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描述:
P6KE150A  XC3064A-7PG132I  P6KE16A  MPC9600  P6KE39A  MS75  P6KE110A  P6KE9V1A  MMFT2406T  P6KE6V8A  
2SA1890 PNP硅外延平面型 (Silicon PNP epitaxial planer type)
.型号:   2SA1890
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描述: PNP硅外延平面型
Silicon PNP epitaxial planer type
文件大小 :   40 K    
页数 : 2 页
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品牌   PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
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100%
晶体管
2SA1890
PNP硅外延平面型
对于低频输出放大
补充2SC5026
单位:mm
s
特点
2.6±0.1
4.5±0.1
1.6±0.2
1.5±0.1
q
q
q
1.0
–0.2
低集电极到发射极饱和电压V
CE ( SAT )
.
高集电极到发射极电压V
首席执行官
.
迷你型封装,设备,允许小型化,
通过带包装盒自动插入
包装。
(Ta=25˚C)
0.4max.
45°
+0.1
0.4±0.08
0.5±0.08
1.5±0.1
3.0±0.15
3
2
1
4.0
–0.20
0.4±0.04
s
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极耗散功率(T
C
=25˚C)
结温
储存温度
*
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
P
C*
T
j
T
英镑
评级
–80
–80
–5
–1.5
–1
1
150
–55 ~ +150
单位
V
V
V
A
A
W
˚C
˚C
1 :基本
2 :收藏家
3 :发射器
EIAJ :SC- 62
迷你功率型封装
记号
标记符号:
1Z
印刷电路板:为1cm铜箔区
2
以上,板
厚度1.7毫米的集电极部
s
电气特性
参数
收藏家Cuto FF电流
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
正向电流传输比
集电极到发射极饱和电压
基地发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
(Ta=25˚C)
符号
I
CBO
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
h
FE1*1
h
FE2
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
f
T
C
ob
条件
V
CB
= -40V ,我
E
= 0
I
C
= -10μA ,我
E
= 0
I
C
= -1mA ,我
B
= 0
I
E
= -10μA ,我
C
= 0
V
CE
= -2V ,我
C
= -100mA
V
CE
= -2V ,我
C
= -500mA
*2
I
C
= -500mA ,我
B
= -50mA
*2
I
C
= -500mA ,我
B
=
–50mA
*2
V
CB
= -10V ,我
E
= 50mA时F = 200MHz的
V
CB
= -10V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
–80
–80
–5
120
60
– 0.2
– 0.85
120
15
*2
典型值
最大
– 0.1
2.5±0.1
+0.25
单位
µA
V
V
V
340
– 0.3
–1.2
V
V
兆赫
30
pF
脉冲测量
*1
h
FE1
等级分类
Q
120 ~ 240
R
170 ~ 340
h
FE1
1
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