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MMSZ5221ET1系列
首选设备
齐纳稳压器
500 mW的SOD- 123表面贴装
三全系列齐纳二极管的方便提供,
表面贴装塑料SOD- 123封装。这些器件提供了一个
方便的替代无铅34封装形式。
特点
http://onsemi.com
500毫瓦级别的FR- 4和FR- 5局
广齐纳反向电压范围 - 2.4 V至110 V
包装最优设计自动化委员会汇编
小封装尺寸为高密度应用
通用,中等电流
ESD等级3级( >16 KV )每人体模型
峰值功率 - 225 W( 8
x
20
女士)
无铅包可用
1
阴极
2
阳极
2
1
SOD−123
CASE 425
风格1
机械特性:
案例:
无空隙,传递模塑,热固性塑料外壳
表面处理:
完成耐腐蚀,易焊
最大外壳焊接温度的目的:
标记图
260℃ 10秒
极性:
阴极指示的极性带
可燃性等级:
符合UL 94 V -0
最大额定值
等级
峰值功耗@ 20
ms
(注1 )
@ T
L
25°C
总功耗的FR- 5局,
(注3 ) @ T
L
= 75°C
75°C以上降额
热阻(注2 )
结到环境
热阻(注2 )
结到铅
结温和存储温度范围
符号
P
pk
P
D
500
6.7
R
qJA
R
qJL
T
J
, T
英镑
340
150
-55〜
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
设备
MMSZ52xxET1
最大
225
单位
W
1
XXX M
G
G
XXX =设备代码(参见第2页)
M
=日期代码
G
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
订购信息
SOD−123
SOD−123
(无铅)
SOD−123
SOD−123
(无铅)
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
10000 /磁带&卷轴
10000 /磁带&卷轴
MMSZ52xxET1G
° C / W
MMSZ52xxET3
°C
MMSZ52xxET3G
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
按照图11 1.非重复性电流脉冲。
通过红外线扫描方法得到2.热电阻测量。
3, FR - 5 = 3.5 ×1.5英寸,采用建议的最低足迹。
† 。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
器件标识信息
请参阅该设备的特定标识信息标识
电气特性表的第2页上栏
此数据表。
设备上市
粗体,斜体
是安森美半导体
首选
设备。
首选
设备推荐
选择以供将来使用和最佳的整体价值。
©
半导体元件工业有限责任公司, 2006年
1
2006年3月 - 修订版6
出版订单号:
MMSZ5221ET1/D
MMSZ5221ET1系列
电气特性
(T
A
= 25°C ,除非
另有说明,V
F
= 0.95 V最大。 @我
F
= 10 mA)的
符号
V
Z
I
ZT
Z
ZT
I
ZK
Z
ZK
I
R
V
R
I
F
V
F
参数
反向击穿电压@ I
ZT
反向电流
最大齐纳阻抗@ I
ZT
反向电流
最大齐纳阻抗@ I
ZK
反向漏电流@ V
R
反向电压
正向电流
正向电压@ I
F
V
Z
V
R
I
R
V
F
I
ZT
V
I
I
F
齐纳稳压器
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明,V
F
= 0.9 V最大。 @我
F
= 10 mA)的
齐纳电压
(注4和5)
设备
记号
CA1
CA3
CA6
CA8
CA9
CB2
CB3
CB5
CB6
CB7
CB8
CC2
CC4
CC5
CC6
CC7
CC8
CD1
CD3
CD5
V
Z
(V)
2.28
2.57
3.14
3.71
4.09
4.85
5.32
5.89
6.46
7.13
7.79
9.50
11.40
12.35
13.30
14.25
15.20
17.10
19.00
22.80
2.4
2.7
3.3
3.9
4.3
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
10
12
13
14
15
16
18
20
24
最大
2.52
2.84
3.47
4.10
4.52
5.36
5.88
6.51
7.14
7.88
8.61
10.50
12.60
13.65
14.70
15.75
16.80
18.90
21.00
25.20
@ I
ZT
mA
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
9.5
9.0
8.5
7.8
7.0
6.2
5.2
齐纳阻抗
(注6 )
Z
ZT
@ I
ZT
W
30
30
28
23
22
17
11
7
5
6
8
17
30
13
15
16
17
21
25
33
Z
ZK
@ I
ZK
W
1200
1300
1600
1900
2000
1600
1600
1000
750
500
500
600
600
600
600
600
600
600
600
600
mA
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
漏电流
I
R
@ V
R
mA
100
75
25
10
5
5
5
5
3
3
3
3
1
0.5
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
V
1
1
1
1
1
2
3
4
5
6
6.5
8
9.1
9.9
10
11
12
14
15
18
设备*
MMSZ5221ET1
MMSZ5223ET1
MMSZ5226ET1
MMSZ5228ET1
MMSZ5229ET1
MMSZ5231ET1
MMSZ5232ET1
MMSZ5234ET1
MMSZ5235ET1
MMSZ5236ET1
MMSZ5237ET1
MMSZ5240ET1
MMSZ5242ET1
MMSZ5243ET1
MMSZ5244ET1
MMSZ5245ET1
MMSZ5246ET1
MMSZ5248ET1
MMSZ5250ET1
MMSZ5252ET1
4所示的类型的数字有一个标准的公差
±5%
在额定齐纳电压。
5.额定齐纳电压测量在T处于热平衡装置结
L
= 30°C
$1°C.
