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MMBT2222LT1,
MMBT2222ALT1
MMBT2222ALT1是首选设备
通用
晶体管
NPN硅
http://onsemi.com
特点
集热器
3
•
无铅封装可用。在G-后缀是指一个
无铅无铅封装
最大额定值
等级
集电极发射极电压
MMBT2222LT1
MMBT2222ALT1
集电极基极电压
MMBT2222LT1
MMBT2222ALT1
发射极基极电压连续
MMBT2222LT1
MMBT2222ALT1
连续集电极电流 -
热特性
特征
器件总功耗
FR - 5委员会（注1 ）
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻
结到环境
器件总功耗
氧化铝基板（注2）
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻
结到环境
结存储
温度范围
符号
P
D
最大
225
1.8
R
qJA
P
D
556
300
2.4
R
qJA
T
J
, T
英镑
417
-55〜
+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
MMBT2222ALT1
MMBT2222ALT1G
MMBT2222LT3
MMBT2222ALT3
MMBT2222ALT3G
符号
V
首席执行官
30
40
V
CBO
60
75
V
EBO
5.0
6.0
I
C
600
MADC
VDC
1
2
价值
单位
VDC
1
BASE
2
辐射源
VDC
3
记号
图
XXX M
SOT−23
CASE 318
类型6
XXX =具体设备守则
=
（ M1B = MMBT2222LT1 ，
=
1P = MMBT2222ALT1 ）
M =日期代码
订购信息
设备
MMBT2222LT1
MMBT2222LT1G
包
SOT−23
SOT−23
（无铅）
SOT−23
SOT−23
（无铅）
SOT−23
SOT−23
航运
†
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1， FR - 5 = 1.0
0.75
0.062英寸
2.氧化铝= 0.4
0.3
0.024英寸99.5 ％的氧化铝。
SOT- 23万/磁带&卷轴
（无铅）
† 。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
©
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年9月 - 修订版5
出版订单号：
MMBT2222LT1/D
MMBT2222LT1 ， MMBT2222ALT1
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集电极发射极击穿电压（I
C
= 10 MADC ，我
B
= 0)
集电极基极击穿电压（I
C
= 10
MADC ，
I
E
= 0)
发射-Base击穿电压（I
E
= 10
MADC ，
I
C
= 0)
集电极截止电流（V
CE
= 60 VDC ，V
EB （O FF ）
= 3.0伏）
集电极截止电流（V
CB
= 50伏直流，我
E
= 0)
(V
CB
= 60 VDC ，我
E
= 0)
(V
CB
= 50伏直流，我
E
= 0, T
A
= 125°C)
(V
CB
= 60 VDC ，我
E
= 0, T
A
= 125°C)
发射极截止电流（V
EB
= 3.0伏，我
C
= 0)
底座截止电流（V
CE
= 60 VDC ，V
EB （O FF ）
= 3.0伏）
基本特征
直流电流增益
(I
C
= 0.1 MADC ，V
CE
= 10 VDC ）
(I
C
= 1.0 MADC ，V
CE
= 10 VDC ）
(I
C
= 10 MADC ，V
CE
= 10 VDC ）
(I
C
= 10 MADC ，V
CE
= 10 VDC ，T
A
= −55°C)
(I
C
= 150 MADC ，V
CE
= 10 VDC ）（注3 ）
(I
C
= 150 MADC ，V
CE
= 1.0伏） （注3）
(I
C
= 500 MADC ，V
CE
= 10 VDC ）（注3 ）
集电极发射极饱和电压（注3 ）
(I
C
= 150 MADC ，我
B
= 15 MADC ）
(I
C
= 500 MADC ，我
B
= 50 MADC ）
基地发射极饱和电压（注3）
(I
C
= 150 MADC ，我
B
= 15 MADC ）
(I
C
= 500 MADC ，我
B
= 50 MADC ）
小信号特性
电流 - 获得 - 带宽积（注4 ）
(I
C
= 20 MADC ，V
CE
= 20伏， F = 100兆赫）
输出电容
(V
CB
= 10 VDC ，我
E
= 0中，f = 1.0 MHz）的
输入电容
(V
EB
= 0.5伏，我
C
= 0中，f = 1.0 MHz）的
输入阻抗
(I
C
= 1.0 MADC ，V
CE
= 10 VDC ， F = 1.0千赫）
(I
C
= 10 MADC ，V
CE
= 10 VDC ， F = 1.0千赫）
电压反馈比例
(I
C
= 1.0 MADC ，V
CE
= 10 VDC ， F = 1.0千赫）
(I
C
= 10 MADC ，V
CE
= 10 VDC ， F = 1.0千赫）
小-Signal电流增益
(I
C
= 1.0 MADC ，V
CE
= 10 VDC ， F = 1.0千赫）
(I
C
= 10 MADC ，V
CE
= 10 VDC ， F = 1.0千赫）
MMBT2222
MMBT2222A
h
ie
MMBT2222A
MMBT2222A
h
re
MMBT2222A
MMBT2222A
h
fe
MMBT2222A
MMBT2222A
50
75
300
375
−
−
8.0
4.0
−
2.0
0.25
8.0
1.25
X 10
− 4
f
T
MMBT2222
MMBT2222A
C
敖包
−
C
IBO
−
−
30
25
kW
8.0
pF
250
300
−
−
pF
兆赫
h
FE
35
50
75
35
100
50
30
40
V
CE （ SAT ）
MMBT2222
MMBT2222A
MMBT2222
MMBT2222A
V
BE （ SAT ）
MMBT2222
MMBT2222A
MMBT2222
MMBT2222A
−
0.6
−
−
1.3
1.2
2.6
2.0
−
−
−
−
0.4
0.3
1.6
1.0
VDC
−
−
−
−
300
−
−
−
VDC
−
MMBT2222
MMBT2222A
MMBT2222
MMBT2222A
MMBT2222
MMBT2222A
MMBT2222A
MMBT2222
MMBT2222A
MMBT2222
MMBT2222A
MMBT2222A
MMBT2222A
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
CEX
I
CBO
30
40
60
75
5.0
6.0
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
10
0.01
0.01
10
10
100
20
VDC
VDC
VDC
NADC
MADC
符号
民
最大
单位
I
EBO
I
BL
NADC
NADC
只有MMBT2222A
MMBT2222
MMBT2222A
3.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2.0%.
