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TIP41 , TIP41A , TIP41B ,
TIP41C ( NPN ) ; TIP42 , TIP42A ,
TIP42B , TIP42C ( PNP )
其他芯片
塑料功率晶体管
专为通用放大器和开关的使用
应用程序。
特点
http://onsemi.com
ESD额定值:
机器型号,C ; > 400 V
人体模型, 3B ; > 8000 V
环氧符合UL 94 V - 0 @ 0.125
无铅包可用*
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
TIP41 , TIP42
TIP41A , TIP42A
TIP41B , TIP42B
TIP41C , TIP42C
TIP41 , TIP42
TIP41A , TIP42A
TIP41B , TIP42B
TIP41C , TIP42C
符号
V
首席执行官
价值
40
60
80
100
40
60
80
100
5.0
6.0
10
2.0
65
0.52
2.0
0.016
62.5
- 65
+150
单位
VDC
6安培
其他芯片
功率晶体管
40-60-80-100伏,
65 WATTS
记号
4
集电极 - 基极电压
V
CB
VDC
1
VDC
ADC
ADC
W
W / ℃,
W
W / ℃,
mJ
°C
TIP4xx
xx
A
Y
WW
G
TO-220AB
CASE 221A
风格1
2
3
TIP4xxG
AYWW
发射极 - 基极电压
集电极电流 -
基极电流
总功率耗散@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
总功率耗散@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
非钳位电感负载能量
(注1 )
工作和存储结,
温度范围
连续
PEAK
V
EB
I
C
I
B
P
D
P
D
E
T
J
, T
英镑
=器件代码
= 1, 1A,1B, 1C
2 ,2A,2B ,2C
=大会地点
=年
=工作周
= Pb-Free包装
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
热特性
特征
热阻,结到外壳
热阻,结到环境
符号
R
QJC
R
qJA
最大
1.67
57
单位
° C / W
° C / W
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1. I
C
= 2.5 A,L = 20毫亨, P.R.F. = 10赫兹,V
CC
= 10 V ,R
BE
= 100
W.
*有关我们的无铅战略和焊接细节,更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册, SOLDERRM / D 。
©
半导体元件工业有限责任公司, 2007年
1
2007年11月 - 修订版7
出版订单号:
TIP41A/D
TIP41 , TIP41A , TIP41B , TIP41C ( NPN ) ; TIP42 , TIP42A , TIP42B , TIP42C ( PNP )
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明)
特征
开关特性
集电极 - 发射极耐受电压(注2 )
(I
C
= 30 MADC ,我
B
= 0)
TIP41 , TIP42
TIP41A , TIP42A
TIP41B , TIP42B
TIP41C , TIP42C
TIP41 , TIP41A , TIP42 , TIP42A
TIP41B , TIP41C , TIP42B , TIP42C
I
CES
TIP41 , TIP42
TIP41A , TIP42A
TIP41B , TIP42B
TIP41C , TIP42C
I
EBO
h
FE
V
CE ( SAT )
V
BE(上)
f
T
h
fe
-
-
-
-
-
400
400
400
400
1.0
MADC
V
CEO ( SUS )
40
60
80
100
-
-
-
-
-
-
0.7
0.7
MADC
VDC
符号
最大
单位
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 30伏直流电,我
B
= 0)
(V
CE
= 60 VDC ,我
B
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 40 VDC ,V
EB
= 0)
(V
CE
= 60 VDC ,V
EB
= 0)
(V
CE
= 80伏,V
EB
= 0)
(V
CE
= 100伏,V
EB
= 0)
发射极截止电流(V
BE
= 5.0伏,我
C
= 0)
基本特征
(注2 )
直流电流增益(I
C
= 0.3 ADC ,V
CE
= 4.0伏)
直流电流增益
(I
C
= 3.0 ADC ,V
CE
= 4.0伏)
I
首席执行官
MADC
30
15
-
-
-
75
1.5
2.0
-
VDC
VDC
集电极 - 发射极饱和电压(I
C
= 6.0 ADC ,我
B
= 600 MADC )
基射极电压上(我
C
= 6.0 ADC ,V
CE
= 4.0伏)
动态特性
电流增益 - 带宽积(我
C
= 500 MADC ,V
CE
= 10 VDC ,女
TEST
= 1.0
兆赫)
小信号电流增益(I
C
= 0.5 ADC ,V
CE
= 10 VDC , F = 1.0千赫)
2.脉冲测试:脉冲宽度
v
300
女士,
占空比
v
2.0%.
