元器件型号: | 2SB1180H |
生产厂家: | PANASONIC SEMICONDUCTOR |
描述和应用: | Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin |
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型号参数:2SB1180H参数 | |
生命周期 | Obsolete |
IHS 制造商 | PANASONIC CORP |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8541.29.00.95 |
风险等级 | 5.84 |
最大集电极电流 (IC) | 8 A |
集电极-发射极最大电压 | 60 V |
配置 | DARLINGTON |
最小直流电流增益 (hFE) | 1000 |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型 | PNP |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
晶体管元件材料 | SILICON |
VCEsat-Max | 1.5 V |
Base Number Matches | 1 |
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin