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描述:
PDU18F-8M  PDU-20-250  AD580JCSA  PDU18F-3C5  AD582KD  PDU18F-.5M  PDU18F-.5  AD581UH/883B  AD580LCSA  AD580KCSA  
MMBT2222LT1G 通用晶体管 (General Purpose Transistors)
.型号:   MMBT2222LT1G
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描述: 通用晶体管
General Purpose Transistors
文件大小 :   129 K    
页数 : 8 页
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品牌   ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
购买 :   
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100%
MMBT2222LT1,
MMBT2222ALT1
MMBT2222ALT1是首选设备
通用
晶体管
NPN硅
http://onsemi.com
特点
集热器
3
无铅封装可用。在G-后缀是指一个
无铅无铅封装
最大额定值
等级
集电极发射极电压
MMBT2222LT1
MMBT2222ALT1
集电极基极电压
MMBT2222LT1
MMBT2222ALT1
发射极基极电压连续
MMBT2222LT1
MMBT2222ALT1
连续集电极电流 -
热特性
特征
器件总功耗
FR - 5委员会(注1 )
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻
结到环境
器件总功耗
氧化铝基板(注2)
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻
结到环境
结存储
温度范围
符号
P
D
最大
225
1.8
R
qJA
P
D
556
300
2.4
R
qJA
T
J
, T
英镑
417
-55〜
+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
MMBT2222ALT1
MMBT2222ALT1G
MMBT2222LT3
MMBT2222ALT3
MMBT2222ALT3G
符号
V
首席执行官
30
40
V
CBO
60
75
V
EBO
5.0
6.0
I
C
600
MADC
VDC
1
2
价值
单位
VDC
1
BASE
2
辐射源
VDC
3
记号
XXX M
SOT−23
CASE 318
类型6
XXX =具体设备守则
=
( M1B = MMBT2222LT1 ,
=
1P = MMBT2222ALT1 )
M =日期代码
订购信息
设备
MMBT2222LT1
MMBT2222LT1G
SOT−23
SOT−23
(无铅)
SOT−23
SOT−23
(无铅)
SOT−23
SOT−23
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值(不
正常工作条件下),并同时无效。如果这些限制
超标,设备功能操作不暗示,可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1, FR - 5 = 1.0

0.75

0.062英寸
2.氧化铝= 0.4

0.3

0.024英寸99.5 %的氧化铝。
SOT- 23万/磁带&卷轴
(无铅)
† 。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
©
半导体元件工业有限责任公司, 2004年
1
2004年9月 - 修订版5
出版订单号:
MMBT2222LT1/D
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