LEAH3W [OSRAM]
Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant;
| 型号： | LEAH3W |
| 厂家： | 
OSRAM GMBH |
| 描述： | Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant |
| 文件： | 总19页 (文件大小：447K) |
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OSRAM OSTAR - Projection
Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant
LE A H3W, LE T H3W, LE B H3W
Vorläufige Daten / Preliminary Data
Besondere Merkmale
Features
• Gehäusetyp: Kompakte Lichtquelle in
Multi-Chip on Board Technologie mit
Glasabdeckung
• package: compact lightsource in multi chip on
board technology with glass window on top
• feature of the device: outstanding brightness
and luminance due to pure surface emission
and low Rth
• Besonderheit des Bauteils: extrem hohe
Helligkeit und Leuchtdichte dank
Oberflächenemission und niedrigem Rth
Vorbereitet für den Einsatz mit zus. Optik
• Wellenlänge: 617 nm (amber); 520 nm (true
green); 464 nm (blue)
• Abstrahlwinkel: Lambertscher Strahler (120°)
• Abstrahlende Fläche: typ. 3,2 x 2,1 mm²
• Technologie: Thinfilm InGaAlP; ThinGaN
• Leuchtdichte: 26*106 cd/m² (amber);
41*106 cd/m² (true green); 9*106 cd/m² (blue)
• Montierbarkeit: verschraubbar
• Stecker: 10 Pin JST SM 10B-SRSS-TB
• ESD-Festigkeit: ESD-sicher bis 2 kV nach
JESD22-A114-D
prepared for additional optics
• wavelength: 617 nm (amber); 520 nm (true
green); 464 nm (blue)
• viewing angle: Lambertian Emitter (120°)
• light emitting surface: typ. 3.2 x 2.1 mm²
• technology: Thinfilm InGaAlP; ThinGaN
• Luminance: 26*106 cd/m² (amber);
41*106 cd/m² (true green); 9*106 cd/m² (blue)
• mounting methods: screw holes
• connector: 10 Pin JST SM 10B-SRSS-TB
• ESD-withstand voltage: up to 2 kV acc. to
JESD22-A114-D
• method of packing: 50 pcs. per tray
• Verpackungseinheit: 50 St. pro Box
= packing unit
• Superior Corrosion Robustness:
details see page 14
= Verpackungseinheit
• Erweiterte Korrosionsfestigkeit:
Details siehe Seite 14
Applications
• projection
• medical lighting: surgery light
• spotlights
Anwendungen
• Projektion
• Medizintechnik: Operationslampen
• Strahler für die Allgemeinbeleuchtung
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1
LE A H3W, LE T H3W, LE B H3W
Bestellinformation
Ordering Information
Typ
Emissionsfarbe
Lichstärke1) Seite 19
Lichtfluss2) Seite 19
Color of Emission Luminous
Luminous Flux2) page 19
Type
Intensity1) page 19
IF = 1 A
ΙV (cd)
IF = 1 A
ΦV (lm)
LE A H3W-LAMA-34
LE T H3W-MANA-25
LE B H3W-JAKA-23
amber
true green
blue
112 ...224
180 ...355
45 ... 90
465 typ.
735 typ.
168 typ.
Bestellinformation
Ordering Information
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
LE A H3W-LAMA-34
LE T H3W-MANA-25
LE B H3W-JAKA-23
LE_ACC_SHR_10V_SR
Q65110A7699
Q65110A7704
Q65110A7702
Q65110A4679 (Connector)*
Anm.: Die oben genannten Typbezeichnungen umfassen die bestellbaren Selektionen. Diese bestehen aus einer
Helligkeitsgruppe. Es wird nur eine einzige Helligkeitsgruppe und Farbgruppe pro Verpackungsbox geliefert.
* Zum Zweck der Bemusterung kann in kleinen Stückzahlen der konfektionierte JST-Gegenstecker mit Kabel
angefordert werden.
Note: The above Type Numbers represent the order groups which includes only one brightness group per color and
tray. Only one group will be shipped on each tray.
*In small amounts for the purpose of sampling the corrsponding connector assembled with cable can be
ordered.