4. f
T
被定义为频率在哪些| H
fe
|推断团结。
http://onsemi.com
2
MMBT2222LT1 ， MMBT2222ALT1
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
小信号特性
输出导纳
(I
C
= 1.0 MADC ，V
CE
= 10 VDC ， F = 1.0千赫）
(I
C
= 10 MADC ，V
CE
= 10 VDC ， F = 1.0千赫）
集电极基时间常数
(I
E
= 20 MADC ，V
CB
= 20伏， F = 31.8兆赫）
h
oe
MMBT2222A
MMBT2222A
RB ，C
c
MMBT2222A
NF
−
4.0
−
150
dB
5.0
25
35
200
ps
毫姆欧
符号
民
最大
单位
噪声系数
(I
C
= 100
MADC ，
V
CE
= 10伏，R
S
= 1.0千瓦， F = 1.0千赫） MMBT2222A
开关特性（ MMBT2222A只）
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
(V
CC
= 30伏直流电，V
BE （OFF）的
= - 0.5伏直流电，
I
C
= 150 MADC ，我
B1
= 15 MADC ）
(V
CC
= 30伏直流电，我
C
= 150 MADC ，
I
B1
= I
B2
= 15 MADC ）
t
d
t
r
t
s
t
f
−
−
−
−
10
25
225
60
ns
ns
3.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2.0%.
4. f
T
被定义为频率在哪些| H
fe
|推断团结。
切换时间等效测试电路
+30 V
+16 V
0
−2 V
1.0-100
女士，
占空比
≈
2.0%
1 KW
＆ LT ; 2纳秒
200
+16 V
0
C
S
* < 10 pF的
−14 V
< 20纳秒
1.0-100
女士，
占空比
≈
2.0%
1k
1N914
+30 V
200
C
S
* < 10 pF的
−4 V
范围上升时间< 4纳秒
*测试夹具，连接器和示波器的总并联电容。
图1.开启时间
图2.开启，关闭时间
http://onsemi.com
3
MMBT2222LT1 ， MMBT2222ALT1
1000
700
500
的hFE ， DC电流增益
300
200
100
70
50
30
20
10
0.1
0.2
0.3
0.5 0.7
1.0
2.0
3.0
25°C
−55°C
V
CE
= 1.0 V
V
CE
= 10 V
5.0 7.0 10
20 30
I
C
，集电极电流（毫安）
50
70
100
200
300
500 700 1.0 k
T
J
= 125°C
图3.直流电流增益
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
1.0
T
J
= 25°C
0.8
0.6
I
C
= 1.0毫安
10毫安
150毫安
500毫安
0.4
0.2
0
0.005
0.01
0.02 0.03
0.05
0.1
0.2
0.3
0.5
1.0
I
B
，基极电流（毫安）
2.0
3.0
5.0
10
20
30
50
图4.集电极饱和区
http://onsemi.com
4
MMBT2222LT1 ， MMBT2222ALT1
200
100
70
50
T， TIME （ NS ）
30
20
10
7.0
5.0
3.0
2.0
5.0 7.0
10
200 300
20 30
50 70 100
I
C
，集电极电流（毫安）
500
I
C
/I
B
= 10
T
J
= 25°C
t
r
@ V
CC
= 30 V
t
d
@ V
EB （O FF ）
= 2.0 V
t
d
@ V
EB （O FF ）
= 0
500
300
200
100
70
50
30
20
10
7.0
5.0
t′
s
= t
s
− 1/8 t
f
V
CC
= 30 V
I
C
/I
B
= 10
I
B1
= I
B2
T
J
= 25°C
T， TIME （ NS ）
t
f
5.0 7.0 10
20 30
50 70 100
I
C
，集电极电流（毫安）
200
300
500
图5.开启-On时间
图6.打开-Off时间
10
8.0
I
C
= 1.0毫安，R
S
= 150
W
500
毫安，
R
S
= 200
W
100
毫安，
R
S
= 2.0千瓦
50
毫安，
R
S
= 4.0千瓦
R
S
=优化
R
S
=
来源
R
S
=
阻力
10
F = 1.0千赫
8.0
NF ，噪声系数（dB ）
I
C
= 50
mA
100
mA
500
mA
1.0毫安
NF ，噪声系数（dB ）
6.0
6.0
4.0
4.0
2.0
0
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2
2.0
0
50
0.5 1.0 2.0
5.0 10
20
50 100
100 200
500 1.0 k 2.0 k
5.0 k 10 k 20 k
50 k 100 k
男，频率（KHz ）
R
S
，源电阻（欧姆）
图7.频率的影响
F T ，电流增益带宽积（兆赫）
图8.源电阻的影响
30
20
电容（pF）
C
eb
10
7.0
5.0
C
cb
3.0
2.0
0.1
500
V
CE
= 20 V
T
J
= 25°C
300
200
100
70
50
1.0
2.0
3.0
5.0 7.0 10
20 30
I
C
，集电极电流（毫安）
50
70 100
0.2 0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0 5.0 7.0 10
反向电压（伏）
20 30
50
图9.的电容
图10.电流增益带宽积
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5
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