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BZV55系列
硅平面齐纳二极管
应用
•低电压的稳定剂或电压基准
LL-34
特点
•总功耗:最大。 500毫瓦
•两个系列公差: ± 2%,约± 5%的
绝对最大额定值(T
a
= 25
O
C)
参数
功耗
结温和存储温度范围
1)
符号
P
合计
T
j
,T
S
价值
500
1)
单位
mW
O
- 65至+ 200
C
有效的条件是电极被保持在环境温度下进行。
特点在T
a
= 25
O
C
参数
热阻结到环境空气
正向电压
在我
F
= 10毫安
1)
符号
R
THA
V
F
马克斯。
0.3
1)
0.9
单位
K /毫瓦
V
有效的条件是电极被保持在环境温度下进行。
网站:
WWW.PS-PFS.COM
BZV55系列
特点在T
j
= 25
O
C
BZV55B…
or
BZV55C…
2V4
2V7
3V0
3V3
3V6
3V9
4V3
4V7
5V1
5V6
6V2
6V8
7V5
8V2
9V1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
1)
齐纳电压范围
1)
V
ZT
(V)
BZV55B (允差为± 2 % )
2.35…2.45
2.65…2.75
2.94…3.06
3.23…3.37
3.53…3.67
3.82…3.98
4.21…4.39
4.61…4.79
5…5.2
5.49…5.71
6.08…6.32
6.66…6.94
7.35…7.65
8.04…8.36
8.92…9.28
9.8…10.2
10.8…11.2
11.8…12.2
12.7…13.3
14.7…15.3
15.7…16.3
17.6…18.4
19.6…20.4
21.6…22.4
23.5…24.5
26.5…27.5
29.4…30.6
32.3…33.7
35.3…36.7
38.2…39.8
42.1…43.9
46.1…47.9
50…52
54.9…57.1
60.8…63.2
66.6…69.4
73.5…76.5
BZV55C (允差为± 5 % )
2.2…2.6
2.5…2.9
2.8…3.2
3.1…3.5
3.4…3.8
3.7…4.1
4…4.6
4.4…5
4.8…5.5
5.2…6
5.8…6.6
6.4…7.2
7…7.9
7.7…8.7
8.5…9.6
9.4…10.6
10.4…11.6
11.4…12.7
12.4…14.1
13.8…15.6
15.3…17.1
16.8…19.1
18.8…21.2
20.8…23.3
22.8…25.6
25.1…28.9
28…32
31…35
34…38
37…41
40…46
44…50
48…54
52…60
58…66
64…72
70…79
I
ZT
(MA )
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
动态电阻
Z
ZT
在我
ZT
最大。 ( Ω )
100
100
95
95
90
90
90
80
60
40
10
15
15
15
15
20
20
25
30
30
40
45
55
55
70
80
80
80
90
130
150
170
180
200
215
240
255
Z
ZK
最大。 ( Ω )
600
600
600
600
600
600
600
500
480
400
150
80
80
80
100
150
150
150
170
200
200
225
225
250
250
300
300
325
350
350
375
375
400
425
450
475
500
在我
ZK
mA
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
反向电流
I
R
MAX 。 ( μA )
50
20
10
5
5
3
3
3
2
1
3
2
1
0.7
0.5
0.2
0.1
0.1
0.1
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
在V
R
(V)
1
1
1
1
1
1
1
2
2
2
4
4
5
5
6
7
8
8
8
10
11
13
14
15
17
19
21
23
25
27
30
33
36
39
43
48
53
测试了脉冲吨
p
= 20毫秒。
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BZV55系列
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