.5 ％的氧化铝。 SOT- 23万/磁带&卷轴 （无铅） † 。有关磁带和卷轴规格， 包括部分方向和磁带大小，请 请参阅我们的磁带和卷轴包装规格 宣传册， BRD8011 / D 。 首选 装置被推荐用于将来使用的选择 和最佳的整体价值。 © 半导体元件工业有限责任公司， 2004年 1 2004年9月 - 修订版5 出版订单号： MMBT2222LT1/D
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