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晶体管
2SA1816(Tentative)
PNP硅外延平面型
对于低频高击穿电压的放大
4.0±0.2
3.0±0.2
单位:mm
s
特点
q
高集电极到发射极电压V
首席执行官
.
15.6±0.5
s
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
英镑
(Ta=25˚C)
0.7±0.1
评级
–150
–150
–5
–100
–50
300
150
–55 ~ +150
单位
V
V
V
mA
mA
mW
˚C
˚C
1 :发射器
2 :收藏家
3 :基本
1
2
3
1.27 1.27
2.54±0.15
EIAJ :SC- 72
新的S型套餐
s
电气特性
参数
收藏家Cuto FF电流
集电极到发射极电压
发射器基极电压
正向电流传输比
集电极到发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
噪声电压
(Ta=25˚C)
符号
I
CBO
V
首席执行官
V
EBO
h
FE*1
V
CE ( SAT )
f
T
C
ob
NV
条件
V
CB
= -100V ,我
E
= 0
I
C
= -100μA ,我
B
= 0
I
E
= -10μA ,我
C
= 0
V
CE
= -5V ,我
C
= -10mA
I
C
= -30mA ,我
B
= -3mA
V
CB
= -10V ,我
E
= 10毫安中,f = 200MHz的
V
CB
= -10V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
V
CE
= -10V ,我
C
= - 1毫安,G
V
= 80分贝
R
g
= 100kΩ的,功能= FLAT
150
200
5
–150
–5
90
450
–1
V
兆赫
pF
mV
典型值
最大
–1
单位
µA
V
V
*1
h
FE
等级分类
Q
90 ~ 155
R
130 ~ 220
S
185 ~ 330
T
260 ~ 450
h
FE
2.0±0.2
记号
+0.2
0.45–0.1
1
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