元器件型号: | 2SK3047 |
生产厂家: | PANASONIC SEMICONDUCTOR |
描述和应用: | Silicon N-Channel Power F-MOS FET |
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型号参数:2SK3047参数 | |
是否Rohs认证 | 符合 |
生命周期 | Obsolete |
IHS 制造商 | PANASONIC CORP |
包装说明 | TO-220D-A1, 3 PIN |
Reach Compliance Code | unknown |
HTS代码 | 8541.29.00.95 |
风险等级 | 5.84 |
Is Samacsys | N |
雪崩能效等级(Eas) | 15 mJ |
外壳连接 | ISOLATED |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 800 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 2 A |
最大漏极电流 (ID) | 2 A |
最大漏源导通电阻 | 7 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-220AB |
JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码 | e6 |
湿度敏感等级 | 1 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 30 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 4 A |
认证状态 | Not Qualified |
子类别 | FET General Purpose Power |
表面贴装 | NO |
端子面层 | Tin/Bismuth (Sn/Bi) |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |
Silicon N-Channel Power F-MOS FET
硅N沟道功率的F- MOS FET