3.0
20
-
-
兆赫
-
订购信息
设备
TIP41
TIP41G
TIP41A
TIP41AG
TIP41B
TIP41BG
TIP41C
TIP41CG
TIP42
TIP42G
TIP42A
TIP42AG
TIP42B
TIP42BG
TIP42C
TIP42CG
TO-220
TO-220
(无铅)
TO-220
TO-220
(无铅)
TO-220
TO-220
(无铅)
TO-220
TO-220
(无铅)
TO-220
TO-220
(无铅)
TO-220
TO-220
(无铅)
TO-220
TO-220
(无铅)
TO-220
TO-220
(无铅)
航运
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
http://onsemi.com
2
TIP41 , TIP41A , TIP41B , TIP41C ( NPN ) ; TIP42 , TIP42A , TIP42B , TIP42C ( PNP )
T
A
4.0
PD ,功耗(瓦)
T
C
80
3.0
60
T
C
2.0
40
1.0
20
T
A
0
0
0
20
40
60
100
80
T,温度( ° C)
120
140
160
图1.功率降额
V
CC
+ 30 V
25
ms
+11 V
0
- 9.0 V
t
r
, t
f
10纳秒
占空比= 1.0 %
R
B
R
C
范围
T, TIME (
μ
s)
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.06
t
r
T
J
= 25°C
V
CC
= 30 V
I
C
/I
B
= 10
D
1
-4 V
t
d
@ V
BE (OFF)的
5.0 V
R
B
和R
C
变化,以获得所需的电流水平
D
1
必须快速恢复类型,例如:
1N5825上面使用我
B
百毫安
MSD6100下使用我
B
百毫安
0.1
0.2
0.4 0.6
1.0
2.0
I
C
,集电极电流( AMP )
4.0
6.0
图2.开关时间测试电路
图3.开启时间
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3
TIP41 , TIP41A , TIP41B , TIP41C ( NPN ) ; TIP42 , TIP42A , TIP42B , TIP42C ( PNP )
R(T ) ,瞬态热阻(标准化)
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.01
0.01
单脉冲
0.02
0.05
1.0
0.2
0.5
1.0
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
Z
QJC (T )
= R(T )R
QJC
R
QJC
= 1.92 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间AT&T
1
T
J(下PK)
- T
C
= P
( PK)
Z
QJC (T )
2.0
5.0
吨,时间( ms)的
10
20
50
P
( PK)
t
1
t
2
占空比D = T
1
/t
2
100
200
500
1.0 k
图4.热响应
10
0.5毫秒
IC ,集电极电流( AMP )
5.0
1.0毫秒
3.0
T
J
= 150°C
2.0曲线适用于低于额定V
首席执行官
1.0
0.5
0.3
0.2
0.1
5.0
二次击穿有限公司
键合丝有限公司
散热的限制, @ T
C
= 25°C
(单脉冲)
TIP41 , TIP42
TIP41A , TIP42A
TIP41B , TIP42B
TIP41C , TIP42C
10
20
40
60
V
CE
,集电极 - 发射极电压(伏)
80 100
5.0毫秒
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管:平均结温及第二
击穿。安全工作区曲线表明我
C
- V
CE
晶体管必须可靠地观察到极限
操作;即,晶体管不能承受较大的
功耗比曲线表示。
图5的数据是基于T
J(下PK)
= 150_C ;牛逼
C
is
可变根据条件。其次,脉细数
限制是有效的占空比来假定T 10 %
J(下PK)
v
150℃。牛逼
J(下PK)
可以从在数据计算
图4.在高温情况下,热限制将
减少可处理到的值小于所述的功率
通过限制二次击穿的罚款。
图5.活动区安全工作区
5.0
3.0
2.0
1.0
T, TIME (
μ
s)
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.06
t
f
t
s
T
J
= 25°C
V
CC
= 30 V
I
C
/I
B
= 10
I
B1
= I
B2
300
T
J
= 25°C
200
C,电容(pF )
C
ib
100
70
50
C
ob
0.1
0.2
0.4 0.6
1.0
2.0
I
C
,集电极电流( AMP )
4.0
6.0
30
0.5
1.0
2.0 3.0
5.0
10
20
V
R
,反向电压(伏)
30
50
图6.开启,关闭时间
图7.电容
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4
TIP41 , TIP41A , TIP41B , TIP41C ( NPN ) ; TIP42 , TIP42A , TIP42B , TIP42C ( PNP )
VCE ,集电极 - 发射极电压(伏)
500
300
200
的hFE , DC电流增益
100
70
50
30
20
10
7.0
5.0
0.06
V
CE
= 2.0 V
T
J
= 150°C
25°C
2.0
T
J
= 25°C
1.6
1.2
I
C
= 1.0 A
2.5 A
5.0 A
0.8
- 55°C
0.4
0
10
20
30
50
100
200 300
500
1000
I
B
,基极电流(毫安)
0.1
0.2
0.3 0.4
0.6
1.0
2.0
4.0
6.0
I
C
,集电极电流( AMP )
图8.直流电流增益
图9.集电极饱和区
2.0
θ
V,温度系数(MV /
°
C)
T
J
= 25°C
1.6
V,电压(V )
+ 2.5
+ 2.0
+ 1.5
+ 1.0
+ 0.5
0
- 0.5
- 1.0
- 1.5
- 2.0
- 2.5
0.06
0.1
0.2 0.3
0.5
q
VB
对于V
BE
- 55 ° C至+ 25°C
1.0
2.0 3.0 4.0
6.0
*
q
VC
对于V
CE ( SAT )
+ 25 ° C至+ 150°C
- 55 ° C至+ 25°C
+ 25 ° C至+ 150°C
*适用于我
C
/I
B
h
FE
/4
1.2
V
BE ( SAT )
@ I
C
/I
B
= 10
V
BE
@ V
CE
= 4.0 V
0.4
V
CE ( SAT )
@ I
C
/I
B
= 10
0
0.06
0.1
0.2 0.3 0.4
0.6
1.0
2.0 3.0 4.0
6.0
0.8
I
C
,集电极电流( AMP )
I
C
,集电极电流( AMP )
图10. “开”电压
R上,外部基极发射极电阻(欧姆)
图11.温度系数
10
3
IC ,集电极电流(
μ
A)
10
2
10
1
10
0
10
-1
10
-2
反向
I
C
= I
CES
前锋
V
CE
= 30 V
T
J
= 150°C
100°C
25°C
10 M
V
CE
= 30 V
I
C
= 10 ×1
CES
I
C
I
CES
1.0 M
100 k
10 k
I
C
= 2×我
CES
(典型I
CES
购自图12)
20
40
60
80
100
120
140
160
1.0 k
10
-3
- 0.3 - 0.2 - 0.1
0
+ 0.1 + 0.2 + 0.3 + 0.4 + 0.5 + 0.6
+ 0.7
0.1 k
V
BE
,基极发射极电压(伏)
T
J
,结温( ° C)
图12.集电极截止区
图13.影响基射极电阻
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5
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