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Q65110A2464 [OSRAM]

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung; IR- Lumineszenzdiode （ 850纳米），麻省理工学院达赫Ausgangsleistung
Q65110A2464
元器件型号： Q65110A2464
生产厂家： OSRAM GMBH    OSRAM GMBH
描述和应用：

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung
IR- Lumineszenzdiode （ 850纳米），麻省理工学院达赫Ausgangsleistung
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Q65110A2465

 IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung

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8 OSRAM

Q65110A2467

 10IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung

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10 OSRAM

Q65110A2482

 NPN-Silizium-Fototransistor im SMT SIDELED®-Gehause Silicon NPN Phototransistor in SMT SIDELED®-Package

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0 OSRAM

Q65110A2484

 NPN-Silizium-Fototransistor im SMT SIDELED®-Gehause Silicon NPN Phototransistor in SMT SIDELED®-Package

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0 OSRAM

Q65110A2485

 NPN-Silizium-Fototransistor im SMT SIDELED®-Gehause Silicon NPN Phototransistor in SMT SIDELED®-Package

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0 OSRAM

Q65110A2486

 NPN-Silizium-Fototransistor im SMT SIDELED®-Gehause Silicon NPN Phototransistor in SMT SIDELED®-Package

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0 OSRAM

Q65110A2487

 NPN-Silizium-Fototransistor im SMT SIDELED®-Gehause Silicon NPN Phototransistor in SMT SIDELED®-Package

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0 OSRAM

Q65110A2488

 NPN-Silizium-Fototransistor im SMT SIDELED®-Gehause Silicon NPN Phototransistor in SMT SIDELED®-Package

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0 OSRAM

Q65110A2490

 NPN-Silizium-Fototransistor im SMT SIDELED®-Gehause Silicon NPN Phototransistor in SMT SIDELED®-Package

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0 OSRAM

Q65110A2491

 NPN-Silizium-Fototransistor im SMT SIDELED®-Gehause Silicon NPN Phototransistor in SMT SIDELED®-Package

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0 OSRAM

Q65110A2517

 GaAlAs Infrared Emitter in SMT Package

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0 OSRAM

Q65110A2523

 Rote Lumineszenzdiode

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0 OSRAM

Q65110A2631

 GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (880 nm) in SMR® Gehäuse

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14 OSRAM

Q65110A2632

 GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (880 nm) in SMR® Gehäuse

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16 OSRAM

Q65110A2663

 NPN-Silizium-Fototransistor im MIDLED-Gehäuse

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0 OSRAM
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