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MMDF6N03HD
首选设备
功率MOSFET
6安培, 30伏
N沟道SO- 8 ,双
这些微型表面贴装MOSFET具有低R
DS ( ON)
真正的逻辑电平性能。双MOSFET器件被设计为
使用低电压,高速开关应用中的功率
效率是很重要的。典型的应用是直流 - 直流转换器,并
电源管理在便携式电池供电的产品如
计算机,打印机,蜂窝和无绳电话。它们也可以是
用于在大容量存储的产品,例如低电压电机控制
磁盘驱动器和磁带驱动器。
低R
DS ( ON)
提供更高的效率和延长电池寿命
逻辑电平栅极驱动器
可以通过逻辑IC驱动
小型SO- 8表面贴装封装
节省电路板空间
二极管电桥电路的特点是使用
二极管具有高转速,软恢复
I
DSS
指定高温
安装信息的SO- 8封装提供
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
等级
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续
漏电流
连续@ T
A
= 25°C
漏电流
单脉冲(T
p
10
μs)
源出电流
连续@ T
A
= 25°C
总功率耗散@ T
A
= 25°C
(注1 )
工作和存储温度范围
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源
起始物为
J
= 25°C
(V
DD
= 30伏直流电,V
GS
= 5.0伏,
V
DS
= 20伏直流,我
L
= 9.0 APK ,
L = 10 mH的,R
G
= 25
W)
热阻
结到环境
最大无铅焊接温度的
目的, 1/8“案件从10秒。
符号
V
DSS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
E
AS
价值
30
±
20
6.0
30
1.7
2.0
55〜
150
325
单位
VDC
VDC
ADC
APK
ADC
°C
mJ
SO - 8 ,双
CASE 751
风格11
1
D6N03
L
Y
WW
=器件代码
=地点代码
=年
=工作周
D6N03
LYWW
http://onsemi.com
6安培
30伏特
R
DS ( ON)
= 35毫瓦
N沟道
D
D
G
S
G
S
记号
8
引脚分配
R
θJA
T
L
62.5
260
° C / W
°C
Source−1
Gate−1
Source−2
Gate−2
1
2
3
4
8
7
6
5
Drain−1
Drain−1
Drain−2
Drain−2
1.使用最小安装在G10 / FR4玻璃环氧树脂板推荐
足迹。
顶视图
订购信息
设备
MMDF6N03HDR2
SO−8
航运
2500磁带&卷轴
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
©
半导体元件工业有限责任公司, 2006年
2006年8月,
第4版
1
出版订单号:
MMDF6N03HD/D
MMDF6N03HD
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
特征
开关特性
漏极至源极击穿电压
(V
GS
= 0伏,我
D
= 0.25 MADC )
零栅极电压漏极电流
(V
DS
= 24伏,V
GS
= 0伏)
(V
DS
= 24伏,V
GS
= 0伏,T
J
= 125°C)
门体漏电流(Ⅴ
GS
=
±20
VDC ,V
DS
= 0伏)
基本特征
(注1 )
栅极阈值电压
(V
DS
= V
GS
, I
D
= 0.25 MADC )
阈值温度系数(负)
静态漏 - 源极导通电阻
(V
GS
= 10 VDC ,我
D
= 5.0 ADC)
(V
GS
= 4.5伏,我
D
= 3.9 ADC)
正向跨导(V
DS
= 15 VDC ,我
D
= 5.0 ADC)
动态特性
输入电容
输出电容
传输电容
开关特性
(注2 )
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
栅极电荷
(参见图8)
(V
DD
= 15 VDC ,
V
GS
= 10 VDC ,
I
D
= 1.0 ADC ,
R
G
= 6.0
Ω)
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
T
(V
DS
= 15 VDC ,
I
D
= 5.0 ADC ,
V
GS
= 10 VDC )
Q
1
Q
2
Q
3
源极 - 漏极二极管的特性
在正向电压
(I
S
= 1.7 ADC ,V
GS
= 0伏)
(I
S
= 1.7 ADC ,V
GS
= 0伏,
T
J
= 125°C)
V
SD
VDC
0.77
0.65
54.5
14.8
39.7
0.048
1.2
μC
ns
8.2
8.48
89.6
61.1
11.8
51.3
47.2
62
15.7
2.0
4.6
3.86
16.4
16.9
179
122
23
102
94.5
104
31.4
nC
ns
ns
(V
DS
= 24伏,
V
GS
= 0伏,
F = 1.0兆赫)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
430
217
67.5
600
300
135
pF
V
GS ( TH)
VDC
1.0
28
42
9.0
35
50
姆欧
V
( BR ) DSS
I
DSS
VDC
30
1.0
20
100
μAdc
符号
典型值
最大
单位
I
GSS
NADC
R
DS ( ON)
g
FS
(V
DD
= 15 VDC ,
V
GS
= 4.5伏,
I
D
= 1.0 ADC ,
R
G
= 6.0
Ω)
反向恢复时间
(I
S
= 5.0 ADC ,V
GS
= 0伏,
dI
S
/ DT = 100 A / μs)内
反向恢复电荷存储
1.脉冲测试:脉冲宽度
300
μs,
占空比
2%.
