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UNRF2A7 NPN硅外延平面晶体管 (Silicon NPN epitaxial planar transistor)
.型号:   UNRF2A7
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描述: NPN硅外延平面晶体管
Silicon NPN epitaxial planar transistor
文件大小 :   80 K    
页数 : 3 页
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品牌   PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
购买 :   
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100%
晶体管具有内置电阻
UNRF2A7
NPN硅外延平面晶体管
单位:mm
对于数字电路
0.60
±0.05
特点
适用于多功能数码复印机的高密度安装和小型化
换货的超小型无引脚封装
0.6 mm
×
1.0毫米(高0.39毫米)
3
2
1
1.00
±0.05
0.39
+0.01
−0.03
0.15
±0.05
0.05
±0.03
0.35
±0.01
0.25
±0.05
0.25
±0.05
1
绝对最大额定值
T
a
=
25°C
参数
集电极 - 基极电压(发射极开路)
集电极 - 发射极电压(基本开)
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
P
T
T
j
T
英镑
等级
50
50
80
100
125
−55
to
+125
单位
V
V
mA
mW
°C
°C
0.50
±0.05
3
0.65
±0.01
2
0.05
±0.03
1 :基本
2 :发射器
3 :收藏家
ML3 -N2套餐
标记符号: 1Z
内部连接
R
1
(22 kΩ)
B
C
E
电气特性
T
a
=
25°C
±
3°C
参数
集电极 - 基极电压(发射极开路)
集电极 - 发射极电压(基本开)
集电极 - 基极截止电流(发射极开路)
集电极 - 发射极截止电流(基地开)
发射极 - 基极截止电流(集电极开路)
正向电流传输比
集电极 - 发射极饱和电压
输出电压较高水平
输出电压低的水平
输入阻抗
跃迁频率
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CE ( SAT )
V
OH
V
OL
R
1
f
T
V
CB
=
10 V,I
E
= −2
毫安,女
=
200兆赫
条件
I
C
=
10
µA,
I
E
=
0
I
C
=
2毫安,我
B
=
0
V
CB
=
50 V,I
E
=
0
V
CE
=
50 V,I
B
=
0
V
EB
=
6 V,I
C
=
0
V
CE
=
10 V,I
C
=
5毫安
I
C
=
10毫安,我
B
=
0.3毫安
V
CC
=
5 V, V
B
=
0.5 V ,R
L
=
1 kΩ
V
CC
=
5 V, V
B
=
2.5 V ,R
L
=
1 kΩ
−30%
22
150
4.9
0.2
+30%
160
50
50
0.1
0.5
0.01
460
0.25
典型值
最大
单位
V
V
µA
µA
mA
V
V
V
kΩ
兆赫
注)的测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法的晶体管。
出版日期: 2002年12月
SJH00074AED
1
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