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2
LE A H3W, LE T H3W, LE B H3W
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
amber
true
green
blue
Betriebstemperatur*
Operating temperature range*
Tboard, op
Tboard, stg
Tj
– 40 … + 85
– 40 … + 85
125
°C
°C
°C
mA
Lagertemperatur
Storage temperature range
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Durchlassstrom pro Chip DC
Forward current per chip DC
(Tboard =25°C)
IF
1000
Stoßstrom pro Chip DC
Surge current per chip DC
t ≤ 10 μs, D = 0.1; TA=25°C
IFM
VR
IR
2000
0.5
mA
V
Sperrspannung pro Chip DC
Reverse voltage per chip DC
(Tboard=25°C)
Sperrstrom pro Chip DC
Reverse current per chip DC
VR = 0.5 V
10
mA
* Eine Betauung des Moduls muss vermieden werden.
Condensation on the module has to be avoided.
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3
LE A H3W, LE T H3W, LE B H3W
Kennwerte
Characteristics
(TA = 25 °C)
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
amber
true
green
blue
Wellenlänge des emittierten Lichtes
Wavelength at peak emission
IF = 1 A
(typ.)
λpeak
nm
627
516
460
Dominantwellenlänge3) Seite 19
Dominant wavelength3) page 19
IF = 1 A
(min.)
(typ.)
(max.)
λdom
λdom
λdom
613
617
625
509
520
533
456
464
469
nm
nm
nm
Spektrale Bandbreite bei 50 % ΙVrel max
Spectral bandwidth at 50 % ΙVrel max
IF = 1 A
(typ.)
(typ.)
Δλ
nm
26
44
30
Abstrahlwinkel bei 50 % ΙV (Vollwinkel)
Viewing angle at 50 % ΙV
2ϕ
120
Grad
deg.
Durchlassspannung pro Chip4) Seite 19
Forward voltage per chip4) page 19
IF = 1 A
(min.)
(typ.)
(max.)
VF
VF
VF
2.25
2.8
3.95
3.1
3.8
4.65
V
V
V
Optischer Wirkungsgrad
Optical efficiency
IF = 1 A
(typ.)
(typ.)
ηopt
lm/W
mm²
28
30
3.2 x 2.1
7
Abstrahlende Fläche
Radiating Surface
AColor
Leuchtdichte
Luminance
IF = 1 A
26*106 41*106 9*106
0.82 x ΦLED, 180
2.0 (typ.)
(typ.)
(typ.)
LV
cd/m²
lm
Partieller Lichtfluss
Partial flux
acc. CIE 127:2007
ΦLED, 120
Wärmewiderstand des gesamten Moduls
Thermal resistance of the module
Sperrschicht / Bodenplatte
Rth JB
K/W
Junction / base plate
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4
LE A H3W, LE T H3W, LE B H3W
SMD NTC Thermistors
SMD NTC Thermistors
R25
No. of R/T
characteristic
s*
B25/50
B25/85
Resistance B value
PNTC,max,25
Tolerance
Tolerance
[Ω]
[K]
[K]
Δ RN/RN
Δ B/B
[mW]
180
10k
EPCOS 8502
3940
3980
5%
3%
* for further information please visit www.epcos.com
Typische Thermistor Kennlinie2) 5) Seite 19
Typical Thermistor Graph2) 5) page 19
IF = f (VF); Tboard = 25 °C
1
1
⎛
⎞
⎠
B ⋅ --- – ------
⎝
T TN
RT = RN ⋅ e
OHL02609
10000
Ω
RT = NTC resistance in Ω at temperature T in K
R
RN = NTC resistance in Ω at rated temperature TN
in K (TN = 298 K for test condition)
T, TN = temperature in K
7000
6000
5000
4000
3000
2000
1000
0
e = base of the natural logarithm (e = 2.71828)
B = B value, material specific constant of the NTC
thermistor
T ⋅ TN
----------------
T – TN
RN
⋅ ln-------
RT
B = BN ⁄ T
=
0
10 20 30 40 50 60 70 ˚C 90
TNTC
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5
LE A H3W, LE T H3W, LE B H3W
Helligkeits-Gruppierungsschema
Brightness Groups
Lichtstärke1) Seite 19
Lichtstrom2) Seite 19
Helligkeitsgruppe
Brightness Group
Luminous Intensity1) page 19
Luminous Flux2) page 19
ΙV (cd)
ΦV (lm)
amber;
true
green
LA
LB
MA
MB
NA
112.0 ...
