1N829T/R [PHILIPS]

DIODE 6.2 V, SILICON, VOLTAGE REFERENCE DIODE, DO-34, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Voltage Reference Diode;
1N829T/R
元器件型号: 1N829T/R
生产厂家: NXP SEMICONDUCTORS    NXP SEMICONDUCTORS
描述和应用:

DIODE 6.2 V, SILICON, VOLTAGE REFERENCE DIODE, DO-34, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Voltage Reference Diode

二极管
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型号参数:1N829T/R参数
生命周期Obsolete
IHS 制造商NXP SEMICONDUCTORS
零件包装代码DO-34
包装说明O-LALF-W2
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
HTS代码8541.10.00.50
风险等级5.13
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
JEDEC-95代码DO-34
JESD-30 代码O-LALF-W2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度100 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大功率耗散0.4 W
认证状态Not Qualified
标称参考电压6.2 V
表面贴装NO
技术ZENER
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
电压温度Coeff-Max0.031 mV/ °C
最大电压容差5%
Base Number Matches1