6. Z
ZT
和Z
ZK
通过分割所施加的交流电流加在器件上的交流电压降进行测量。
在规定的限度是我
Z( AC)
= 0.1 I
Z( DC )
与AC频率= 1千赫。
*在“G ”后缀表示无铅封装。请参阅订购信息表第1页。
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2
MMSZ5221ET1系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明,V
F
= 0.9 V最大。 @我
F
= 10 mA)的
齐纳电压
(注4和5)
设备
记号
CD6
CD7
CD8
CD9
CE1
CE2
CE3
CE6
CE7
V
Z
(V)
23.75
25.65
26.60
28.50
31.35
34.20
37.05
48.45
53.20
25
27
28
30
33
36
39
51
56
最大
26.25
28.35
29.40
31.50
34.65
37.80
40.95
53.55
58.80
@ I
ZT
mA
5.0
4.6
4.5
4.2
3.8
3.4
3.2
2.5
2.2
齐纳阻抗
(注6 )
Z
ZT
@ I
ZT
W
35
41
44
49
58
70
80
125
150
Z
ZK
@ I
ZK
W
600
600
600
600
700
700
800
1100
1300
mA
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
漏电流
I
R
@ V
R
mA
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
V
19
21
21
23
25
27
30
39
43
设备*
MMSZ5253ET1
MMSZ5254ET1
MMSZ5255ET1
MMSZ5256ET1
MMSZ5257ET1
MMSZ5258ET1
MMSZ5259ET1
MMSZ5262ET1
MMSZ5263ET1
4所示的类型的数字有一个标准的公差
±5%
在额定齐纳电压。
5.额定齐纳电压测量在T处于热平衡装置结
L
= 30°C
$1°C.
6. Z
ZT
和Z
ZK
通过分割所施加的交流电流加在器件上的交流电压降进行测量。
在规定的限度是我
Z( AC)
= 0.1 I
Z( DC )
与AC频率= 1千赫。
*在“G ”后缀表示无铅封装。请参阅订购信息表第1页。
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3
MMSZ5221ET1系列
典型特征
q
VZ
,温度系数(毫伏/ ° C)
8
7
6
5
4
3
2
1
0
−1
−2
−3
V
Z
@ I
ZT
典型的牛逼
C
FOR MMSZ5221BT1系列
q
VZ
,温度系数(毫伏/ ° C)
100
典型的牛逼
C
FOR MMSZ5221BT1系列
V
Z
@ I
ZT
10
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
Z
,额定齐纳电压( V)
11
12
1
10
V
Z
,额定齐纳电压( V)
100
图1.温度系数
(温度范围 - 55 ° C至+ 150 ° C)
图2.温度系数
(温度范围 - 55 ° C至+ 150 ° C)
P
pk
,峰值浪涌功率(瓦特)
1.2
P
D
,功耗(瓦)
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
P
D
与牛逼
L
1000
矩形
波形,T
A
= 25°C
100
P
D
与牛逼
A
10
0
25
50
75
100
T,温度( ° C)
125
150
1
0.1
1
10
100
PW ,脉冲宽度(毫秒)
1000
图3.稳态功率降额
图4.最大非重复性浪涌电源
1000
Z
ZT
,动态阻抗( W)
T
J
= 25°C
I
Z( AC)
= 0.1 I
Z( DC )
F = 1千赫
1000
I
F
,正向电流(mA )
75 V ( MMSZ5267BT1 )
91 V( MMSZ5270BT1 )
I
Z
= 1毫安
100
5毫安
20毫安
10
100
10
150°C
1
1
1
10
V
Z
,额定齐纳电压
100
0.4
0.5
75°C 25°C
0°C
1.1
1.2
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
V
F
,正向电压( V)
齐纳电压对图5.影响
齐纳阻抗
图6.典型正向电压
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4
MMSZ5221ET1系列
典型特征
1000
0 V BIAS
1 V BIAS
T
A
= 25°C
I
R
,漏电流(mA )
1000
100
10
1
0.1
0.01
+ 25°C
−55°C
0
10
20
30
40
50
60
70
V
Z
,额定齐纳电压( V)
80
90
+150°C
C,电容(pF )
100
偏压
Ⅴ的50%的
Z
10
0.001
0.0001
1
1
10
V
Z
,额定齐纳电压( V)
100
0.00001
图7.典型电容
图8.典型漏电流
100
T
A
= 25°C
I
Z
,齐纳电流(毫安)
100
T
A
= 25°C
I
Z
,齐纳电流(毫安)
10
10
1
1
0.1
0.1
0.01
0.01
0
2
4
6
8
V
Z
齐纳电压(V)
10
12
10
30
50
70
V
Z
齐纳电压(V)
90
图9.齐纳电压与稳压电流
(V
Z
高达12 V )
图10.齐纳电压与稳压电流
( 12 V至91 V)
100
%的峰值脉冲电流
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
t
P
t
r
高峰值I
RSM
@ 8
ms
脉冲宽度(T
P
)是德网络定义
因为这地步
峰值电流衰减= 8
ms
半值我
RSM
/2 @ 20
ms
20
40
吨,时间( ms)的
60
80
图11. 8
×
20
ms
脉冲波形
http://onsemi.com
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