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DB2141300L 硅外延平面型 (Silicon epitaxial planar type)
.型号:   DB2141300L
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描述: 硅外延平面型
Silicon epitaxial planar type
文件大小 :   320 K    
页数 : 5 页
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品牌   PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
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100%
文档编号
TT4-EA-11458
修订版。
2
产品标准
肖特基二极管
DB2141300L
技术资料(参考)
IF - VF
1.E+01
反向电流IR ( A)
正向电流IF ( A)
1.E+00
85 °C
TA = 125°C
IR - VR
1.E-01
TA = 125°C
1.E-02
1.E-03
1.E-04
1.E-05
1.E-06
1.E-07
1.E-08
0
5
10
15
20
25
30
-40 °C
85 °C
1.E-01
1.E-02
1.E-03
1.E-04
1.E-05
0.0
25 °C
-40 °C
25 °C
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
35
40
正向电压VF ( V)
反向电压VR ( V)
CT - VR
350
终端的Ct电容(PF )
热阻Rth ( ° C / W)
RTH - 吨
1000
TA = 25℃
F = 1 MHz的
(1)
(2)
300
250
200
150
100
50
0
0
5
10
100
Rth的第(j-升)= 10℃ / W的
(3)
10
( 1)非散热器
( 2 )安装在玻璃环氧树脂印刷电路板。
( 3 )安装在氧化铝印刷电路板。
板尺寸为50mm ×50毫米× 0.8毫米
焊料中为2mm ×2mm的
15
20
25
30
反向电压VR ( V)
35
40
1
0.001
0.01
0.1
1
10
时间t (S )
100
1000
IF ( AV ) - 铊
2.5
正向电流(平均值), IF ( AV ) (A )
PF ( AV ) - IF ( AV)
1
tp
T
正向功率耗散(平均) PF ( AV ) ( W)
TP / T
IF
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0
IF
2
1.5
1
tp
T
正弦波
1/2
1/4
DC
DC
1/2
VR = 20 V
TJ = 125°C
1/4
正弦波
0.5
0
0
25
50
75
100
125
150
175
铅温度T1 (℃ )
0.5
1
1.5
2
2.5
正向电流(平均值), IF ( AV ) (A )
第3页4
成立时间: 2009-08-17
修订
: 2013-04-19
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