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AH375DPLA  AH375M-WL  AH375_1  AH375L-PLA  AH373L-WL  AH375S-WL  AH373E-WL  AH375H-PLA  AH373M-WLA  AH375DWLA  
83336-00 3.0 GHz的整数N分频PLL的低相位噪声应用 (3.0 GHz Integer-N PLL for Low Phase Noise Applications)
.型号:   83336-00
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描述: 3.0 GHz的整数N分频PLL的低相位噪声应用
3.0 GHz Integer-N PLL for Low Phase Noise Applications
文件大小 :   277 K    
页数 : 14 页
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品牌   PEREGRINE [ PEREGRINE SEMICONDUCTOR CORP. ]
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PDF原版 中文翻译版  
100%
PE83336
产品speci fi cation
表6. AC特性
V
DD
= 3.0 V, -55°C
T
A
125 ℃,除非另有说明
符号
f
CLK
t
CLKH
t
CLKL
t
DSU
t
DHLD
t
PW
t
无缝线路
t
CE
t
WRC
t
EC
t
MDO
F
in
P
参数
串行数据时钟频率
串行时钟高电平时间
串行时钟低电平时间
SDATA设定时间后SCLK上升沿,D [ 7:0]设置
时间M1_WR , M2_WR , A_WR , E_WR上升沿
SDATA后SCLK上升沿保持时间, D [ 7 : 0]保持时间
M1_WR , M2_WR , A_WR , E_WR上升沿
S_WR , M1_WR , M2_WR , A_WR , E_WR脉宽
SCLK上升沿到S_WR上升沿。 S_WR , M1_WR ,
M2_WR , A_WR下降沿到Hop_WR上升沿
SCLK下降沿到E_WR转型
S_WR下降沿到SCLK上升沿。 Hop_WR下降
边S_WR , M1_WR , M2_WR , A_WR上升沿
E_WR过渡到SCLK上升沿
后翅上升沿MSEL数据输出延时
工作频率
输入电平范围
条件
典型值
最大
10
单位
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
控制接口和锁存器(请参阅图3,图4,图5 )
30
30
10
10
30
30
30
30
30
C
L
= 12 pF的
500
外部交流耦合
外部交流耦合
-5
0
8
(注5 )
3000
5
5
ns
兆赫
DBM
DBM
主分频器(包括预分频器)
85°C <牛逼
A
125°C
主分频器(预分频器绕过)
F
in
P
工作频率
输入电平范围
外部交流耦合
外部交流耦合
50
-5
0
300
5
5
兆赫
DBM
DBM
85°C <牛逼
A
125°C
参考分频器
f
r
P
fr
V
fr
工作频率
参考输入功率
输入灵敏度
(注1 )
单端输入
外部交流耦合
(注3)
(注1 )
100 Hz的偏移: V
DD
= 3.0V ,T = 25°C
1000赫兹偏移: V
DD
= 3.0V ,T = 25°C
(注2 )
-2
0.5
100
10
兆赫
DBM
V
P-P
相位检测器
f
c
PN
OR
PN
OR
注1 :
注2 :
注3 :
注4 :
注5 :
比较频率
输出简称相位噪声
输出简称相位噪声
20
-78
-94
(注4 )
(注4 )
兆赫
dBc的/赫兹
dBc的/赫兹
SSB相位噪声:输出简称(F
in
= 1918MHz ,女
r
= 10 MHz时,女
c
= 1MHz时,低出生体重= 70千赫
)
参数只能通过特性保证,未经测试。
运行在低频率( < 10MHz的正弦波) ,该设备将仍然是功能性,但可能会导致相位噪声劣化。插入一个低
噪声放大器方达的边缘,建议在较低的输入频率。
CMOS逻辑电平可以被使用,如果直流耦合。为了达到最佳的相位噪声性能,参考输入下降沿速度应该会更快
超过80mV的/纳秒。
所有器件进行筛选,逐步在表中列出的噪声限值7.测试仪不确定性的大小排除了测试相位噪声的一部分
资格测试。这些参数也免除PDA的需求。
参数使用100pF的电容负载测试,通过鉴定只保证。典型的测试延迟为12ns 。
Peregrine半导体股份有限公司。
|
http://www.peregrine-semi.com
版权
Peregrine半导体公司2003
第14页第7
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