140.0 ...
180.0 ...
224.0 ...
280.0 ...
140.0
180.0
224.0
280.0
355.0
380 (typ.)
480 (typ.)
600 (typ.)
760 (typ.)
950 (typ.)
blue
JA
JB
KA
45.0 ...
56.0 ...
71.0 ...
56.0
71.0
90.0
150 (typ.)
190 (typ.)
240 (typ.)
Anm.:
Note:
Die Standardlieferform von Serientypen beinhaltet eine Familiengruppe. Diese besteht aus wenigen Helligkeitsgruppen.
Einzelne Helligkeitsgruppen sind nicht bestellbar.
The standard shipping format for serial types includes a family group of only a few individual brightness groups. Individual
brightness groups cannot be ordered.
Wellenlängengruppen (Dominantwellenlänge)3) Seite 19
Wavelength Groups (Dominant Wavelength)3) page 19
amber
max.
true green
blue
max.
Gruppe
Group
Einheit
Unit
min.
min.
509
515
521
527
max.
515
521
527
533
min.
456
462
2
3
4
5
462
469
nm
nm
nm
nm
613
619
619
625
Gruppenbezeichnung auf Etikett
Group Name on Label
Beispiel: LA-3
Example: LA-3
Helligkeitsgruppe
Brightness Group
Wellenlänge
Wavelength
LA
3
Anm.: In einer Verpackungseinheit ist immer nur eine Gruppe für jede Selektion enthalten.
Note: No packing unit ever contains more than one group for each selection.
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6
LE A H3W, LE T H3W, LE B H3W
Relative spektrale Emission pro Chip2) Seite 19
Relative Spectral Emission per Chip2) page 19
V(λ) = spektrale Augenempfindlichkeit / Standard eye response curve
Irel = f (λ), TA = 25 °C, IF = 1 A
OHL02471
100
%
Φrel
80
V
λ
60
blue
true green
amber
40
20
0
400
450
500
550
600
650
nm
700
Abstrahlcharakteristik2) Seite 19
Radiation Characteristic2) page 19
Ιrel = f (ϕ); TA = 25 °C
40˚
30˚
20˚
10˚
0˚
OHL03736
1.0
50˚
0.8
0.6
0.4
60˚
70˚
0.2
0
80˚
90˚
100˚
1.0
0.8
0.6
0.4
0˚
20˚
40˚
60˚
80˚
100˚
120˚
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7
LE A H3W, LE T H3W, LE B H3W
Durchlassstrom pro Chip2) Seite 19
Forward Current per chip2) page 19
IF = f (VF); TA = 25 °C; LE A H3W
Durchlassstrom pro Chip2) Seite 19
Forward Current per chip2) page 19
IF = f (VF); TA = 25 °C; LE T H3W; LE B H3W
Relative Lichtstärke2) 6) Seite 19
Relative Luminous Intensity2) 6) page 19
ΙV/ΙV(1 A) = f (IF>1A); TA = 25 °C; tP=1ms, D=0,0003
LE A H3W
Relative Lichtstärke2) 6) Seite 19
Relative Luminous Intensity2) 6) page 19
ΙV/ΙV(1 A) = f (IF<1A); TA = 25 °C; tP=1ms, D=0,0003
LE A H3W
OHL03005
OHL02995
101
1.7
IV
IV
IV(1 A)
IV(1 A)
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
100
5
10-1
5
10-2
10-2
5
10-1
5
100
101
A
1
1.2
1.4
1.6
1.8 A 2
IF
IF
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8
LE A H3W, LE T H3W, LE B H3W
Relative Lichtstärke2) 6) Seite 19
Relative Lichtstärke2) 6) Seite 19
Relative Luminous Intensity2) 6) page 19
ΙV/ΙV(1 A) = f (IF<1A); TA = 25 °C; tP=1ms, D=0,0003