2.开关特性是独立的工作结温。
t
rr
t
a
t
b
Q
RR
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2
MMDF6N03HD
典型电气特性
12
10 V
ID ,漏极电流( AMPS )
10
8.0
6.0
4.0
2.0
0
6.0 V
4.5 V
4.3 V
4.1 V
3.5 V
3.9 V
3.7 V
12
10
8.0
6.0
100°C
4.0
2.0
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
V
DS
,漏极至源极电压(伏)
V
GS
,栅极至源极电压(伏)
T
J
= −55°C
25°C
V
DS
10 V
T
J
= 25°C
ID ,漏极电流( AMPS )
3.3 V
3.1 V
2.9 V
V
GS
= 2.5 V
2.7 V
图1.区域特征
R DS ( ON) ,漏极至源极电阻(欧姆)
R DS ( ON) ,漏极至源极电阻(欧姆)
图2.传输特性
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0
2.0
T
J
= 25°C
I
D
= 6 A
0.050
T
J
= 25°C
0.045
V
GS
= 4.5 V
0.040
0.035
0.030
10 V
0.025
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
I
D
,漏极电流( AMPS )
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10
V
GS
,栅极至源极电压(伏)
R DS ( ON) ,漏极至源极电阻(标准化)
图3.导通电阻与
栅极 - 源极电压
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
−50
0.1
−25
0
25
50
75
100
125
150
0
V
GS
= 10 V
I
D
= 3 A
智能决策支持系统,漏电( NA)
100
1000
图4.导通电阻与漏电流
与栅极电压
V
GS
= 0 V
T
J
= 125°C
100°C
10
1.0
25°C
5.0
10
15
20
25
30
T
J
,结温( ° C)
V
DS
,漏极至源极电压(伏)
图5.导通电阻变化与
温度
图6.漏极 - 源极漏
电流与电压
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3
MMDF6N03HD
功率MOSFET开关
交换行为是最容易建模和预测
由认识到功率MOSFET是充电
控制。各种开关间隔的长度(ΔT)
由如何快速FET输入电容可确定
从发电机通过电流进行充电。
已发布的电容数据是难以用于
计算的上升和下降,因为漏 - 栅电容
变化很大随施加电压。因此,门
电荷数据被使用。在大多数情况下,令人满意的估计
平均输入电流(I
G( AV )
)可以由一个作
驱动电路,使得基本的分析
T = Q / I
G( AV )
在上升和下降时间间隔切换时,
阻性负载,V
GS
实际上保持恒定的水平
被誉为高原电压,V
SGP
。因此,上升和下降
时间可近似由下:
t
r
= Q
2
个R
G
/(V
GG
V
普遍优惠制
)
t
f
= Q
2
个R
G
/V
普遍优惠制
哪里
V
GG
=栅极驱动电压,其中从0变到V
GG
R
G
=栅极驱动电阻
和Q
2
和V
普遍优惠制
从栅极电荷曲线读取。
在导通和关断延迟时间,栅极电流是
不是恒定的。最简单的计算使用合适的
在一个标准方程用于从所述电容值曲线
电压的变化的RC网络。该方程为:
t
D(上)
= R
G
C
国际空间站
在[V
GG
/(V
GG
V
普遍优惠制
)]
t
D(关闭)
= R
G
C
国际空间站
在(V
GG
/V
普遍优惠制
)
1200
T
J
= 25°C
1000
C,电容(pF )
800
600
C
国际空间站
400
C
OSS
200
0
−10
−5.0
V
GS
0
V
DS
5.0
10
15
20
25
30
C
RSS
的电容(C
国际空间站
)从电容曲线上读出在
对应于关断状态的条件时的电压
计算牛逼
D(上)
和读出在对应于一个电压
导通状态时,计算吨
D(关闭)
.
