PHX8N50E [PHILIPS]

PowerMOS transistors Avalanche energy rated; 功率MOS晶体管的额定雪崩能量
PHX8N50E
元器件型号: PHX8N50E
生产厂家: NXP SEMICONDUCTORS    NXP SEMICONDUCTORS
描述和应用:

PowerMOS transistors Avalanche energy rated
功率MOS晶体管的额定雪崩能量

晶体 晶体管
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型号参数:PHX8N50E参数
生命周期Obsolete
零件包装代码SFM
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
风险等级5.84
其他特性FAST SWITCHING
雪崩能效等级(Eas)531 mJ
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压500 V
最大漏极电流 (ID)4.2 A
最大漏源导通电阻0.85 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值37 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)34 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1