LE T H3W; LE B H3W
Relative Luminous Intensity2) 6) page 19
ΙV/ΙV(1 A) = f (IF>1A); TA = 25 °C; tP=1ms, D=0,0003
LE T H3W; LE B H3W
OHL03034
OHL03951
101
1.40
IV
IV
IV(1 A)
IV(1 A)
1.30
1.25
1.20
1.15
1.10
1.05
1.00
100
5
10-1
5
10-2
10-2
5 10-1
5
100
101
A
1
1.5
2
A
2.5
IF
IF
Dominante Wellenlänge2) Seite 19
Dominant Wavelength2) page 19
Dominante Wellenlänge2) Seite 19
Dominant Wavelength2) page 19
λ
dom = f (IF); TA = 25 °C; LE A H3W
λ
dom = f (IF); TA = 25 °C; LE T H3W
OHL02996
OHL03031
3.0
25
nm
nm
Δλdom
Δλdom
20
15
10
5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
-0.5
-1.0
-1.5
-2.0
-2.5
0
-5
-10
0
0.5
1
1.5
2
A 2.5
0
0.5
1
1.5
2
A 2.5
IF
IF
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9
LE A H3W, LE T H3W, LE B H3W
Dominante Wellenlänge2) Seite 19
Dominant Wavelength2) page 19
λ
dom = f (IF); TA = 25 °C; LE B H3W
Relative Vorwärtsspannung2) Seite 19
Relative Forward Voltage2) page 19
ΔVF = VF - VF(25 °C) = f(Tj); IF= 1 A
LE T H3W; LE B H3W
Relative Vorwärtsspannung2) Seite 19
Relative Forward Voltage2) page 19
ΔVF = VF - VF(25 °C) = f(Tj); IF= 1 A
LE A H3W
OHL03737
OHL03738
0.3
0.30
V
V
ΔVF
Δ
VF
0.1
0
0.15
0.10
0.05
0
-0.1
-0.2
-0.3
-0.4
-0.05
-0.10
-0.15
-0.20
-40 -20
0
20 40 60 80 ˚C 120
-40 -20
0
20 40 60 80 ˚C 120
Tj
Tj
2010-03-03
10
LE A H3W, LE T H3W, LE B H3W
Relative Lichtstärke2) Seite 19
Relative Lichtstärke2) Seite 19
Relative Luminous Intensity2) page 19
ΙV/ΙV(25 °C) = f (Tj); IF = 1 A; LE A H3W
Relative Luminous Intensity2) page 19
ΙV/ΙV(25 °C) = f (Tj); IF = 1 A; LE T H3W
OHL03743
OHL03742
1.6
IV
IV (25 ˚C)
1.6
IV
IV (25 ˚C)
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
-40 -20
0
20 40 60 80 ˚C 120
-40 -20
0
20 40 60 80 ˚C 120
Tj
Tj
Relative Lichtstärke2) Seite 19
Relative Luminous Intensity2) page 19
ΙV/ΙV(25 °C) = f (Tj); IF = 1 A; LE B H3W
OHL03744
1.6
IV
IV (25 ˚C)
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
-40 -20
0
20 40 60 80 ˚C 120
Tj
2010-03-03
11
LE A H3W, LE T H3W, LE B H3W
Dominante Wellenlänge2) Seite 19
Dominant Wavelength2) page 19
Dominante Wellenlänge2) Seite 19
Dominant Wavelength2) page 19
λ
dom = f (Tj); IF = 1 A; LE A H3W
λ
dom = f (Tj); IF = 1 A; LE T H3W
OHL03740
OHL03741
8
8
nm
nm
Δλdom
Δλdom
6
6
4
4
2
2
0
0
-2
-4
-6
-2
-4
-6
-40 -20
0
20 40 60 80 ˚C 120
-40 -20
0
20 40 60 80 ˚C 120
Tj
Tj
Dominante Wellenlänge2) Seite 19
Dominant Wavelength2) page 19
λ
dom = f (Tj); IF = 1 A; LE B H3W
OHL03739
8
nm
Δλdom
6
4
2
0
-2
-4
-6
-40 -20
0
20 40 60 80 ˚C 120
Tj
2010-03-03
12
LE A H3W, LE T H3W, LE B H3W
Transient Thermal resistance
Zth*(frequency,DC) for 6Chips operated
6 Chips operated; IF = f (TS)
OHL03895
2.5
K/W
Zth*
2.0
1.5
1.0
0.5
0
240 Hz
360 Hz
2880 Hz
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7
