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SHD124534D  SHD123612P  SHD124568D  SHD124522  SHD124444D  SHD124512  SHD124524N  SHD124612N  SHD123622P  SHD124511N  
2SA1790 PNP硅外延平面型 (Silicon PNP epitaxial planer type)
.型号:   2SA1790
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描述: PNP硅外延平面型
Silicon PNP epitaxial planer type
文件大小 :   40 K    
页数 : 2 页
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品牌   PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
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100%
晶体管
2SA1790
PNP硅外延平面型
用于高频放大
补充2SC4626
1.6±0.15
单位:mm
s
特点
q
q
0.4
0.8±0.1
0.4
0.2
–0.05
0.15
–0.05
+0.1
高转换频率f
T
.
SS-迷你型封装,设备的小型化使
并通过带包装和maga-自动插入
杂志包装。
1.6±0.1
1.0±0.1
0.5
1
0.5
3
2
0.45±0.1 0.3
0.75±0.15
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
评级
–30
–20
–5
–30
125
125
–55 ~ +125
单位
V
V
V
mA
mW
˚C
˚C
1 :基本
2 :发射器
3 :收藏家
EIAJ :SC- 75
SS-迷你型包装
标记符号:
E
s
电气特性
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
正向电流传输比
跃迁频率
集电极到发射极饱和电压
基地发射极电压
噪声系数
反向传输阻抗
共发射极反向传输
电容
(Ta=25˚C)
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE *
f
T
V
CE ( SAT )
V
BE
NF
Z
rb
C
re
条件
V
CB
= -10V ,我
E
= 0
V
CE
= -20V ,我
B
= 0
V
EB
= -5V ,我
C
= 0
V
CE
= -10V ,我
C
= 1毫安
V
CB
= -10V ,我
E
= 1mA时, F = 200MHz的
I
C
= -10mA ,我
B
= -1mA
V
CE
= -10V ,我
C
= -1mA
V
CB
= -10V ,我
E
= 1mA时, F = 5MHz时
V
CB
= -10V ,我
E
= 1mA时, F = 2MHz的
V
CE
= -10V ,我
C
= -1mA
F = 10.7MHz的
70
150
300
– 0.1
– 0.7
2.8
22
1.2
4.0
60
2.0
典型值
最大
– 0.1
–100
–10
220
兆赫
V
V
dB
pF
单位
µA
µA
*
h
FE
等级分类
h
FE
标记符号
B
70 ~ 140
EB
C
110 ~ 220
EC
0-0.1
0.2±0.1
+0.1
s
绝对最大额定值
(Ta=25˚C)
1
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