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MA3S132E

更新时间：2024-09-18 02:19:53
品牌：PANASONIC
描述：Silicon epitaxial planar type

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PCB计价

MA3S132E 概述

Silicon epitaxial planar type 硅外延平面型 整流二极管

MA3S132E 规格参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SC-81
包装说明：R-PDSO-F3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：5.81
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.2 V
JESD-30 代码：R-PDSO-F3JESD-609代码：e6
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：0.5 A
元件数量：2端子数量：3
最高工作温度：150 °C最大输出电流：0.1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：80 V
最大反向恢复时间：0.003 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES端子面层：Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

MA3S132E 数据手册

通过下载MA3S132E数据手册来全面了解它。这个PDF文档包含了所有必要的细节，如产品概述、功能特性、引脚定义、引脚排列图等信息。

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Switching Diodes  
MA3S132E  
Silicon epitaxial planar type  
Unit : mm  
1.60 ± ±0.1  
0.80 ± ±0.05  
0.80  
For switching circuits  
1
2
I Features  
•
•
•
Short reverse recovery time trr  
Small terminal capacitance, Ct  
Super-small SS-mini type package contained two elements, allow-  
ing high-density mounting  
3
I Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C  
Parameter  
Reverse voltage (DC)  
Peak reverse voltage  
Symbol  
VR  
Rating  
80  
Unit  
V
0.44  
0.44  
0.88 −+±±00..0035  
1 : Anode 1  
2 : Anode 2  
3 : Cathode 1  
Cathode 2  
VRM  
IF  
80  
V
Single  
Double  
Single  
Double  
Single  
Double  
100  
Forward current  
(DC)  
mA  
150  
SS-Mini Type Package (3-pin)  
IFM  
225  
Peak forward  
current  
mA  
mA  
Marking Symbol: MU  
Internal Connection  
340  
IFSM  
500  
Non-repetitive peak  
forward surge current  
*
750  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
°C  
°C  
1
2
Tstg  
−55 to +150  
3
Note)  
* : t = 1 s  
I Electrical Characteristics Ta = 25°C  
Parameter  
Reverse current (DC)  
Forward voltage (DC)  
Reverse voltage (DC)  
Terminal capacitance  
Reverse recovery time*  
Symbol  
IR  
Conditions  
Min  
80  
Typ  
Max  
100  
1.2  
Unit  
nA  
V
VR = 75 V  
VF  
IF = 100 mA  
IR = 100 µA  
VR  
V
Ct  
VR = 0 V, f = 1 MHz  
2
3
pF  
ns  
trr  
IF = 10 mA, VR = 6 V  
Irr = 0.1 · IR, RL = 100 Ω  
Note) 1. Rated input/output frequency: 100 MHz  
2. * : trr measuring circuit  
Bias Application Unit N-50BU  
Input Pulse  
tp  
Output Pulse  
trr  
tr  
t
10%  
IF  
t
A
90%  
VR  
Irr = 0.1 · IR  
tp = 2 µs  
tr = 0.35 ns  
δ = 0.05  
IF = 10 mA  
VR = 6 V  
RL = 100 Ω  
Pulse Generator  
(PG-10N)  
Rs = 50 Ω  
W.F.Analyzer  
(SAS-8130)  
Ri = 50 Ω  
1
MA3S132E  
Switching Diodes  
IF VF  
VF Ta  
IR VR  
3
5
4
3
2
10  
10  
10  
10  
10  
1.6  
1.4  
1.2  
1.0  
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
0
Ta±=±150°C  
100°C  
2
10  
10  
1
IF = 100 mA  
Ta±=±150°C  
100°C  
10 mA  
3 mA  
25°C  
25°C  
−1  
−±20°C  
10  
10  
1
−2  
10  
0
0.2  
0.4  
0.6  
0.8  
1.0  
1.2  
0
20  
40  
60  
80  
100 120  
−40  
0
40  
80  
120 160 200  
(
)
( )  
Reverse voltage VR V  
(
)
Forward voltage VF  
V
Ambient temperature Ta °C  
IR Ta  
Ct VR  
IF(surge) tW  
5
4
3
2
10  
10  
10  
10  
1.2  
1 000  
Ta±=±25°C  
VR = 75 V  
f = 1 MHz  
Ta = 25°C  
I
F(surge)  
35 V  
6 V  
300  
100  
1.0  
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
0
t
W
Non repetitive  
30  
10  
3
1
10  
1
0.3  
0.1  
−40  
0
40  
80  
120 160 200  
0
20  
40  
60  
80  
100 120  
0.03 0.1 0.3  
)
Pulse width tW ms  
1
3
10  
30  
(
)
Ambient temperature Ta °C  
(
(
)
V
Reverse voltage VR  
2

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