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2SA1806 PNP硅外延平面型 (Silicon PNP epitaxial planer type)
.型号:   2SA1806
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描述: PNP硅外延平面型
Silicon PNP epitaxial planer type
文件大小 :   43 K    
页数 : 2 页
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品牌   PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
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100%
晶体管
2SA1806
PNP硅外延平面型
对于高速开关
单位:mm
1.6±0.15
s
特点
q
q
q
0.4
0.8±0.1
0.4
0.2
–0.05
0.15
–0.05
+0.1
高速开关。
低集电极到发射极饱和电压V
CE ( SAT )
.
SS-迷你型封装,设备的小型化使
并通过带包装和maga-自动插入
杂志包装。
(Ta=25˚C)
评级
–15
–15
–4
–100
–50
125
125
–55 ~ +125
单位
V
V
V
mA
mA
mW
˚C
˚C
1.6±0.1
1.0±0.1
0.5
1
0.5
3
2
0.45±0.1 0.3
0.75±0.15
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
英镑
1 :基本
2 :发射器
3 :收藏家
EIAJ :SC- 75
SS-迷你型包装
标记符号:
AK
s
电气特性
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
正向电流传输比
集电极到发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
开启时间
打开-O FF时间
贮存时间
(Ta=25˚C)
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE1*
h
FE2
V
CE ( SAT )
f
T
C
ob
t
on
t
关闭
t
英镑
条件
V
CB
= -8V ,我
E
= 0
V
EB
= -3V ,我
C
= 0
V
CE
= -1V ,我
C
= -10mA
V
CE
= -1V ,我
C
= -1mA
I
C
= -10mA ,我
B
= - 1毫安
V
CB
= -10V ,我
E
= 10毫安中,f = 200MHz的
V
CB
= -5V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
(注1 )下一页
(注1 )下一页
(注1 )下一页
800
50
30
– 0.1
1500
1
12
20
19
– 0.2
V
兆赫
pF
ns
ns
ns
典型值
最大
– 0.1
– 0.1
150
单位
µA
µA
*
h
FE1
等级分类
h
FE1
Q
50 ~ 120
AKQ
R
90 ~ 150
AKR
标记符号
0-0.1
0.2±0.1
+0.1
s
绝对最大额定值
1
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