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NTHD4102PT3G 功率MOSFET (Power MOSFET)
.型号:   NTHD4102PT3G
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描述: 功率MOSFET
Power MOSFET
文件大小 :   105 K    
页数 : 5 页
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品牌   ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
购买 :   
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100%
NTHD4102P
功率MOSFET
−20
V,
−4.1
A,双P沟道ChipFETt
特点
提供了Ultra低R
DS ( ON)
在ChipFET包装解决方案
微型ChipFET包装小40 %,体积比TSOP - 6
薄型( <1.1毫米)使其能够方便地融入极薄
环境,如便携式电子产品
简化了电路设计,因为附加升压电路的门
电压不需要
工作在标准逻辑电平栅极驱动,有利于未来
使用相同的基本拓扑结构迁移到较低的水平
无铅包装是否可用
应用
http://onsemi.com
V
( BR ) DSS
R
DS ( ON)
典型值
64毫瓦@
−4.5
V
−20
V
85毫瓦@
−2.5
V
120毫瓦@
−1.8
V
S
1
S
2
−4.1
A
I
D
最大
优化电池和负载管理的应用
便携式设备,如MP3播放器,手机和PDA
充电控制电池充电器
降压和升压转换器
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏极
电流(注1 )
稳定状态
t
10 s
功耗
(注1 )
脉冲漏
当前
稳定状态
t
10 s
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
P
D
I
DM
T
J
,
T
英镑
I
S
T
L
符号
V
DSS
V
GS
I
D
价值
−20
"8.0
−2.9
−2.1
−4.1
1.1
2.1
−16
−55
to
150
−1.1
260
A
°C
A
°C
W
单位
V
V
A
G
1
G
2
D
1
P沟道MOSFET
D
2
P沟道MOSFET
ChipFET
CASE 1206A
方式2
连接
D
1
8
D
1
7
D
2
6
D
2
5
1 S
1
2 G
1
3 S
2
4 G
2
1
2
3
4
记号
8
7
6
5
C7 M
G
t
p
= 10
ms
工作结温和存储温度
源电流(体二极管)
无铅焊接温度的
目的( 1/8“从案例10秒)
热电阻额定值
参数
结到环境,稳态(注1 )
结到环境,叔
10秒(注1 )
符号
R
qJA
最大
113
60
单位
° C / W
C7 =具体设备守则
M =月守则
G
= Pb-Free包装
订购信息
设备
NTHD4102PT1
NTHD4102PT1G
ChipFET
ChipFET
(无铅)
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.表面安装在FR4板采用1平方焊盘尺寸(铜面积为1.127平方英寸
[ 1盎司]包括痕迹)
† 。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
出版订单号:
NTHD4102P/D
©
半导体元件工业有限责任公司, 2011
2011年9月
启示录6
1
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