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MTB55N03N3  MTB60N06J3  
TIP41G 互补硅塑料功率晶体管 (Complementary Silicon Plastic Power Transistors)
.型号:   TIP41G
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描述: 互补硅塑料功率晶体管
Complementary Silicon Plastic Power Transistors
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100%
TIP41 , TIP41A , TIP41B , TIP41C ( NPN ) ; TIP42 , TIP42A , TIP42B , TIP42C ( PNP )
R(T ) ,瞬态热阻(标准化)
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.01
0.01
单脉冲
0.02
0.05
1.0
0.2
0.5
1.0
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
Z
QJC (T )
= R(T )R
QJC
R
QJC
= 1.92 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间AT&T
1
T
J(下PK)
- T
C
= P
( PK)
Z
QJC (T )
2.0
5.0
吨,时间( ms)的
10
20
50
P
( PK)
t
1
t
2
占空比D = T
1
/t
2
100
200
500
1.0 k
图4.热响应
10
0.5毫秒
IC ,集电极电流( AMP )
5.0
1.0毫秒
3.0
T
J
= 150°C
2.0曲线适用于低于额定V
首席执行官
1.0
0.5
0.3
0.2
0.1
5.0
二次击穿有限公司
键合丝有限公司
散热的限制, @ T
C
= 25°C
(单脉冲)
TIP41 , TIP42
TIP41A , TIP42A
TIP41B , TIP42B
TIP41C , TIP42C
10
20
40
60
V
CE
,集电极 - 发射极电压(伏)
80 100
5.0毫秒
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管:平均结温及第二
击穿。安全工作区曲线表明我
C
- V
CE
晶体管必须可靠地观察到极限
操作;即,晶体管不能承受较大的
功耗比曲线表示。
图5的数据是基于T
J(下PK)
= 150_C ;牛逼
C
is
可变根据条件。其次,脉细数
限制是有效的占空比来假定T 10 %
J(下PK)
v
150℃。牛逼
J(下PK)
可以从在数据计算
图4.在高温情况下,热限制将
减少可处理到的值小于所述的功率
通过限制二次击穿的罚款。
图5.活动区安全工作区
5.0
3.0
2.0
1.0
T, TIME (
μ
s)
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.06
t
f
t
s
T
J
= 25°C
V
CC
= 30 V
I
C
/I
B
= 10
I
B1
= I
B2
300
T
J
= 25°C
200
C,电容(pF )
C
ib
100
70
50
C
ob
0.1
0.2
0.4 0.6
1.0
2.0
I
C
,集电极电流( AMP )
4.0
6.0
30
0.5
1.0
2.0 3.0
5.0
10
20
V
R
,反向电压(伏)
30
50
图6.开启,关闭时间
图7.电容
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4
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