在高开关速度,寄生电路元件
复杂的分析。 MOSFET的电感
源引,内包装,在电路布线
这是通用的漏极和栅极的电流路径,
产生一个电压,在这减小了栅极驱动器的源
电流。该电压由Ldi上/ dt的测定,但由于di / dt的
是漏极电流的函数,在数学溶液
复杂的。 MOSFET的输出电容也
复杂的数学。最后, MOSFET的
有限的内部栅极电阻,有效地增加了
所述驱动源的电阻,但内阻
难以测量,因此,没有被指定。
电阻开关时间变化与门
电阻(图9)显示了如何典型开关
性能由寄生电路元件的影响。如果
寄生效应不存在时,曲线的斜率将
保持统一的值,而不管开关速度。
用于获得所述数据的电路被构造以最小化
在漏极和栅极电路环路共同电感和
被认为是很容易达到的板装
组件。大多数电力电子负载是感性的;该
图中的数据是使用电阻性负载,其
近似​​的最佳冷落感性负载。动力
的MOSFET可以安全运行成一个感性负载;
然而,不压井作业减少了开关损耗。
V
DS
,漏极至源极电压(伏)
图7.电容变化
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4
MMDF6N03HD
VGS ,栅极至源极电压(伏)
12
11
10
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
Q3
0
2.0
4.0
6.0
8.0
10
V
DS
12
14
0
16
Q1
Q2
QT
V
GS
30
1000
V
DD
= 15 V
I
D
= 6 A
V
GS
= 10 V
T
J
= 25°C
V DS ,漏极至源极电压(伏)
20
100
T, TIME ( NS )
t
D(关闭)
t
f
t
r
t
D(上)
I
D
= 5 A
T
J
= 25°C
10
10
1.0
1.0
10
R
G
,栅极电阻(欧姆)
100
Q
g
,总栅极电荷( NC)
图8.栅极至源极和漏极 - 源
电压与总充电
图9.电阻开关时间
变化与栅极电阻
漏极至源极二极管特性
的MOSFET的体二极管的开关特性
在系统中非常重要的使用它作为一个续流或
整流二极管。特别令人感兴趣的是在反向
其中在起主要作用的恢复特性
确定开关损耗,辐射噪声, EMI和RFI 。
系统的开关损耗主要是由于性质
体二极管本身。体二极管是少数载流子
设备,因此,它具有有限的反向恢复时间t
rr
由于
对少数载流子电荷Q的存储
RR
,如图
图15.典型的反向恢复波形正是这种
存储的电荷,从所述二极管被清除时,通过
通过一个电位,并限定了能量损失。显然,
多次强迫通过反向恢复二极管
进一步增加了开关损耗。因此,一会
像短T二极管
rr
和低Q
RR
规格
尽量减少这些损失。
二极管的反向恢复的突然影响
辐射噪声,尖峰电压和电流的量
响。在工作​​机制是有限的不可移动
电路的寄生电感和电容作用于其
5.0
4.5
IS ,源电流(安培)
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0.50
0.55
0.60
0.65
0.70
0.75
0.80
0.85
0.90
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
高di / DTS 。吨时二极管的负的di / dt
a
直接
由设备清除所存储的电荷来控制。
然而,叔在正面的di / dt
b
是一种不可控的
二极管特性,并且通常是诱导的罪魁祸首
电流振荡。因此,比较二极管时,该
吨的比例
b
/t
a
作为恢复的一个很好的指标
突然性,从而给出了一个估计的比较
可能产生的噪声。的1的比率被认为是理想的,并
值小于0.5被认为是活泼的。
相较于安森美半导体标准单元密度
低电压的MOSFET ,高细胞密度的MOSFET二极管
为更快(更短吨
rr
) ,有较少的存储电荷和柔软
的反向恢复特性。的柔软性优势
在高细胞密度二极管装置,它们可以通过被强制
反向恢复在较高的di / dt大于一个标准信元
在不增加电流振荡或MOSFET的二极管
产生的噪声。另外,功率耗散所产生
从开关二极管将不太由于较短
恢复时间和更低的开关损耗。
V
SD
,源极到漏极电压(伏)
图10.二极管的正向电压与电流
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