Duty Cycle
Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tp)
Permissible Pulse Handling Capability
Duty cycle D = parameter, Tboard = 55 °C
6 chips operated simultaneously in series
Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tp)
Permissible Pulse Handling Capability
Duty cycle D = parameter, Tboard = 85 °C
6 chips operated simultaneously in series
OHL03891
OHL03892
2.0
A
2.0
Imax
A
Imax
Imax
Imax
1.7
1.6
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
1.7
1.6
1.5
240 Hz
360 Hz
240 Hz
1.4
360 Hz
1.3
2880 Hz
2880 Hz
1.2
1.1
1.0
0.9
T
T
Δ
Board = 55 ˚C
j = 125 ˚C
T = 70 K
T
T
Δ
Board = 85 ˚C
j = 125 ˚C
T = 40 K
0.8
0.7
0.6
0.5
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
Duty Cycle
Duty Cycle
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13
LE A H3W, LE T H3W, LE B H3W
Maßzeichnung7) Seite 19
Package Outlines7) page 19
Pin-Assignment:
Chip-Position:
1: Anode; Chip 5, 6
2: Cathode; Chip 5, 6
3: Anode; Chip 4
4: Cathode; Chip 4
5: NTC
LE A H3W
1-6: amber
LE T H3W
1-6: true green
6: NTC
7: Anode; Chip 3
8: Cathode; Chip 3
9: Anode; Chip 1, 2
10: Cathode; Chip 1, 2
LE B H3W
1-6: blue
Verwendeter Stecker / Used male connector on board:
Empfohlene Gegenstecker /
Recommended female connector for power supply:
JST SM10B-SRSS-TB (www.jst.com)
JST SHR-10V-S (www.jst.com)
JST SHR-10V-S-B (www.jst.com)
SSH-003T-P0.2 (www.jst.com)
Kontakt - Pins:
Korrosionsfestigkeit besser als EN 60068-2-60 (method 4):
mit erweitertem Korrosionstest: 40°C / 90%rh / 15ppm H2S / 336h
Corrosion robustness better than EN 60068-2-60 (method 4):
with enhanced corrosion test: 40°C / 90%rh / 15ppm H2S / 336h
Gewicht / Approx. weight:
5.3 mg
2010-03-03
14
LE A H3W, LE T H3W, LE B H3W
Connecting and disconnecting OSRAM OS Ostar Projection modules
When connecting or disconnecting an Ostar Projection module care has to be taken in order to prevent
a damage of the module. The module is equipped with a male connector socket (JST SM 10B-SR
SS-TB). As a female connector for power supply a JST SHR-10V-S (without protrusions) or a JST
SHR-10V-S-B (with protrusions) with SSH-003T-P0.2 pins is recommended.
When disconnecting the connector the applied pull force must not exceed 17 N * (footnote * A force of
17 N can only be applied dynamically during disconnecting. No constant force must be applied to the
connector.) Disconnection of the module during operation or at high temperatures can damage the
module. The board temperature must not exceed 40°C during disconnection. During mating operation,
mate connectors while holding wires in a bundle on the same axis to the mating axis. For unmating wires
must be held in a bundle within 20 degrees to the mating axis (see Fig. for explanation).
