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DL5232  DL5229  DL5249B  DL5227  DL50-F1  DL4SNA  DL5234  DL5243B  DL5241  DL4SNE  
MMDF6N03HDR2 功率MOSFET 6安培, 30伏 (Power MOSFET 6 Amps, 30 Volts)
.型号:   MMDF6N03HDR2
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描述: 功率MOSFET 6安培, 30伏
Power MOSFET 6 Amps, 30 Volts
文件大小 :   236 K    
页数 : 10 页
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品牌   ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
购买 :   
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100%
MMDF6N03HD
首选设备
功率MOSFET
6安培, 30伏
N沟道SO- 8 ,双
这些微型表面贴装MOSFET具有低R
DS ( ON)
真正的逻辑电平性能。双MOSFET器件被设计为
使用低电压,高速开关应用中的功率
效率是很重要的。典型的应用是直流 - 直流转换器,并
电源管理在便携式电池供电的产品如
计算机,打印机,蜂窝和无绳电话。它们也可以是
用于在大容量存储的产品,例如低电压电机控制
磁盘驱动器和磁带驱动器。
低R
DS ( ON)
提供更高的效率和延长电池寿命
逻辑电平栅极驱动器
可以通过逻辑IC驱动
小型SO- 8表面贴装封装
节省电路板空间
二极管电桥电路的特点是使用
二极管具有高转速,软恢复
I
DSS
指定高温
安装信息的SO- 8封装提供
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
等级
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续
漏电流
连续@ T
A
= 25°C
漏电流
单脉冲(T
p
10
μs)
源出电流
连续@ T
A
= 25°C
总功率耗散@ T
A
= 25°C
(注1 )
工作和存储温度范围
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源
起始物为
J
= 25°C
(V
DD
= 30伏直流电,V
GS
= 5.0伏,
V
DS
= 20伏直流,我
L
= 9.0 APK ,
L = 10 mH的,R
G
= 25
W)
热阻
结到环境
最大无铅焊接温度的
目的, 1/8“案件从10秒。
符号
V
DSS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
E
AS
价值
30
±
20
6.0
30
1.7
2.0
55〜
150
325
单位
VDC
VDC
ADC
APK
ADC
°C
mJ
SO - 8 ,双
CASE 751
风格11
1
D6N03
L
Y
WW
=器件代码
=地点代码
=年
=工作周
D6N03
LYWW
http://onsemi.com
6安培
30伏特
R
DS ( ON)
= 35毫瓦
N沟道
D
D
G
S
G
S
记号
8
引脚分配
R
θJA
T
L
62.5
260
° C / W
°C
Source−1
Gate−1
Source−2
Gate−2
1
2
3
4
8
7
6
5
Drain−1
Drain−1
Drain−2
Drain−2
1.使用最小安装在G10 / FR4玻璃环氧树脂板推荐
足迹。
顶视图
订购信息
设备
MMDF6N03HDR2
SO−8
航运
2500磁带&卷轴
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
©
半导体元件工业有限责任公司, 2006年
2006年8月,
第4版
1
出版订单号:
MMDF6N03HD/D
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