元器件型号: | 2SB937H |
生产厂家: | PANASONIC SEMICONDUCTOR |
描述和应用: | Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin 晶体 开关 晶体管 功率双极晶体管 |
PDF文件: | 总2页 (文件大小:67K) |
下载文档: | 下载PDF数据表文档文件 |
型号参数:2SB937H参数 | |
生命周期 | Obsolete |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8541.29.00.95 |
风险等级 | 5.84 |
最大集电极电流 (IC) | 2 A |
集电极-发射极最大电压 | 60 V |
配置 | DARLINGTON |
最小直流电流增益 (hFE) | 1000 |
JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型 | PNP |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | SINGLE |
晶体管元件材料 | SILICON |
VCEsat-Max | 2.5 V |
Base Number Matches | 1 |
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin
晶体 开关 晶体管 功率双极晶体管