Connector
20˚
Wire
PCB
20˚
20˚
Wire
Connector
PCB
OHO03020
2010-03-03
15
LE A H3W, LE T H3W, LE B H3W
Verpackung 7) Seite 19
Method of Packing 7) page 19
50 St. pro Box = Verpackungseinheit
50 pcs. per tray = packing unit
Elektrisches Ersatzschaltbild
Equivalent Circuit Diagram
Pin 3
Pin 9
Chip 1
ESD-
Protection
ESD-
Protection
Chip 4
Chip 2
Pin 4
Pin 7
Pin 10
Pin 1
Chip 6
ESD-
Protection
ESD-
Protection
Chip 3
Chip 5
Pin 8
Pin 2
OHEE4404
2010-03-03
16
LE A H3W, LE T H3W, LE B H3W
Barcode-Tray-Etikett (BTL)
Barcode-Tray-Label (BTL)
LE xxx xxx
Group: xxxx-xxxx-xxxx
DC: Date Code
Data
Matrix
Code
Bar Code
MATERIAL: Material Number
Batch Batch Number
OHA02684
Kartonverpackung und Materialien
Transportation Packing and Materials
Box
Barcode label
0
-2
0
-
:
1
P
2
-2
:
-1
1
Q
T
S
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LSY T676
Multi TOP
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T
(1
: 1
1
O
N
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O
R
P
)
(X
Original packing label
OHA02886
Dimensions of transportation box in mm (inch)
Breite / Width
Länge / length
170 5 (6,6929 0,19685)
Höhe / height
21 5 (0,826772 0,19685)
223 5 (8,7795 0,19685)
2010-03-03
17
LE A H3W, LE T H3W, LE B H3W
Revision History: 2010-03-03
Previous Version: 2010-02-15
Page
16
Subjects (major changes since last revision)
Date of change
2010-02-15
correction of equivalent circuit
additional information
1, 14
2010-03-03
Anm.: Wegen der Streichung der LED aus der IEC 60825-1 (2nd edition 2007-03) erfolgt die Bewertung der
Augesicherheit nach dem Standard CIE S009/E:2002 ("photobiological safety of lamps and lamp systems") /
IEC 62471 (1st edition 2006-07).Im Risikogruppensystem dieser CIE- Norm erfüllen die in diesem Datenblatt
angegebenen LED die "moderate risk"- Gruppe (die sich im "sichtbaren" Spektralbereich auf eine
Expositionsdauer von 0,25 s bezieht). Unter realen Umständen (für Expositionsdauer, Augenpupille,
Betrachtungsabstand) geht damit von diesen Bauelementen keinerlei Augengefährdung aus.Grundsätzlich
sollte jedoch erwähnt werden, dass intensive Lichtquellen durch ihre Blendwirkung ein hohes sekundäres
Gefahrenpotenzial besitzen. Wie nach dem Blick in andere helle Lichtquellen (z.B. Autoscheinwerfer) auch,
können temporär eingeschränktes Sehvermögen und Nachbilder je nach Situation zu Irritationen,
Belästigungen, Beeinträchtigungen oder sogar Unfällen führen.
Note: Due to the cancellation of the LED from IEC 608251 (2nd edition 2007-03) , the evaluation of eye safety occurs
according to the dual IEC/CIE logo standard CIE S009/E:2002 ("photobiological safety of lamps and lamp
systems")- IEC 62471 (1st edition 2006-07). Within the risk grouping system of this CIE standard, the LEDs
specified in this data sheet fall into the "lmoderate risk" group (relating to devices in the visible spectrum with
an exposure time of 0.25s). Under real circumstances (for exposure time, eye pupils, observation distance), it
is assumed that no endangerment to the eye exists from these devices. As a matter of principle, however, it
should be mentioned that intense light sources have a high secondary exposure potential due to their blinding
effect. As is also true when viewing other bright light sources (e.g. headlights), temporary reduction in visual
acuity and afterimages can occur, leading to irritation, annoyance, visual impairment, and even accidents,
depending on the situation.
Attention please!
The information describes the type of component and shall not be considered as assured characteristics.
Terms of delivery and rights to change design reserved. Due to technical requirements components may contain
dangerous substances. For information on the types in question please contact our Sales Organization.
If printed or downloaded, please find the latest version in the Internet.
Packing
Please use the recycling operators known to you. We can also help you – get in touch with your nearest sales office.
By agreement we will take packing material back, if it is sorted. You must bear the costs of transport. For packing
material that is returned to us unsorted or which we are not obliged to accept, we shall have to invoice you for any costs
incurred.
Components used in life-support devices or systems must be expressly authorized for such purpose! Critical
components10) page 19 may only be used in life-support devices or systems11) page 19 with the express written approval of
OSRAM OS.
2010-03-03
18
LE A H3W, LE T H3W, LE B H3W
Remarks:
Fußnoten:
1)
1)
Brightness groups are tested at a current pulse duration
of 25 ms and a tolerance of ± 11%. Condition for
luminous intensity measurement acc. to CIE127
condition A
Helligkeitswerte werden mit einer Stromeinprägedauer
von 25 ms und einer Genauigkeit von ± 11% ermittelt.
Messbedingung für Lichtstärkemessung nach CIE127
Condition A.
2)
2)
Due to the special conditions of the manufacturing
processes of LED, the typical data or calculated
correlations of technical parameters can only reflect
statistical figures. These do not necessarily correspond
to the actual parameters of each single product, which
could differ from the typical data and calculated
correlations or the typical characeristic line.
If requested, e.g. because of technical improvements,
these typ. data will be changed without any further
notice.
Wavelengths are tested at a current pulse duration of 25
ms and a tolerance of 1 nm.
Forward voltages are tested at a current pulse duration
of 1 ms and a tolerance of 0.1 V.
The R-T-Curve of an NTC thermistor can be roughly
described in a restricted range around the rated
temperautre. If a more precise desciption of the R/T
curve is required for practical applications a refined
formular and the corresponding tabulated values can be
found at EPCOS
Wegen der besonderen Prozessbedingungen bei der
Herstellung von LED können typische oder abgeleitete
technische Parameter nur aufgrund statistischer Werte
wiedergegeben werden. Diese stimmen nicht
notwendigerweise mit den Werten jedes einzelnen
Produktes überein, dessen Werte sich von typischen
und abgeleiteten Werten oder typischen Kennlinien
unterscheiden können. Falls erforderlich, z.B. aufgrund
technischer Verbesserungen, werden diese typischen
Werte ohne weitere Ankündigung geändert.
Wellenlängen werden mit einer Stromeinprägedauer
von 25 ms und einer Genauigkeit von 1 nm ermittelt.
Spannungswerte werden mit einer Stromeinprägedauer
von 1 ms und einer Genauigkeit von 0,1 V ermittelt.
Die R-T-Kurve eines NTC läßt sich in einem engen
Bereich um den spezifizierten Wert herum in erster
Näherung durch einen exponentialen Zusammenhang
beschreiben. Sofern eine detailliertere Beschreibung
der R-T-Kurve für die Praxis nötig ist, können eine
ganauere Formel und entsprechende tabellierte Werte
bei EPCOS gefunden werden.
3)
4)
5)
3)
4)
5)
6)
6)
In the range where the line of the graph is broken, you
must expect higher brightness differences between
single LEDs within one packing unit.
Im gestrichelten Bereich der Kennlinien muss mit
erhöhten
Helligkeitsunterschieden
zwischen
Leuchtdioden innerhalb einer Verpackungseinheit
gerechnet werden.
Maße werden wie folgt angegeben: mm (inch).
Ein kritisches Bauteil ist ein Bauteil, das in
7)
8)
7)
8)
Dimensions are specified as follows: mm (inch).
A critical component is a component used in a
life-support device or system whose failure can
reasonably be expected to cause the failure of that
life-support device or system, or to affect its safety or the
effectiveness of that device or system.
lebenserhaltenden
Apparaten
oder
Systemen
eingesetzt wird und dessen Defekt voraussichtlich zu
einer Fehlfunktion dieses lebenserhaltenden Apparates
oder Systems führen wird oder die Sicherheit oder
Effektivität
dieses
Apparates
oder
Systems
beeinträchtigt.
9)
9)
Life support devices or systems are intended
(a) to be implanted in the human body,
or
Lebenserhaltende Apparate oder Systeme sind für (a)
die Implantierung in den menschlichen Körper
oder
(b) to support and/or maintain and sustain human life. If
they fail, it is reasonable to assume that the health and
the life of the user may be endangered.
(b) für die Lebenserhaltung bestimmt.
Falls sie versagen, kann davon ausgegangen werden,
dass die Gesundheit und das Leben des Patienten in
Gefahr ist.
Published by
OSRAM Opto Semiconductors GmbH
Leibnizstraße 4, D-93055 Regensburg
www.osram-os.com
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2010-03-03
19
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