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RST200  1-6457567-8  V24C15C100BL  TX53  RST80  TX53800  TX53I  RJS125-R  RX-8564  RJS350-R  
MA6Z121 硅外延平面型 (Silicon epitaxial planar type)
.型号:   MA6Z121
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描述: 硅外延平面型
Silicon epitaxial planar type
文件大小 :   89 K    
页数 : 3 页
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品牌   PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
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100%
开关二极管
MA6Z121
(MA6S121)
硅外延平面型
单位:mm
对于开关电路
6
2.0
±0.1
(0.65)(0.65)
5
4
1.25
±0.1
2.1
±0.1
0.7
±0.1
I
特点
小S迷你型6引脚封装
包含在一个套餐三分离的元素,使高
密度安装
扁平引线型,从而提高了安装效率和
可焊性与高速安装机
短的反向恢复时间t
rr
小型终端电容C
t
1
2
3
0.2
±0.05
0.16
+0.10
–0.06
参数
反向电压(DC)的
峰值反向电压
平均正向电流
*1
最大正向电流
*1
符号
V
R
V
RM
I
F( AV )
I
FM
I
FSM
T
j
T
英镑
等级
80
80
100
225
500
150
−55
to
+150
单位
V
V
mA
mA
mA
°C
°C
1 :阳极1
4 : 3阴极
2 :阳极2
5 :阴极2
3 :阳极3
6 :阴极1
SMini6 -F1套餐
标记符号: M2D
内部连接
1
2
3
6
5
4
非重复性峰值正向
浪涌电流
*1,2
结温
储存温度
注)* 1 :数值为单个二极管
* 2 : T = 1秒
I
电气特性
T
a
=
25°C
参数
反向电流( DC )
正向电压( DC)的
反向电压(DC)的
终端电容
反向恢复时间
*
符号
I
R
V
F
V
R
C
t
t
rr
V
R
=
75 V
I
F
=
百毫安
I
R
=
100
µA
V
R
=
0 V,F
=
1兆赫
I
F
=
10毫安,V
R
=
6 V
I
rr
=
0.1 · I
R
, R
L
=
100
80
2
3
条件
典型值
最大
0.1
1.2
单位
µA
V
V
pF
ns
注) 1.额定输入/输出频率:100MHz
2. * : t
rr
测量电路
偏置应用单位无- 50BU
t
r
10%
输入脉冲
t
p
t
I
F
t
rr
t
I
rr
=
0.1 · I
R
I
F
=
10毫安
V
R
=
6 V
R
L
=
100
输出脉冲
A
V
R
脉冲发生器
(PG-10N)
R
s
=
50
W.F.Analyzer
(SAS-8130)
R
i
=
50
90%
t
p
=
2
µs
t
r
=
0.35纳秒
δ =
0.05
注)括号中的部分数字表示以往的零件号。
(0.15)
I
绝对最大额定值
T
a
=
25°C
0-0.1
(0.425)
105
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