BD139 [PHILIPS]

NPN power transistors; NPN功率晶体管
BD139
元器件型号: BD139
生产厂家: NXP SEMICONDUCTORS    NXP SEMICONDUCTORS
描述和应用:

NPN power transistors
NPN功率晶体管

晶体 晶体管
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型号参数:BD139参数
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
生命周期Active
IHS 制造商CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
零件包装代码SIP
包装说明TO-126, 3 PIN
针数3
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
HTS代码8541.29.00.75
风险等级5.09
Is SamacsysN
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)1.5 A
集电极-发射极最大电压80 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)25
JEDEC-95代码TO-126
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层MATTE TIN (315)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间10
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)190 MHz
Base Number Matches1